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公开(公告)号：CN106000768A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610152536.4
申请日：2016-03-17
Applicant: 株式会社思可林集团
CPC classification number: B05C5/0254 , B05C9/14 , B05C13/02 , H01M4/0419 , H01M4/139
Abstract: 本发明提供能够使用1个涂布喷嘴在基材的上表面和下表面这两个面涂布涂布液的涂布装置、涂布方法以及组装有该涂布装置的涂膜形成系统。连续搬运多孔基材(5)，该多孔基材(5)为贯穿设置有多个孔(5a)的金属长条多孔箔。在多孔基材(5)的下方配置有喷出电极材料的涂布液的涂布喷嘴(20)，并且在上方配置有平滑板(30)。通过从涂布喷嘴(20)向多孔基材(5)的下表面喷出涂布液，由于该涂布液的一部分从多个孔(5a)渗出至多孔基材(5)的上表面，从而在多孔基材(5)的上表面和下表面这两个面涂布涂布液，所以能够仅通过1个涂布喷嘴(20)来对多孔基材(5)的上表面和下表面这两个面涂布涂布液。
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公开(公告)号：CN105911065A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201511010121.5
申请日：2015-12-29
Applicant: 株式会社思可林集团
Inventor： 井上学
IPC: G01N21/89
CPC classification number: G01N21/89
Abstract: 本发明提供一种图案检查装置及图案检查方法。图案检查装置包括孔部信息获取部，获取表示一个目视孔部的目视孔部区域的中心的坐标；线方向确定部，确定与形成有目视孔部的目视焊盘相连接的目视线以目视焊盘为起点而延伸的线方向；判别点获取部，将检查图像中，作为目视孔部区域的边缘、且包含于配线图案区域中的部分设为对象边缘，并获取最靠近自目视孔部区域的中心向线方向延伸的线与目视孔部区域的边缘相交的位置的、对象边缘上的点而作为判别点；及颈部缺陷检测部，检测目视孔部所致的颈部缺陷。藉此，可容易地检测印刷基板的颈部缺陷。
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公开(公告)号：CN105378909A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480034840.8
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社思可林集团
Inventor： 加藤洋
IPC: H01L21/683 , H01L21/027
CPC classification number: B08B3/02 , B08B3/10 , H01L21/02052 , H01L21/67023 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/68728 , H01L21/68792
Abstract: 基板处理装置(1)具有旋转台(7)、旋转驱动机构(3)、设置在旋转台(7)上的保持销(10)、用于覆盖基板(W)的下表面的保护盘(15)、使保护盘(15)从旋转台(7)浮起的磁浮起机构(41)。保护盘(15)能够在下位置与接近位置之间上下移动，该接近位置指，在下位置的上方，与基板的下表面接近的位置。磁浮起机构(41)具有保护盘侧永久磁铁(60)、被挡板(4)保持的环状的挡板侧永久磁铁(25)。在通过挡板驱动机构(5)使挡板(4)上升时，能够借助永久磁铁之间的磁排斥力使保护盘(15)从旋转台(7)浮起并保持在接近位置。
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公开(公告)号：CN110010448B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201811542249.X
申请日：2015-09-11
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L21/04 , H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/687 , H05B3/00
Abstract: 本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。
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公开(公告)号：CN106486351B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201610736763.1
申请日：2016-08-26
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L21/268 , H01L21/285 , H01L21/67
Abstract: 提供能够抑制硅化物的高电阻化的热处理方法以及热处理装置。在硅的半导体晶片的表面上形成有金属膜。在该半导体晶片容纳于腔室内后，腔室内的压力被减压至比大气压低的气压(P1)。然后，向腔室内供给氮气而恢复至常压(Ps)，并向半导体晶片的表面照射闪光来形成金属膜与硅的化合物即硅化物。由于一旦将腔室内的压力减压至比大气压低的气压(P1)后就恢复压力，因此，能够使执行硅化物形成的处理时的腔室内的氧气浓度显著地降低，从而能够抑制因腔室内气体环境中的氧气进入金属膜与基材的界面附近的缺陷中所引起的硅化物的高电阻化。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110718487A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910992532.0
申请日：2016-06-20
Applicant: 株式会社思可林集团
Abstract: 本发明的基板处理装置一边抑制残留处理液进入器件区域一边处理上表面周缘部，具有：基板保持部，将基板保持为大致水平，围绕规定旋转轴旋转，旋转机构，使基板保持部围绕旋转轴旋转，处理液喷出部，以使液流接触以旋转轴为中心旋转的基板的上表面周缘部的旋转轨迹中的一部分的着落位置的方式喷出处理液的液流，气体喷出部，从上方朝向旋转轨迹中的着落位置的基板的旋转方向的上游侧的第一位置喷出非活性气体的第一气流，使第一气流从第一位置朝向基板的周缘，从上方朝向旋转轨迹中的第一位置的基板的旋转方向的上游侧的第二位置喷出非活性气体的第二气流，使第二气流从第二位置朝向基板的周缘；第二气流喷出时的动能小于第一气流喷出时的动能。
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公开(公告)号：CN105895557B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201610087633.X
申请日：2016-02-16
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供加快在基板的主面上的第一流体的流速由此良好地除去在基板的主面附着的颗粒等异物的基板处理装置。基板处理装置使用包括第一流体的处理流体对基板实施处理，包括：基板保持单元，保持基板；喷嘴，具有第一筒体，在第一筒体的内部形成有第一流体流通的第一流路，在第一筒体的顶端缘与基板的主面之间划分形成用于将在第一流路内流动的流体沿着基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第一喷出口；支撑构件，支撑喷嘴；喷嘴保持单元，将喷嘴以能够沿着基板的主面的法线方向进行相对位移的状态保持在支撑构件上；第一流体供给单元，向喷嘴的第一流路供给第一流体，通过从第一喷出口喷出第一流体，使离开基板的所述主面的方向的力作用于喷嘴。
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公开(公告)号：CN110010448A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811542249.X
申请日：2015-09-11
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L21/04 , H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/687 , H05B3/00
Abstract: 本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。
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公开(公告)号：CN105428400B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510578248.0
申请日：2015-09-11
Applicant: 株式会社思可林集团
IPC: H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。
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