公开(公告)号：CN102683580A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210072710.6

申请日：2012-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  吴世忠 ,  金佑填 ,  朴相奂 ,  李将银 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/303 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。

公开(公告)号：CN111490153B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201910960905.6

申请日：2019-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  朴正宪 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H10N50/10 ,  H10N52/00 ,  G11C11/16

Abstract: 公开了一种磁存储器件，其包括：线图案，所述线图案位于衬底上；磁隧道结图案，所述磁隧道结图案位于所述线图案上；以及上导电线，所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开，并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。

公开(公告)号：CN117062510A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310530454.9

申请日：2023-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仑泳 ,  朴相奂 ,  朴容星 ,  朴正宪 ,  徐铉雨

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10B61/00 ,  H10N50/01 ,  H10N50/80

Abstract: 本发明公开了一种磁致电阻存储器件和包括该磁致电阻存储器件的半导体器件，该磁致电阻存储器件包括：下电极；在下电极上的下磁性材料层；在下磁性材料层上的隧道势垒层；在隧道势垒层上的上磁性材料层；盖结构，在上磁性材料层上，包括交替层叠的第一层和第二层；在盖结构上的盖导电层；以及在盖导电层上的上电极，其中第一层包括含非磁性材料的第一材料，第二层包括含磁性材料的第二材料。

公开(公告)号：CN108987427B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201810515747.9

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大植 ,  朴正宪 ,  高宽协

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H01L21/77

Abstract: 在制造MRAM器件的方法中，第一下电极和第二下电极可以分别在衬底的第一区域和第二区域上形成。具有彼此不同的开关电流密度的第一MTJ结构和第二MTJ结构可以分别在第一下电极和第二下电极上形成。第一上电极和第二上电极可以分别在第一MTJ结构和第二MTJ结构上形成。

公开(公告)号：CN115968248A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211141697.5

申请日：2022-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  金洸奭 ,  朴正宪

IPC: H10N50/10 ,  G06F7/58

Abstract: 本公开提供了磁性隧道结器件以及包括其的随机计算系统。一种磁性隧道结器件包括被钉扎磁性层、自由磁性层以及在被钉扎磁性层和自由磁性层之间的隧道势垒层。自由磁性层包括第一自由层、与隧道势垒层间隔开而使第一自由层在其间的第二自由层、以及在第一自由层和第二自由层之间的间隔物层。第一自由层和第二自由层通过间隔物层而彼此反铁磁耦合，第一自由层和第二自由层中的每个具有基本上垂直于在自由磁性层和隧道势垒层之间的界面的磁化方向。自由磁性层的热稳定性在0至15的范围内。

公开(公告)号：CN112593189A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011020907.6

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  金晥均 ,  金硕埙 ,  郑峻昊

IPC: C23C14/22

Abstract: 本公开提供了离子束沉积装置以及具有其的沉积系统。一种离子束沉积装置包括：用于固定基板的基板组件；相对于基板组件倾斜的靶组件，该靶组件包括具有沉积材料的靶；离子枪，用于将离子束喷射到靶上，使得沉积材料的离子朝向基板组件释放以在基板上形成薄层；以及基板加热器，用于将基板加热到高于室温的沉积温度。

公开(公告)号：CN111490153A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910960905.6

申请日：2019-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  朴正宪 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  G11C11/16

Abstract: 公开了一种磁存储器件，其包括：线图案，所述线图案位于衬底上；磁隧道结图案，所述磁隧道结图案位于所述线图案上；以及上导电线，所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开，并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。

公开(公告)号：CN109713122A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811213731.9

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容星 ,  金佑塡 ,  朴正宪 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  赵显

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。

公开(公告)号：CN108987427A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810515747.9

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大植 ,  朴正宪 ,  高宽协

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 在制造MRAM器件的方法中，第一下电极和第二下电极可以分别在衬底的第一区域和第二区域上形成。具有彼此不同的开关电流密度的第一MTJ结构和第二MTJ结构可以分别在第一下电极和第二下电极上形成。第一上电极和第二上电极可以分别在第一MTJ结构和第二MTJ结构上形成。