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公开(公告)号：CN1958302A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143367.4
申请日：2006-11-06
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种用于成像施主薄膜的成像层到受体基板上的激光诱导热成像设备。该激光诱导热成像设备包括：基板台和施主薄膜，其中，该基板台包括磁铁，并且适于容放具有有机光发射装置的象素区的受体基板，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间，并且包括对应于施主薄膜的成像部分的图案的开口部分和用于与该基板台形成磁力的永磁铁；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
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公开(公告)号：CN1923529A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610121986.3
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: B41M5/24 , B44B7/00 , H01L21/00 , H01L21/683 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)设备和使用该设备制造电子装置的方法。该LITI设备包括室腔、基底支撑件、接触框和激光源或振荡器。所述LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成品电子装置的表面上。所述LITI设备利用磁力提供在可转移层和半成品电子装置的表面之间的紧密接触。通过在LITI设备的隔开的两个组件中形成的磁性材料产生磁力，可转移层和半成品电子装置的所述表面介于所述两个组件之间。磁体或磁性材料形成在LITI系统的两个以下组件中：1)半成品装置和膜供体装置；2)半成品装置和接触框；3)基底支撑件和膜供体装置；或者4)基底支撑件和接触框。
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公开(公告)号：CN1789006A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510112769.3
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J3/407 , B41J11/0015 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种用于激光转写法的施体基板和利用该方法制造的有机发光显示器。激光转写设备包括通过接地装置接地的载物台，并且制造有机发光显示器的方法能控制利用该设备形成有机层的同时所堆积的静电。
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公开(公告)号：CN1747611A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200410095453.3
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/385 , B41M5/42 , B41M5/426 , B41M5/46 , B41M2205/38 , C23C14/048 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/24479
Abstract: 提供一种用于激光诱导热成像法的供体衬底和一种使用其制造的有机场致发光显示设备。该供体衬底包括：基膜；在该基膜上形成的光－热转换层；在该光热转换层整个表面上形成的缓冲层；在该缓冲层上形成的金属层和由有机材料形成并在该金属层上形成的转移层，因而，通过使用该激光诱导热成像法转移小分子材料而提高转移图案的性质。
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公开(公告)号：CN1744783A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510099608.5
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/42 , B41M2205/12 , B41M2205/38 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种制造用于激光诱发热成像(LITI)工艺的供体基板的方法。该方法包括：制备供体基板的基底基板；在基底基板上形成光热转换层；在光热转换层上形成缓冲层；通过处理缓冲层的表面增加缓冲层的表面粗糙度；和在经表面处理的缓冲层上形成转印层。通过使用供体基板，在制造OLED期间可以更好地进行构图工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1744781A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410099716.8
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种用于激光诱致热成像(laser inducedthermal imaging)方法的供体基板和利用该供体基板制造的有机发光显示器(OLED)。还提供了一种制造OLED的方法，由于具有导电层的供体基板电连接于接地台架，当利用激光诱致热成像方法形成有机层时，这种方法能够控制静电。
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公开(公告)号：CN1738499A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200410094218.4
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/56 , Y10S430/146
Abstract: 本发明提供了一种OLED的制造方法。该方法包括提供在其中形成像素电极的基板。此外，该方法包括在该基板的整个表面上层叠附着于框架的施主基板以及对施主基板的预定区域照射激光从而在该像素电极上形成有机层图案。本发明提供了一种OLED的制造方法，该方法能够抑制杂质例如颗粒等的产生，并避免施主基板下垂或弯曲，并且由于施主基板和基板易于彼此附着而维持真空态从而提高了转移效率。
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公开(公告)号：CN100446992C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510112769.3
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J3/407 , B41J11/0015 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种用于激光转写法的施体基板和利用该方法制造的有机发光显示器。激光转写设备包括通过接地装置接地的载物台，并且制造有机发光显示器的方法能控制利用该设备形成有机层的同时所堆积的静电。
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公开(公告)号：CN101299435A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810098547.4
申请日：2004-04-23
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开一种具有位于阴极触点和密封接合区域上的辅助层以便容易地去除结的聚合物有机层的有机电致发光显示器及其制造方法。该有机电致发光显示器具有形成在下部绝缘衬底上的第一电极；被形成用来使得第一电极的某些部分开口在下部绝缘衬底的整个表面上的像素定义层；形成在第一电极的开口上的有机发射层；形成在有机发射层上的第二电极；用于密封第一电极、有机发射层和第二电极的顶部衬底；以及形成在下部绝缘衬底的阴极触点和密封接合区域上的辅助层。
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公开(公告)号：CN101257038A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810081996.8
申请日：2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L51/52 , H01L51/5203 , Y10T428/24479 , Y10T428/24521
Abstract: 本发明公开了一种有机发光器件，其通过减小衬底表面的锥角来防止元件缺陷并提高图像质量。本发明的平板显示器包括：一绝缘衬底；一下部层，其形成于绝缘衬底上并且具有相对于衬底表面的第一台阶和第一锥角；以及一上部层，其形成于绝缘衬底上，用于减小下部层的锥角。上部层具有小于下部层的第一锥角的第二锥角。上部层是一导电层，该导电层可通过湿式涂覆方法被涂覆并且具有电荷迁移能力，该导电层选自小分子有机层和聚合物有机层中的至少一个，其中小分子有机层包括咔唑基、芳胺基、腙基、芪基、呃二唑基以及星爆炸基衍生物，聚合物有机层包括PEDOT、PANI、咔唑基、芳基胺基、二萘嵌苯基、吡咯基以及呃二唑基衍生物。
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