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公开(公告)号：CN1717133A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510082110.8
申请日：2005-06-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L51/0541 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种改进的有机发光显示器(OLED)的制造方法以及通过该方法制造的OLED。所述方法可以包括以任何适当的次序执行的以下步骤。第一步，提供具有至少一个单元区的基板。第二步，在所述单元区上形成具有至少一个发光器件的发光器件部分。第三步，在所述发光器件部分上形成钝化层。第四步，在所述钝化层上形成薄膜晶体管(TFT)部分。所述TFT部分具有与每个所述发光器件电连接的有机TFT(OTFT)。
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公开(公告)号：CN1661813A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410081922.6
申请日：2004-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G09F9/30 , G09G3/36 , H05B33/12 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/04 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L51/0013 , H01L51/0097 , H01L2251/5338 , H01L2251/5369
Abstract: 一种柔性平板显示器，其中毫微粒子用于TFT的有源层，衬底是柔性的并且可以在室温下制造，平板显示器具有同样的TFT，一种制造TFT的方法，一种制造平板显示器的方法，以及一种制造施主薄片的方法。在制造显示器内的TFT中，施主薄片用来把毫微粒子从薄片转移到衬底。薄膜晶体管放置在衬底上并且包括沟道区，所述沟道区至少具有一个纵向排列的P型或N型毫微粒子，其中所述P型或N型毫微粒子的纵向方向平行于在衬底上隔开的P型或N型毫微粒子线。
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公开(公告)号：CN1658721A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410102061.5
申请日：2004-12-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5048 , H01L51/5092 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种有机电致发光显示器件，包括：一衬底，一形成在所述衬底上的第一电极，一形成在所述第一电极上的有机层，以及一形成在所述有机层上的第二电极。所述有机层包括一有机发射层和一有机材料层，并且所述有机材料层具有粗糙度在Rms 11至Rms 50的一表面。
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公开(公告)号：CN1578561A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059001.X
申请日：2004-07-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5237
Abstract: 本发明涉及一种含有UV稳定剂的有机电致发光显示装置，并且通过提供一种有机电致发光显示装置，其含有底物、底物上形成的第一电极、第一电极上形成的发光层以及发光层上部形成的第二电极，其中，发光层掺杂有UV稳定剂，并且UV稳定剂的吸收范围为420nm或小于420nm，来提供一种即使被暴露在太阳光下其特性也没有被紫外线所降低的有机电致发光显示装置。
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公开(公告)号：CN1484476A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03124310.X
申请日：2003-04-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L27/3244 , H01L51/0037 , H01L51/005 , H01L51/0053 , H01L51/0062 , H01L51/007 , H01L51/0081 , H01L51/5048 , H01L51/5221 , H01L51/56 , Y10T428/26 , Y10T428/31678
Abstract: 一种有机场致发光(EL)器件，它包括：衬底，设置在衬底上的第一电极；设置在第一电极上的包含聚合物的发射层；在发射层上形成的第二电极；以及在发射层和第二电极之间形成的金属渗透保护层，用来防止第二电极形成金属渗透到发射层中。制造方法包括制备所述场致发光器件的操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1874023A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610093471.7
申请日：2006-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/283 , H01L51/0017 , H01L51/0036 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种防止有机半导体层的表面损坏并减小关断电流的有机薄膜晶体管及其制造方法，和一种结合该有机薄膜晶体管的有机发光器件。有机薄膜晶体管包括衬底、在衬底上设置的源和漏电极、接触源和漏电极并包括沟道区的半导体层、在半导体层上设置的且具有与半导体层相同的图形的保护膜，该保护膜包括激光吸收材料、设置在栅和源和漏电极之间的栅绝缘膜、设置在栅绝缘膜上的栅电极、以及在半导体层和保护膜内设置的分离图形，该分离图形适于限定半导体层的沟道区。
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公开(公告)号：CN1870235A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610099617.9
申请日：2006-05-26
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L51/105 , H01L27/3274 , H01L51/0021 , H01L51/0541
Abstract: 一种有机薄膜晶体管(TFT)，一种制造方法和一种包括有机TFT的显示器。在TFT中，由于通过在缓冲膜中的凹槽之中形成源和漏电极，而减小或消除了基板与源和漏电极之间的台阶差异，所以不会发生沟道区域断开。制造有机TFT的方法包括在基板上形成缓冲膜，通过蚀刻缓冲膜，在缓冲膜中形成彼此分开一定距离的凹形单元，在缓冲膜上形成电极层，使用光刻工艺，通过蚀刻电极层在凹形单元内形成源和漏电极，在源和漏电极及缓冲膜上形成半导体层，在半导体层上形成栅极绝缘膜及在栅极绝缘膜上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN1855484A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610073779.5
申请日：2006-03-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3248 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , G02F2201/50 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L51/0004 , H01L51/0037 , H01L51/0038 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 公开了能够避免像素电路电短路的平板显示器，以及制造该平板显示器的方法。在一个实施例中，平板显示器包括具有孔的绝缘膜、具有通过绝缘膜的孔外露部分的像素电极、在绝缘膜上形成的导体以及覆盖导体的加盖层。根据本发明的实施例，导体由传导胶形成并且导体胶的粗糙表面通过在导体上形成的加盖层钝化，因此能避免在导体和相对像素电极之间的短路。
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公开(公告)号：CN1848476A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510137344.8
申请日：2005-11-15
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01L27/283 , H01L51/0003 , H01L51/0021 , H01L51/0096 , H01L51/0516 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有一致特性的有机TFT和具有该有机TFT的平板显示器，其中有机TFT包括采用旋涂工艺形成的有机半导体层。该有机TFT的一个实施例包括：衬底，设置在衬底上的栅电极，覆盖该栅电极的栅极绝缘膜，设置在栅极绝缘膜上的有机半导体层，以及与有机半导体层接触的源电极和漏电极，其中多个突起部件形成于栅极绝缘膜上，且突起部件从源电极延伸向漏电极。
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公开(公告)号：CN1802054A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510125478.8
申请日：2005-11-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5296 , H01L27/3244 , H01L51/5203 , H01L51/56
Abstract: 公开了一种EL装置及其制造方法。EL装置包括：第一有机发光晶体管和第二有机发光晶体管，其中第一有机发光晶体管包括：第一源电极；与第一源电极面对的第一漏电极；包括至少一层发射层的第一中间层，该发射层位于第一源电极和第一漏电极之间；和与第一源电极、第一漏电极、和第一中间层绝缘的第一栅电极，第一栅电极包围第一中间层；并且第二有机发光晶体管包括：第二源电极；与第二源电极面对的第二漏电极；包括至少一层发射层的第二中间层，该发射层位于第二源电极和第二漏电极之间；和与第二源电极、第二漏电极、和第二中间层绝缘的第二栅电极，第二栅电极包围第二中间层并连接到第一漏电极。
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