基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法

    公开(公告)号:CN106501305A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201610908299.X

    申请日:2016-10-18

    CPC classification number: G01N25/20

    Abstract: 本发明提供一种基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法,至少包括:提供一覆盖有红外辐射薄膜的散热基板;在相同的室内环境下,分别获取所述散热基板在不同表面温度时的两组出射度数据;其中,每组所述出射度数据至少包括总红外辐射出射度,所述红外辐射薄膜的辐射出射度、周围环境对所述红外辐射薄膜表面的反射出射度,以及所述散热基板发出的透过所述红外辐射薄膜的辐射出射度;利用两组所述出射度数据,计算所述红外辐射薄膜的透过率。本发明可以测量红外辐射薄膜的发射率和散热基板的辐射能量透过红外辐射薄膜的透过率,进而可以有针对性地设计更好的红外辐射薄膜,增强功率器件的散热效率,降低芯片的结温。

    用于光电器件的高效散热基板

    公开(公告)号:CN105304593A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510793108.5

    申请日:2015-11-18

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于光电器件的高效散热基板,从其导电层进行散热,依次由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层层叠组合而成复合散热基板,其中导热绝缘层的另一侧表面与光电器件的导电层紧密结合,碳基材料涂层的另一侧裸露表面则形成复合散热基板的外部散热面,将光电器件工作时产生的热量通过导电层,再依次经由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层导出,进行散热。本发明通过在高导热金属基板上表面覆一层导热绝缘的陶瓷涂层作为绝缘层,提高了基板的介电常数、抗静电能力及散热能力;金属基板下表面覆一层导热能力良好的碳基材料涂层,其导热系数及热辐射系数高,可进一步提高基板的整体散热性能。

    用于精确测试半导体器件温度分布的装置和方法

    公开(公告)号:CN105004427A

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201510396974.0

    申请日:2015-07-08

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于精确测试半导体器件温度分布的装置和方法。本发明装置包括核心控制模块、大小恒流源模块、高速电流切换模块、恒温箱、高速数据采集模块、红外热像仪、上位机及电源模块。本发明方法包括为待测器件提供可调恒温环境及精确测试电流,记录环境温度及对应正向压降线性拟合得到K系数,加热电流将待测器件加热至稳定状态后高速切换至测试电流,快速采样正向压降并与K系数转换得到冷却曲线,用拟合及平滑方法处理冷却曲线得到更精确且完整的冷却曲线,同时红外热像仪拍摄温度分布图。用精确冷却曲线温度校正温度分布图可得精确的温度分布图。本发明利用电学测试法校正红外热像图,在半导体器件温度分布测试方面具有高精确性。

    可控尺寸石墨烯量子点的宏量制备方法

    公开(公告)号:CN104843681A

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201510160015.9

    申请日:2015-04-07

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种可控尺寸石墨烯量子点的宏量制备方法,包括如下步骤:a.在基片上沉积催化剂金属薄膜;b.刻蚀金属薄膜,制得纳米级图形化金属催化剂;c.将基片置于化学气相沉积反应室内, 高温下通入碳源及还原气体,制得位于纳米金属催化剂上的石墨烯量子点;d.还原性气氛中冷却至室温,取出基片置于纳米金属刻蚀液中,获得悬浮于溶液中的量子点。本发明使用CVD法制备石墨烯量子点,实现了量子点的宏量制备;采用刻蚀工艺获得纳米级图形化金属作为催化剂,通过控制催化剂的尺寸实现石墨烯量子点尺寸的精确可控,提高了产率,降低了成本。

    石墨烯量子点的宏量制备方法

    公开(公告)号:CN104787756A

    公开(公告)日:2015-07-22

    申请号:CN201510160014.4

    申请日:2015-04-07

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种本宏量制备石墨烯量子点的方法,包括如下步骤:a.制备纳米金属催化剂的分散液;b.将含有纳米金属催化剂的分散液涂覆于基片上,固化;c.将涂覆有分散液薄膜层的基片置于化学气相沉积系统中,在高温下通入还原性气体,去除固化的分散剂;d.高温下通入碳源及还原气体,制得位于纳米金属催化剂上的石墨烯量子点;e.还原性气氛中冷却至室温,取出基片置于纳米金属刻蚀液中,获得悬浮于溶液中的量子点。本发明使用CVD法制备石墨烯量子点,实现了量子点的宏量制备;采用纳米金属粒子作为催化剂,石墨烯量子点的尺寸精确可控,可以通过金属催化剂粒子的尺度控制石墨烯量子点的尺寸,提高了产率,降低了成本。

    一种LED器件光电热集成的测试系统及方法

    公开(公告)号:CN103592590A

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:CN201310560650.7

    申请日:2013-11-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种LED器件光电热集成的测试系统及方法。本系统包括:计算机(010)、ARM控制电路(020)、光学测试系统(030)、瞬态热学测试系统(040)以及恒温槽(050),计算机(010)通过信号线(070)分别与ARM控制电路(020)、瞬态热学测试系统(040)连接,ARM控制电路(020)通过信号线(070)分别与瞬态热学测试系统(040)、光学测试系统(030)连接,恒温槽(050)通过信号线(070)分别与光学测试系统(030)、瞬态热学测试系统(040)连接。本发明的测试系统能对LED器件的光电学参数和热学参数进行同时测量;而且能利用所测光学参数中的光功率对瞬态热阻测试系统施加在LED器件上的电功率进行校正,以获得LED器件的实际的耗散功率,从而实现LED器件光电热的集成测试,提高对LED器件瞬态热阻测试的精确度。

    一种低温制备石墨烯薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103407988A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310060733.X

    申请日:2013-02-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种低温制备石墨烯薄膜的方法。该方法包括如下步骤:1)金属基底上制备类金刚石(DLC)薄膜;2)在非氧化气氛中,一定温度下处理步骤1)所得覆有DLC薄膜的金属基底,DLC薄膜石墨化并在金属催化作用下形成石墨烯。该方法创新性的使用DLC作为石墨烯生长的前驱体,降低了石墨烯的制备温度,并可以通过在DLC制备过程中采用掩模板轻松实现石墨烯薄膜的图形化制备。

    一种用于半导体器件瞬态热测试的恒流源

    公开(公告)号:CN115903983A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211620932.7

    申请日:2022-12-16

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开一种用于半导体器件瞬态热测试的恒流源,涉及瞬态热测试技术领域,该恒流源包括:DCDC隔离电源以及LDO降压模块、高精度电压基准模块、极性转换模块、25.5MA档电流源模块、2A档电流源模块、大小电流切换模块、以及BNC接口输出模块;本发明可以在大电流输出下保持高精度,还可以实现大小电流之间的快速切换,来实现瞬态热测试的要求。

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