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公开(公告)号：CN108603028A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009939.6
申请日：2017-02-03
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C08L79/08 , B32B27/00 , B32B27/34 , B32B27/38 , C08K5/5415 , C08L63/00 , C08L83/04 , C09D163/00 , C09D179/08 , C09D183/04 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J179/08 , C09J11/04 , C09J183/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供下述树脂组合物、使用其的粘接剂、树脂层、层叠膜、及晶片加工体、以及使用它们的电子部件或半导体器件的制造方法，所述树脂组合物能够将电子电路形成基板或半导体电路形成基板与支承基板粘接，并且将厚度为1μm以上且100μm以下的电子电路形成基板或半导体电路形成基板粘接时的耐热性优异，即使经过电子部件、半导体器件等的制造工序，粘接力也不发生变化，而且之后能够于室温以温和的条件进行剥离。本发明为下述树脂组合物，其至少含有：(a)具有特定结构的聚酰亚胺树脂；及(b)包含芴基的交联剂。
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公开(公告)号：CN105408986B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201380078563.6
申请日：2013-08-02
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , C09D183/04 , C08K3/36
CPC classification number: H01L21/2254 , C08K3/36 , C09D183/04 , H01L21/2225
Abstract: 本发明涉及一种掩模糊料组合物，其特征在于，含有：(a)特定的聚硅氧烷；(b)二氧化硅粒子，其平均粒径为150nm以下；(c)溶剂，其沸点为130℃以上，(a)聚硅氧烷的重均分子量为1000以上，组合物固态成分中的二氧化硅粒子为20重量％以上且70重量％以下，组合物整体中的P、B及Al浓度各自为20ppm以下。利用该掩模糊料组合物，提供固化前的溶液的保存稳定性、涂布时的图案形成性优异、涂布后的杂质扩散工序中的掩蔽性、耐裂纹性优异的掩模糊料组合物。
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公开(公告)号：CN106133876A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580016327.0
申请日：2015-03-18
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/023 , G03F7/075 , G03F7/42 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/0272 , B08B3/08 , B08B7/0057 , G03F7/0233 , G03F7/0757 , G03F7/40 , G03F7/42 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/427 , H01L21/0206 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/31058 , H01L21/31111 , H01L21/31116
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，其包括下述工序：在基板1上得到含有聚硅氧烷的组合物的图案2a的工序；和在所述基板上形成离子杂质区域6的工序，所述半导体器件的制造方法的特征在于，在所述离子杂质区域的形成工序后，还包括于300～1,500℃对所述图案进行烧成的工序。由此，能够在半导体基板中形成离子杂质区域后将含有聚硅氧烷的组合物的图案2a的固化膜无残渣地容易地除去，因此，能够提高半导体器件制造中的成品率、缩短节拍时间。
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公开(公告)号：CN105408986A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201380078563.6
申请日：2013-08-02
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , C09D183/04 , C08K3/36
CPC classification number: H01L21/2254 , C08K3/36 , C09D183/04 , H01L21/2225
Abstract: 本发明涉及一种掩模糊料组合物，其特征在于，含有：(a)特定的聚硅氧烷；(b)二氧化硅粒子，其平均粒径为150nm以下；(c)溶剂，其沸点为130℃以上，(a)聚硅氧烷的重均分子量为1000以上，组合物固态成分中的二氧化硅粒子为20重量％以上且70重量％以下，组合物整体中的P、B及Al浓度各自为20ppm以下。利用该掩模糊料组合物，提供固化前的溶液的保存稳定性、涂布时的图案形成性优异、涂布后的杂质扩散工序中的掩蔽性、耐裂纹性优异的掩模糊料组合物。
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公开(公告)号：CN105122137A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480018021.4
申请日：2014-03-05
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G03F7/038 , C08F290/00 , G03F7/004 , G03F7/075 , G06F3/041
Abstract: 本发明的目的在于提供一种兼具能够获得高硬度，透明性、耐湿热性、密合性和耐化学性优异的固化膜，并且涂液的保存稳定性良好，保存中密合性和耐化学性不降低这样的多种性能的能够碱性显影的感光性树脂组合物，提供一种感光性树脂组合物，是含有(A)碱溶性树脂、(D)金属螯合物和(E)硅烷化合物的感光性树脂组合物，上述(A)碱溶性树脂为特定范围的双键当量的碱溶性树脂，上述(D)金属螯合物为特定结构的化合物，上述(E)硅烷化合物为特定结构的四官能硅烷或硅烷低聚物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102667625A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058514.2
申请日：2010-12-20
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08G77/14 , C08G77/70 , C09D183/06 , G03F7/0757
Abstract: 本发明的正型感光性树脂组合物，其特征在于，是含有(a)聚硅氧烷、(b)重氮萘醌化合物、(c)溶剂的正型感光性组合物，(a)聚硅氧烷中的来源于通式(1)所示的有机硅烷的结构的含有比率，以相对于聚硅氧烷全体的Si原子摩尔数的Si原子摩尔比计，为20%～80%，并且包含来源于通式(2)所示的有机硅烷的结构。通过本发明的正型感光性组合物，可以提供具有高耐热性、高透明性的特性，并且能够以高灵敏度形成高分辨率的图案的正型感光性组合物。此外，可以用于由本发明的正型感光性组合物形成的TFT基板用平坦化膜、层间绝缘膜、芯材、包层材等的固化膜、以及具有该固化膜的显示元件、半导体元件、固体摄像元件、光波导等的元件。
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公开(公告)号：CN1782878A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510128535.8
申请日：2005-11-28
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0757 , C08K5/42 , G03F7/022 , C08L83/04
Abstract: 本发明提供高感光度的正型感光性硅氧烷组合物，以用于形成具备高耐热性、高透明性、低介电常数性的特性的、TFT衬底用平坦化膜、层间绝缘膜、或者光波导路的芯或者包层材料。其是含有硅氧烷聚合物、醌二叠氮化合物、溶剂的正型感光性硅氧烷组合物，其中组合物的固化膜在波长400nm下平均3μm膜厚的透光率为95％以上。
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公开(公告)号：CN116868319A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280014325.8
申请日：2022-03-23
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/52
Abstract: 本发明提供一种层叠体，其中可无残胶或对元件的损伤地以宽广的加工裕度实施使用各种波长的激光的半导体元件的转印。一种层叠体，为依序层叠有具有激光透过性的基板1、树脂膜、以及半导体元件的基板，所述树脂膜在248nm、266nm及355nm中的任一波长下的换算为膜厚1.0μm时的吸光度为0.4以上且5.0以下，进而所述树脂膜与所述半导体元件的接着强度为0.02N/cm以上且0.3N/cm以下。
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公开(公告)号：CN110734736A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911051970.3
申请日：2015-08-05
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C09J179/08 , C09J183/04 , C09J11/06 , C08G73/10 , C11D7/50 , H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: 本申请涉及临时粘接用粘合剂、粘合剂层、晶片加工体及使用其的半导体器件的制造方法。本发明提供临时粘接用粘合剂、和使用其的半导体器件的制造方法，所述临时粘接用粘合剂的耐热性优异，能够利用1种粘合剂层将半导体电路形成基板与支承基板粘接，即使经过半导体器件等的制造工序、粘合力也不发生变化，并且之后能于室温以温和的条件进行剥离。本发明为临时粘接用粘合剂，其特征在于，其为下述聚酰亚胺共聚物，所述聚酰亚胺共聚物至少具有酸二酐残基和二胺残基，在二胺残基中包含(A1)以通式(1)表示且n为1以上15以下的自然数的聚硅氧烷系二胺的残基、及(B1)以通式(1)表示且n为16以上100以下的自然数的聚硅氧烷系二胺的残基这两者。
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公开(公告)号：CN110095941A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910328781.X
申请日：2012-12-21
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明提供了一种感光性树脂组合物，是显示正型或负型感光性、能够作为离子注入工序中的掩模使用的感光性树脂组合物，作为树脂含有(A)聚硅氧烷。本发明的感光性树脂组合物具有高耐热性、能够控制图案形状，并且具有优异的离子注入掩模性能，适合用于低成本的高温离子注入工艺。
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