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公开(公告)号：CN105990182A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510050675.1
申请日：2015-01-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种清除HVPE设备中III族混晶氮化物沉积物的回收装置及方法。本发明设计包括了主槽、防壁流挡圈、导流槽及收集器的III族混晶氮化物沉积物的回收装置，并利用腐蚀性气体在高温下对其具有腐蚀分解作用，有效地回收高温分解后的液态氮化物，解决反应腔体中直管与弯管之间严重堵塞及其高温分解产物的无定向流动等问题。本发明装置及方法，其结构合理紧凑、操作简便，能更好地保证被分解的混晶III族氮化物液体流聚到指定区域，便于收集清理，防止腔室的堵塞与污染，增加HVPE设备的使用寿命，极具实用价值。
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公开(公告)号：CN103981512B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410196612.2
申请日：2014-05-10
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，包括第一通道、第二通道。所述第一通道为等直径或变直径圆柱形通道，所通反应物气体为GaCl；所述第二通道位于第一通道中心位置，所通气体可以是N2也可以是GaCl与N2的混合气体；所述第二通道可以为一段圆柱形通道，也可由两段组成，上段为圆柱形，下段为圆台形或倒圆台形，两段相连处直径相等。本发明一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，通过最佳化两通道中气体流量大小，来改善反应物GaCl在衬底上方附近径向分布的均匀性，以满足较大面积衬底上GaN晶体材料均匀生长之需求。
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公开(公告)号：CN103103501B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310012409.0
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用扇形喷头结构，使第一前驱物、第二前驱物、各种保护性气体在大面积反应区域内充分混合后形成较为均匀的流场。本发明包含有一个以上进气管道，进气管道上设有检测并控制进气流速和流量的控制器，喷头腔体内设有一个以上扇形的独立隔离区域，隔离区域顶端密封板连接一个进气管道，隔离区域底端的出气挡板上设有一个及以上的气体喷口，喷头下面设有圆形反应腔。本发明实现Ⅲ族-氮化物半导体材料的大批量生产，提高Ⅲ族-氮化物半导体材料的生产效率。
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公开(公告)号：CN103094172B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210559378.6
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了半导体及微电子行业耐高温防滑夹具，通过夹头与夹臂的安装组合方式，使用时施力于夹臂，用卡槽卡住所夹持晶片，有效防止夹持过程中晶片的掉落。本发明包含有第一夹臂、第二夹臂，第一夹臂另一端安装第一夹头，第二夹臂另一端安装第二夹头，第一夹头与第二夹头之间形成卡槽夹持部，通过作用第一夹臂、第二夹臂控制第一夹头、第二夹头的运动作用于样品。本发明根据使用温度的不用，夹臂和夹头可选择适当的耐高温材料制成，达到高温条件下取放晶片的目的。
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公开(公告)号：CN102828238B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210303314.X
申请日：2012-08-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明一种用于改良外延过程中衬底晶片表面温场的方法，首先选取复合衬底晶片，在初始温度和外延起始温度不同时，计算出复合衬底晶片中第一种材料的体积变化和第二种材料的体积变化，然后根据第一种材料的体积变化和第二种材料的体积变化计算出复合衬底晶片变形后的球面半径；再根据计算得出的R0值在载体上开设衬底球径结构；然后把复合衬底晶片置放到衬底球径结构中，在HVPE中进行半导体材料生长。本发明改善了半导体材料外延过程起始阶段衬底晶片表面温场的均匀性，提高外延起始层与原有材料的衔接质量，降低了工艺调试难度，提高了外延半导体材料的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094174B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201210559395.X
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种操作简易的晶片夹具，可以提高工作效率、节省人力成本、提高夹持工序的安全性。本发明包含有2个及以上的夹臂和夹头，夹臂之间相互连接形成连接端，夹臂另一端的自由端安装衔接有夹头，其中一个夹臂上安装一个以上夹头，夹臂中一些夹臂在夹取操作中其位置相对固定不变，为固定夹臂，另外的夹臂则相对于固定夹臂其位置在变动，为运动夹臂；运动夹臂带动夹头向固定夹臂移动，固定夹臂在夹具的夹取中起到定位作用。本发明操作简单容易，提高设备定位精度，简化设备控制系统的复杂程度，进而降低成本。
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公开(公告)号：CN103060906B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310012395.2
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C30B25/14 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用方形喷头结构，解决在较大的衬底和较大的沉积区域之上提供均匀的前驱物混合问题。本发明方形喷头内设有多个相互独立的隔离区域，隔离区域呈上下结构依层排布，方形喷头顶部设有与隔离区域连通的输入管道，隔离区域底部设有多个气体喷管，气体喷管的喷口设于方形喷头底部。本发明通过方形的喷头结构，独立的隔离区域，以及多个喷头联合使用的方式，可使前驱物以及各种气体混合后均匀沉积在衬底表面，并提高生产效率。
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公开(公告)号：CN103806092A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410031343.4
申请日：2014-01-23
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种用于立式氢化物气相外延（HVPE）的反应器，包括轴对称圆柱型腔体、前驱物通道、衬底、石墨圆盘及支撑杆；其中前驱物通道从上至下依次由第一圆筒、过渡段、第二圆筒、裙体扩展段、第三圆筒组成；该反应器还包括设置在第二圆筒中间位置的第二整流板，设置在第三圆筒内部具有周向阵列折流板的第一折流装置；包括设置在通道第一、第二、第三圆筒内部的第一、第二、第三整流板，以及设置在石墨盘径向外围的第二折流装置；包括对反应式腔体外壁进行径向扩充；包括设置在通道第一、第二圆筒内部的第一、第二整流板，设置在第三圆筒内部与石墨盘径向外围的第一、第二折流装置，以及反应气体的径向出口。
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公开(公告)号：CN103094173A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210559394.5
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种多夹头晶片夹具，通过施力于夹臂控制夹头，减小各夹头之间距使其合拢并接触晶片的侧边缘，来完成夹片操作。本发明包含有四个及以上夹头，夹头安装在夹臂末端，在其一个及以上夹臂末端上可安装多个夹头，形成多夹头夹具，部分夹臂相对固定，其余夹臂可定向移动带动夹头靠拢、接触晶片侧边缘实施夹取操作，夹臂之间形成有夹角。本发明的多夹头夹具，仅需其中三个夹头作用在晶片上，便能达到夹具的作用，从而降低对夹头的控制精确度的要求及夹持晶片的操控难度，提高安全性。
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公开(公告)号：CN103094172A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210559378.6
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了半导体及微电子行业耐高温防滑夹具，通过夹头与夹臂的安装组合方式，使用时施力于夹臂，用卡槽卡住所夹持晶片，有效防止夹持过程中晶片的掉落。本发明包含有第一夹臂、第二夹臂，第一夹臂另一端安装第一夹头，第二夹臂另一端安装第二夹头，第一夹头与第二夹头之间形成卡槽夹持部，通过作用第一夹臂、第二夹臂控制第一夹头、第二夹头的运动作用于样品。本发明根据使用温度的不用，夹臂和夹头可选择适当的耐高温材料制成，达到高温条件下取放晶片的目的。
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