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公开(公告)号：CN105352324B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510656861.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F27D1/00
Abstract: 本发明公开了一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法，其结构特征为：主要包括内支撑杆、内杆活动连接结构、外支撑杆、外杆活动连接结构、隔热反射器、固定螺栓和嵌装圆螺母；通过调节内、外支撑杆的相对位置，结合内杆活动连接结构和外杆活动连接结构，以调整隔热反射器的方位、隔热反射面形状和隔热保温面积乃至隔热保温性能，也可调整隔热装置相对温场的位置；从而解决现有技术中隔热保温装置所存在的通用性差、安装后隔热保温面积和隔热位置距离调整困难等问题。该装置可以满足多种加热炉对不同隔热保温面积的需求，具有较好的互换性、通用性。
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公开(公告)号：CN106622775A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611095351.0
申请日：2016-12-02
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: B05B13/02
CPC classification number: B05B13/0278
Abstract: 本发明公开了一种提高喷管分布密度的结构，包括密封板、喷管和定位板，定位板安装在密封板下表面，喷管上具有入口和喷气出口，所述密封板上设有安装通孔，定位板上设有定位孔，安装通孔内壁设有密封结构，喷管外壁上设有高度定位槽，喷管从密封板的安装通孔和定位板的定位孔中插入并且与安装通孔内的密封结构密封连接，该密封结构与高度定位槽卡合，密封结构包括具有形变功能的连接膜和密封环，连接膜上设有中心孔，密封环设在连接膜的中心孔内侧边缘，喷管从该密封环中穿过并且该密封环卡合在喷管的高度定位槽内。本发明在相同面积下能够装配更多的喷管，提高了结构的安全性和稳定性，降低维护成本。
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公开(公告)号：CN105352324A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510656861.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F27D1/00
CPC classification number: F27D1/00
Abstract: 本发明公开了一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法，其结构特征为：主要包括内支撑杆、内杆活动连接结构、外支撑杆、外杆活动连接结构、隔热反射器、固定螺栓和嵌装圆螺母；通过调节内、外支撑杆的相对位置，结合内杆活动连接结构和外杆活动连接结构，以调整隔热反射器的方位、隔热反射面形状和隔热保温面积乃至隔热保温性能，也可调整隔热装置相对温场的位置；从而解决现有技术中隔热保温装置所存在的通用性差、安装后隔热保温面积和隔热位置距离调整困难等问题。该装置可以满足多种加热炉对不同隔热保温面积的需求，具有较好的互换性、通用性。
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公开(公告)号：CN103094175B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210559456.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种晶片专用三夹头夹具，通过夹臂减小三夹头之间的间距，三夹头仅与样品侧边缘接触而不直接接触晶面即可完成夹持操作。本发明包含有夹臂、三个夹头，夹臂末端设有夹头，其中一个夹臂上安装1或2个夹头，夹具设有3条或2条夹臂，各夹臂间相互连接，夹臂间相互连接处在夹臂中部或夹臂首端。本发明通过夹头与夹臂的巧妙组合，避免夹头与晶片正面的直接接触，从而减少晶面的接触源并避免了夹头直接施力于晶面易导致晶面被划伤、污染等问题。
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公开(公告)号：CN102797034B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210309119.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快，导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟，托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁，反应物被喷洒在侧壁内侧，托舟底部设有数层可拆开的分层结构，托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽，在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道，托舟设计有数个尾气出口，尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置，使副产物生长在托舟内部，以清理托舟方式来降低系统清理频率，有利于实现生长氮化镓材料的产业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103789823A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410028993.3
申请日：2014-01-22
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体材料气相外延（HVPE）用反应器设计。包括轴对称圆柱型反应腔体、同心圆环喷头、加热器、石墨舟及衬底等；石墨舟及衬底采用电阻丝或红外光照射加热；所述腔体底端外壁的切向设置三至六个矩形横截面的气体出口通道；在该出口通道与腔体内壁之间设置一同心圆环缓冲带；在该出口通道外围设置一同心圆环集流通道；所述各出口通道与集流通道均贯通。本发明反应器设计，使反应物气体在衬底有效生长区域形成一种微旋流，从而显著改善外延生长厚度及其组分均匀性；因省去现有反应器中的石墨舟旋转装置及附属组件，既简化装置、节能、便于维护，还去除旋转运动不稳定对外延生长的不利影响。
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公开(公告)号：CN102797034A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210309119.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快，导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟，托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁，反应物被喷洒在侧壁内侧，托舟底部设有数层可拆开的分层结构，托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽，在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道，托舟设计有数个尾气出口，尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置，使副产物生长在托舟内部，以清理托舟方式来降低系统清理频率，有利于实现生长氮化镓材料的产业化。
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公开(公告)号：CN102127808B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010617807.1
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基材料生长所需要的金属源气体，利用金属的三氯化物作为源材料，通过载气输运并混合反应得到所需的源气体。本发明将一定量金属的三氯化物放置于石英腔加热，并以氢气、氮气、惰性气体或者它们的混合气体作为载气，调节载气的流量即可获得需要的三氯化物流量，转化气体后输运至材料生长系统，生长氮化镓基半导体材料。本发明的外置的金属源系统可以减小半导体生长系统的反应室体积，获得均匀的流场以及温场分布，降低了设备的设计与维护成本。
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公开(公告)号：CN102492938A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110453183.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/34 , C30B29/38 , C30B25/12
Abstract: 本发明提供一种单接触式自转公转基舟，解决气相沉积生长法在材料生长过程中的厚度不均匀问题。本发明包含有基舟基座，基舟基座上的小圆凹槽内设有衬底基座，基舟基座的镂空孔内设有转动轮，转动轮顶端设有C齿轮，C齿轮与衬底基座的半圈齿轮接触，转动轮底端设有B齿轮，基舟基座下面设有一个可以改变转向的马达，马达连接A齿轮，A齿轮与B齿轮啮合。本发明可实现衬底的自转与公转，提高设备性能，在一定程度上降低工艺调试难度。
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公开(公告)号：CN103094173B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210559394.5
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种多夹头晶片夹具，通过施力于夹臂控制夹头，减小各夹头之间距使其合拢并接触晶片的侧边缘，来完成夹片操作。本发明包含有四个及以上夹头，夹头安装在夹臂末端，在其一个及以上夹臂末端上可安装多个夹头，形成多夹头夹具，部分夹臂相对固定，其余夹臂可定向移动带动夹头靠拢、接触晶片侧边缘实施夹取操作，夹臂之间形成有夹角。本发明的多夹头夹具，仅需其中三个夹头作用在晶片上，便能达到夹具的作用，从而降低对夹头的控制精确度的要求及夹持晶片的操控难度，提高安全性。
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