-
公开(公告)号：CN107068747A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610962975.1
申请日：2016-11-04
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 大川峰司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种能够有效地对电场集中在栅电极与漏极之间区域的一部分处的情况进行抑制的开关元件。该开关元件具有：电子传输层；电子供给层，其被配置于所述电子传输层之上，且与所述电子传输层形成异质结；源极，其与所述电子供给层相接；漏极，其在与所述源极分离的位置处与所述电子供给层相接；第一栅电极，其位于所述电子供给层的上部且从上侧进行俯视观察时位于所述源极与所述漏极之间。所述第一栅电极与所述漏极在所述电子供给层的上部处电连接。所述开关元件具有与所述第一栅电极和所述漏极之间的电阻相比而较低的导通电阻。
-
公开(公告)号：CN106169507A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610319919.6
申请日：2016-05-13
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 大川峰司
IPC: H01L29/808 , H01L29/778 , H01L27/098 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0634 , H01L29/0688 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42356 , H01L29/66462 , H01L29/808 , H01L27/098 , H01L29/66916 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种异质结半导体装置以及制造异质结半导体装置的方法。一种异质结半导体装置包括：沟道层，其包括第一半导体；势垒层，其设置在所述沟道层上，并且包括具有大于所述第一半导体的带隙的带隙的半导体；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置在所述势垒层上并且欧姆接触到所述势垒层；设置在所述势垒层上的p型半导体层，所述p型半导体层设置在势垒层上所述源电极和所述漏电极之间的区域中；设置在所述p型半导体层上的n型半导体层；以及栅电极，其接合到所述n型半导体层。所述p型半导体层和所述n型半导体层之间的接合界面具有凹凸结构。
-
公开(公告)号：CN105684156A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480058416.7
申请日：2014-10-30
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/866 , H01L29/36 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/866 , H01L29/0626 , H01L29/0649 , H01L29/36
Abstract: 齐纳二极管(10)包括：半导体基板(12)、阳极电极(40)和阴极电极(42)。半导体基板(12)包括p型阳极区(20)、n型电流路径区(22)和漂移区(24)。p型阳极区(20)连接到所述阳极电极(40)。n型电流路径区(22)与所述阳极区(20)接触。漂移区(24)与所述阳极区(20)和所述电流路径区(22)接触。漂移区(24)是n型的。漂移区(24)具有比所述电流路径区(22)低的n型杂质浓度。漂移区(24)直接地或经由另一个n型区(26)连接到所述阴极电极(42)。
-
公开(公告)号：CN103534812A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201180070832.5
申请日：2011-05-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够防止由于发热而导致的耐压下降，且能够实现半导体装置的进一步的小型化。所述半导体装置为横向型的半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；埋入氧化膜，其被形成于上述半导体基板上；活性层，其被形成于上述埋入氧化膜上，上述活性层被构成为，以第二导电型阱区和第一导电型阱区从两侧夹持第一导电型漂移区的方式而配置，其中，所述第二导电型阱区包围第一导电型源区，所述第一导电型阱区包围第一导电型漏区，在上述活性层表面的一部分区域上隔着栅绝缘膜而形成有栅电极，其中，所述栅绝缘膜与上述第二导电型阱区的表面及上述第一导电型漂移区的表面相接，上述第二导电型阱区的一部分沿着上述栅绝缘膜，而以在载流子移动方向上长于上述栅绝缘膜的长度的方式延伸至上述第一导电型漂移区内。
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.033 seconds)
