公开(公告)号：CN101855941A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115631.0

申请日：2008-11-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司 ,  西冈幸也 ,  松室智纪

IPC: H05B33/22 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/3246

Abstract: 本发明提供可解决由于像素周边部的功能层的膜厚不均匀而造成的发光区域狭小化、周边部的漏泄电流的增加或功能层的剥落等的膜厚不均匀性问题的电子器件。其具有基板和在基板上形成的导电性的功能层和覆盖功能层端部的端部覆盖层，功能层具有未被端部覆盖层覆盖的功能区域。该功能层还可以具有非功能区域，其通过用端部覆盖层覆盖而非功能化。端部覆盖层可以用比基板和功能层之间的粘接力大的粘接力粘接于所述基板。

公开(公告)号：CN101647320A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880010127.4

申请日：2008-03-25

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司

IPC: H05B33/10 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L51/0001 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明提供一种具有作为晶体管元件的有机薄膜晶体管的有机薄膜晶体管基板的制造方法，以提供可用更少工序形成堤坝的制造方法为目的。根据本发明的有机薄膜晶体管基板的制造方法，其中该有机薄膜晶体管基板在基板上的第1区域形成有机薄膜晶体管，具有与第1区域邻接并用于形成发光元件的第2区域，在第2区域的周边部形成了堤坝部，该制造方法包括：第1工序，在基板上的第1区域形成有机薄膜晶体管，同时一直到第2区域都形成此有机薄膜晶体管所具有的栅绝缘层及有机半导体层中的至少一层，在第2区域上形成由形成在该区域上的叠层结构构成的堤坝前驱体层；以及第2工序，去除堤坝前驱体层中的周边部以外的区域，形成由残存的堤坝前驱体层构成的堤坝部。

公开(公告)号：CN101218688A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024736.6

申请日：2006-07-05

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  上田和正 ,  笠原健司 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供一种基板及半导体发光元件。基板形成具有曲面的凸部而成。半导体发光元件包括形成具有曲面的凸部而成的基板和在基板上的半导体层。

公开(公告)号：CN1989626A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580024108.3

申请日：2005-07-28

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司 ,  佐佐木诚 ,  清水诚也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/02 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种制备由通式InxGayAlzN(其中x+y+z＝1，0x1，0y1，和0z1)表示的氮化物半导体的方法，其特征在于在550和850C范围内的温度下，在p－型接触层和n－型接触层之间，形成厚度为500至5000？的由通式InaGabAlcN(其中a+b+c＝1，0a1，0b1，和0c1)表示的非掺杂的氮化物半导体(A)。