公开(公告)号：CN101319402A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810109546.5

申请日：2008-06-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松本直树 ,  佐藤史隆 ,  中畑成二 ,  冈久拓司 ,  上松康二

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/20

Abstract: GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底。在此公开一种制造GaN晶体的方法，其涉及在GaN籽晶衬底上生长GaN晶体。该方法包括以下步骤：制备GaN籽晶衬底，该GaN籽晶衬底包括第一掺杂剂以使GaN籽晶衬底的热膨胀系数变得大于GaN晶体的热膨胀系数；以及在该GaN籽晶衬底上生长GaN晶体至少1mm的厚度。因此，可以提供一种制造GaN晶体的方法以及一种GaN晶体衬底，该方法可以抑制裂纹的产生并生长厚的GaN晶体。

公开(公告)号：CN101241851A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710195806.0

申请日：2003-01-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  冈久拓司

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 一起使用ELO掩膜和缺陷种子掩膜的方法生长很少有位错的GaN晶体。ELO掩膜使得GaN晶体不能直接生长，但是能横向生长；缺陷种子掩膜使得缺陷集中的封闭缺陷聚集区域生长。材料SiN、SiON或SiO2中任一种用于ELO掩膜，同时Pt、Ni或Ti材料中任一种用于缺陷种子掩膜。蓝宝石、GaAs、尖晶石、Si、InP、SiC等单晶基片或其中在这些的单晶基片上涂覆GaN缓冲层的下层基片，补充地提供ELO掩膜和缺陷种子掩膜以及GaN被气相沉积。

公开(公告)号：CN100362672C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200510120085.8

申请日：2002-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

公开(公告)号：CN100344004C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200410044554.8

申请日：1998-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/20 ,  H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/04 ,  Y10S117/902 ,  Y10S438/942

Abstract: 一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底(2)上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗(10)的屏蔽层(8)，和外延层生成工序，在屏蔽层(8)上，生长由GaN构成的外延层(12)。

公开(公告)号：CN1176502C

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN01122442.8

申请日：2001-07-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  笠井仁 ,  冈久拓司

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供一种贯通位错密度小，而且在基体表面中不存在位错束，不产生劈开面紊乱的GaN基体制造方法和GaN基体。对GaN单结晶锭，在与生长方向平行的面处进行切片加工制作基体，由于位错走向平行于表面，形成低位错密度。将其作为晶种生长GaN。

公开(公告)号：CN1533593A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN03800646.4

申请日：2003-01-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  冈久拓司

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 一起使用ELO掩膜和缺陷种子掩膜的方法生长很少有位错的GaN晶体。ELO掩膜使得GaN晶体不能直接生长，但是能横向生长；缺陷种子掩膜使得缺陷集中的封闭缺陷聚集区域生长。材料SiN、SiON或SiO2中任一种用于ELO掩膜，同时Pt、Ni或Ti材料中任一种用于缺陷种子掩膜。蓝宝石、GaAs、尖晶石、Si、InP、SiC等单晶基片或其中在这些的单晶基片上涂覆GaN缓冲层的下层基片，补充地提供ELO掩膜和缺陷种子掩膜以及GaN被气相沉积。

公开(公告)号：CN1411035A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02145712.3

申请日：2002-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  弘田龙 ,  冈久拓司 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B23/002 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸面构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。

公开(公告)号：CN1992168B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竺井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN101925695A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200880125738.3

申请日：2008-12-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  中畑成二 ,  上村智喜

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明提供了Ⅲ族氮化物单晶锭、利用所述锭制造的Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法，其中降低了在长度延长生长时的裂纹发生率。所述制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法包括：腐蚀底部衬底的侧面的步骤，以及在底部衬底上外延生长侧面具有晶面的六方晶系Ⅲ族氮化物单晶的步骤。为了降低在长度延长生长时锭的裂纹发生率，有必要抑制在单晶外周上析出多晶或具有不同面取向的晶体。如上所述，通过在底部衬底的侧面上预先腐蚀去除加工变质层，在底部衬底上形成的Ⅲ族氮化物单晶锭的侧面上形成晶面，抑制了多晶或具有不同面取向的晶体的析出，从而降低了裂纹发生率。

公开(公告)号：CN101086963B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200710110258.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。