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公开(公告)号：CN103608310B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201280029318.1
申请日：2012-06-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: C01G9/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C04B35/443 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 导电性氧化物包含In、Al、选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素M以及O并且包含结晶质Al2MO4。导电性氧化物的制造方法包括：在将选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素设为M时，制备包含Al2O3粉末和MO粉末的第一混合物的工序(S10)；通过对第一混合物进行煅烧而制作结晶质Al2MO4粉末的工序(S20)；制备包含结晶质Al2MO4粉末和In2O3粉末的第二混合物的工序(S30)；通过对第二混合物进行成形而得到成形体的工序(S40)；以及对成形体进行烧结的工序(S50)。由此，可以提供廉价且适合用于溅射的靶而得到高物性的氧化物半导体膜的导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN101070127A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710103276.2
申请日：2007-05-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , B65H23/1806 , B65H2301/51 , B65H2301/51145 , B65H2555/24 , C25D7/0692 , C25D11/04 , C25D17/00 , Y10T428/2495
Abstract: 本发明公开一种输送机构，该输送机构具有基站，细长的基底材料(1)连续地输送入该基站从而以设定的速度接受物理或化学处理，离开该基站后，经处理的基底材料(1)被连续地回收，其中，沿与输送方向相反的方向的张力T1施加于该基站的输入侧，摩擦力F施加于该基站处，沿着输送方向的张力T2施加于该基站的回收侧，这些力都施加在基底材料(1)上，并且满足F＞T1＞T2的关系。可获得在连续输送细长基底材料的同时以高精度进行物理或化学处理的用于输送基底材料的输送机构，尤其获得一种抑制沿纵向方向的厚度偏差或者抑制在经处理基底材料添加机能的部分处出现表面损伤的输送机构。
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公开(公告)号：CN110062961B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201780076451.5
申请日：2017-07-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体器件，包括：栅电极；设置在栅电极的正下方或正上方的区域中的沟道层；设置为与沟道层接触的源电极和漏电极；以及设置在栅电极和沟道层之间的第一绝缘层，沟道层包括第一氧化物半导体，源电极和/或漏电极包括第二氧化物半导体，且第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包含In、W和Zn，W对In、W和Zn的总量的含量比高于0.001原子％并且不高于8.0原子％，Zn对In、W和Zn的总量的含量比高于1.2原子％并且不高于40原子％以及Zn与W的原子比率高于1.0并且低于20000。还提供一种制造该半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109476549B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780044470.X
申请日：2017-02-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结体，以及所述氧化物烧结体的制造方法。所述方法包括通过烧结含有In、W和Zn的成型体而形成所述氧化物烧结体的步骤，形成所述氧化物烧结体的步骤包括将所述成型体在选自500℃以上且1000℃以下的温度范围的恒定的第一温度下放置30分钟以上。
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公开(公告)号：CN110300738B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201780086578.5
申请日：2017-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相具有比所述第一晶相中的Zn含量更高的Zn含量，其中所述第二晶相包含具有3μm～50μm的平均长轴尺寸并具有1.5～50的平均长径比的粒子，所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，相对于In、W和Zn的总量的W的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，Zn的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且Zn对W的原子比为大于1.0且小于20000。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107001146B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201680003741.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相的锌的含量比所述第一晶相的锌的含量高，所述第二晶相包含平均长轴尺寸为3μm以上且50μm以下并且平均长径比为4以上且50以下的粒子。
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公开(公告)号：CN110312691A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201780086594.4
申请日：2017-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法，所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相在X射线衍射中在2θ大于34.74°且小于34.97°的位置处具有第一衍射峰，其中所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，相对于In、W和Zn的总量的W的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，Zn的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且Zn对W的原子比为大于1.0且小于20000。
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公开(公告)号：CN110300738A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201780086578.5
申请日：2017-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相具有比所述第一晶相中的Zn含量更高的Zn含量，其中所述第二晶相包含具有3μm～50μm的平均长轴尺寸并具有1.5～50的平均长径比的粒子，所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，相对于In、W和Zn的总量的W的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，Zn的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且Zn对W的原子比为大于1.0且小于20000。
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公开(公告)号：CN110062961A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201780076451.5
申请日：2017-07-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体器件，包括：栅电极；设置在栅电极的正下方或正上方的区域中的沟道层；设置为与沟道层接触的源电极和漏电极；以及设置在栅电极和沟道层之间的第一绝缘层，沟道层包括第一氧化物半导体，源电极和/或漏电极包括第二氧化物半导体，且第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包含In、W和Zn，W对In、W和Zn的总量的含量比高于0.001原子％并且不高于8.0原子％，Zn对In、W和Zn的总量的含量比高于1.2原子％并且不高于40原子％以及Zn与W的原子比率高于1.0并且低于20000。还提供一种制造该半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN105899472B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201580003932.4
申请日：2015-04-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/62218 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包括铟、钨以及锌和锡中的至少一种，且包括复合氧化物晶相作为晶相，所述复合氧化物晶相包括钨以及锌和锡中的至少一种；提供了一种半导体器件(10)，所述半导体器件(10)包括通过使用氧化物烧结体作为靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜(14)。
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