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公开(公告)号：CN100382246C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200480001390.9
申请日：2004-04-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/266 , H01L21/046 , H01L21/0465
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种使以高能量加速离子而进行的离子注入成为可能的、且能够向半导体基板(1、101)特别是SiC半导体基板以选择区域的方式简便地进行足够深度的杂质注入的半导体装置的制造方法。为此，本发明的半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板(101)的表面上形成包含聚酰亚胺树脂膜(2)，或者包含SiO2膜(107a、107b)和金属薄膜(105)的掩膜层的工序；和进行杂质离子的注入的工序。
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公开(公告)号：CN101076882A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580042524.6
申请日：2005-09-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 藤川一洋
IPC: H01L21/337 , H01L29/808
CPC classification number: H01L29/812 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66901 , H01L29/808
Abstract: 本发明提供一种双向场效应晶体管和使用该晶体管的矩阵转换器，其中可以借助单个器件控制双向流动的电流。该双向场效应晶体管包括：半导体衬底(1)；栅极区域，其设置在半导体衬底(1)上，具有平行于衬底(1)的主表面的沟道和用于控制沟道导电性的栅电极；第一区域，其设置在沟道的第一侧上；和第二区域，其设置在沟道的第二侧上；其中可以通过施加到栅电极(13a)的栅电压，来控制从第一区域的第一电极(11a)经过该沟道流到第二区域的第二电极(12a)的正向电流和从第二电极(12a)经过该沟道流到第一电极(11a)的反向电流。
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公开(公告)号：CN1774815A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480009832.4
申请日：2004-05-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/808 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66901 , H01L29/0634 , H01L29/1608 , H01L29/808
Abstract: 在SiC单晶衬底(1)上，形成电场驰豫层(12)和p－型缓冲层(2)。电场驰豫层(12)被形成在p－型缓冲层(2)和SiC单晶衬底(1)之间，以使它与SiC单晶衬底(1)接触。在p－型缓冲层(2)上，形成n型半导体层(3)。在n型半导体层(3)上，形成p型半导体层(10)。在p型半导体层(10)上，n+型源极区域层(4)和n+型漏极区域层(5)彼此以预定的距离分开形成。在位于n+型源极区域层(4)和n+型漏极区域层(5)之间的p型半导体层(10)的区域的一部分上，形成p+型栅极区域层(6)。
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公开(公告)号：CN1620730A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02828201.9
申请日：2002-12-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/808 , H01L21/337
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/42316 , H01L29/66893 , H01L29/808
Abstract: 本发明涉及横型接合型场效应晶体管及其制造方法。采用本横型接合型场效应晶体管后，在第3半导体层(13)中的源/漏区层(6、8)之间，跨越第2半导体层(12)及第3半导体层(13)，设置下面延伸到第2半导体层(12)、包含p型杂质的浓度高于第2半导体层的杂质浓度的第1栅电极层(18A)。另外，设置与第1栅电极层(18A)具有大致相同的杂质浓度，而且具有相同电位的第2栅电极层(18B)。其结果，可以提供具有在维持良好的耐压性的同时，还可以降低ON电阻的结构的横型接合型场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN106030883A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008646.7
申请日：2015-02-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01M8/18 , H01M8/20 , H01M8/04186
CPC classification number: H01M8/04276 , H01M8/04186 , H01M8/04544 , H01M8/04604 , H01M8/04746 , H01M8/188 , H01M8/20 , Y02E60/528
Abstract: 本发明提供一种抑制电解液的过充电或过放电的氧化还原液流电池系统以及氧化还原液流电池的工作方法。本发明的氧化还原液流电池系统具备：泵，对电池单元循环供给电解液；泵控制部，控制所述泵的流量；以及测定部，对选自以下参数中的至少两个参数进行测定，这些参数是供给至所述电池单元的所述电解液的入口侧充电状态、从所述电池单元排出的所述电解液的出口侧充电状态以及输入至所述电池单元或从所述电池单元输出的充放电电流；所述泵控制部具有：泵流量运算部，从由所述测定部测定出的参数算出所述电池单元的充放电效率，并且基于该充放电效率，以从所述电池单元排出的所述电解液不会过充电或过放电的方式来决定所述泵的流量；以及泵流量命令部，对所述泵设定由所述泵流量运算部所决定的流量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102934358B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180021998.8
申请日：2011-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明的一实施方式的开关电路具备：N个开关元件；包含串联连接的N-1个第1电感元件的连接电路；第2电感元件；及N个第3电感元件。N个开关元件的控制端子分别连接于连接电路的两端及连接接点。第2电感元件的一端连接于电源。N个第3电感元件分别电连接N个开关元件的一端与第2电感元件的另一端。
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公开(公告)号：CN103907275A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052673.0
申请日：2012-10-18
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明的实施例的晶体管保护电路10是一种用于保护电压驱动晶体管20的晶体管保护电路，该电压驱动晶体管20是通过由驱动电路将电源40的高电位侧电压或低电位侧电压施加至该晶体管的栅极端子而受开关控制。该晶体管保护电路10具有电源控制器12，该电源控制器12在接收到用于执行保护晶体管的保护命令之后逐渐降低电源40的高电位侧电压。
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公开(公告)号：CN103548265A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024710.7
申请日：2012-04-02
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
IPC: H03K17/04 , H03K17/687
Abstract: 一实施方式的开关电路(10)包括至少一个具有输入端子(21)、输出端子(22)及公共端子(23)的半导体开关元件，且其通过对输入端子与公共端子之间施加脉冲状信号而开关输出端子与公共端子之间的电流。该开关电路具备电容抑制元件部(50)，其连接在输入端子与输出端子之间、输入端子与公共端子之间及输出端子与公共端子之间的至少一个，且电容抑制元件部使连接有电容抑制元件部的半导体开关元件的端子间的寄生电容比在脉冲状信号的时钟频率的N倍(N为1以上的整数)的频率下未连接电容抑制元件部的情况更低。
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公开(公告)号：CN102934358A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180021998.8
申请日：2011-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人丰桥技术科学大学
Abstract: 本发明的一实施方式的开关电路具备：N个开关元件；包含串联连接的N-1个第1电感元件的连接电路；第2电感元件；及N个第3电感元件。N个开关元件的控制端子分别连接于连接电路的两端及连接接点。第2电感元件的一端连接于电源。N个第3电感元件分别电连接N个开关元件的一端与第2电感元件的另一端。
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公开(公告)号：CN102782823A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011867.1
申请日：2011-10-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/337 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/808
CPC classification number: H01L29/36 , H01L21/02447 , H01L21/02502 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/808
Abstract: 缓冲层（31）设置在衬底（30）上，由包含杂质的碳化硅制成，并且具有大于1μm且小于7μm的厚度。漂移层（32）设置在缓冲层（31）上，并且由具有比缓冲层（31）的杂质浓度小的杂质浓度的碳化硅制成。以此方式，能够提供一种包括具有所期望的杂质浓度和高结晶性的漂移层（32）的碳化硅半导体器件。
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