公开(公告)号：CN1582090A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056240.X

申请日：2004-08-05

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐佐木圭一 ,  上市真人 ,  查伍德·乌里·埃尔沙德·阿里 ,  早川幸宏

IPC: H05K3/02 ,  H05K3/06 ,  H05K3/28 ,  H05K1/09

CPC classification number: H05K1/167 ,  B41J2/14072 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1643 ,  B41J2/1646 ,  H05K1/09 ,  H05K3/06 ,  H05K3/067 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2203/0361

Abstract: 提供一种电路基板的制造方法。为了提供在布线的边缘部由保护层和耐空穴化膜获得的台阶覆盖性良好的电路基板及使用它的液体喷射头，本发明在基板的绝缘性表面上形成多个具有电阻层、以及在该电阻层上以规定的间隔形成的一对电极的元件，其特征在于具有下列工序：在上述电阻层上形成上述铝电极布线层的工序；通过对上述电极布线层进行干刻蚀，分离成每个元件的工序；以及用包含磷酸、硝酸、以及与布线金属形成络合物的螯合剂的刻蚀液，将电极布线部的剖面形状加工成锥形的工序。

公开(公告)号：CN1541048A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410031500.8

申请日：2004-03-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐佐木圭一 ,  上市真人 ,  艾尔沙德·A·超得亨利 ,  早川幸宏

IPC: H05K3/02 ,  H05K1/09 ,  H05K3/22 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01C17/065 ,  H01C17/281 ,  H05K1/167 ,  H05K3/02 ,  Y10T29/49126

Abstract: 本发明的课题是提供发热元件上的保护层和耐气蚀膜的覆盖性良好且在耐久性方面良好的液体喷出装置用的电路基板及其制造方法。解决办法是，对布线材料层的表面部分进行表面处理，使其刻蚀速度比形成布线材料层的材料的刻蚀速度快。上述表面处理最好是将布线材料层的表面部分形成为形成布线材料层的材料的氟化物、氯化物、氮化物的至少一种的处理。

公开(公告)号：CN1371134A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN01145787.2

申请日：2001-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下津佐峰生 ,  藤田桂 ,  早川幸宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L35/00 ,  H01L21/00 ,  B41J2/01 ,  B41J2/05 ,  B41J2/07

CPC classification number: H01L29/7816 ,  B41J2/14072 ,  B41J2202/13 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66674 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件,包括,集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件,转换器件是绝缘栅型FET,每个晶体管包括:在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区;与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区;在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区;在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区;和在沟道区上形成的多个栅电极,之间设有栅绝缘膜;第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区;并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。