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公开(公告)号：CN103424981A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182377.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。在透明衬底(1)上层叠有半色调相移膜(2)和遮光膜(3)。遮光膜(3)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，半色调相移膜(2)由氮氧化硅钼构成。由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。
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公开(公告)号：CN101650527B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910160207.4
申请日：2009-07-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 灰色调掩模坯，其在透明基板上，由具有互不相同的蚀刻特性的膜形成半透光膜和遮光膜，半透光膜及遮光膜在曝光光的波长下的反射率均小于等于30％，形成在比曝光光的波长长的波长侧的规定波长下的半透光膜和遮光膜的反射率差，使其大于在曝光光的波长下的反射率差，并且半透光膜和遮光膜在制成灰色调掩模时，通过从灰色调掩模的正反面的任一侧对半透光部和遮光部照射上述规定波长的光，根据两者的反射率差能识别半透光部和遮光部。即便是在用半透光膜和遮光膜形成制品加工标识和制品信息标识的情况下，也能通过除去遮光膜或半透光膜中任一个的一方的平版印刷工序形成标识，能形成利用规定的读取波长的光，可利用反射光读取的标识。
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公开(公告)号：CN112946992A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110229575.0
申请日：2015-09-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/20 , G03F1/50 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及光掩模坯。本发明提供一种适于制备光掩模的光掩模坯的制造方法，所述光掩膜用于20nm以下结点的光刻法，该光掩模坯包括石英基板和在该石英基板上形成的铬系材料膜，该铬系材料膜为遮光膜并具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力，其中该制造方法包括如下步骤：通过使用铬靶和惰性气体与反应气体作为溅射气体在所述反应气体与所述惰性气体的流量比为1～2的条件下进行溅射，从而在具有152mm见方尺寸和6.35mm厚度的石英基板上形成具有至少0.050/nm的在波长193nm下的每单位膜厚度的光学密度的铬系材料膜。
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公开(公告)号：CN104698738B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201410738666.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104280998B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201410314410.3
申请日：2014-07-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料的制造方法及光掩模坯料，提高构成光掩模坯料的光学膜的特性的面内均一性。在腔室(50)内将在主面形成有光学膜(20)的石英基板(10)载置于基座(30)上。在灯罩(90)内收纳有闪光灯(60)，闪光通过2个石英板(70a、70b)而向光学膜(20)照射。在2个石英板(70a、70b)中的石英板(70b)的表面形成有透射率调整区域(80)，向光学膜(20)照射的光量在面内具有分布。如果对光学膜(20)照射闪光，则该光学膜(20)的光学特性依赖于接受到的照射能量而变化，因此，例如在成膜后的光学膜的特性在面内具有不均一分布的情况下，如果向光学膜照射具有消除这些的照射能量分布的闪光，则可以提高光学膜的特性的面内均一性。
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公开(公告)号：CN103424986B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201310182369.4
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: B29C33/3842 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C15/00 , C03C17/00 , C03C17/23 , C03C17/3665 , C04B35/047 , C04B35/105 , C04B35/12 , C04B35/56 , C04B35/58 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及模具制作用坯料及模具的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的硬掩模膜的硬掩模功能的同时通过提高该硬掩模膜的干蚀刻速度来提高蚀刻加工性的新技术。设置在衬底(1)上的硬掩模膜(2)由含有锡的铬系材料形成。对于构成硬掩模膜(2)的含有锡的铬系材料而言，对氟类干蚀刻条件的蚀刻耐性与不含锡的铬系材料膜的蚀刻耐性同等或者在其以上，而且在氯类干蚀刻条件下显示出与不含锡的铬系材料膜相比显著高的蚀刻速度。结果，氟类干蚀刻的时间缩短而减轻对抗蚀剂图案的损伤，能够以高精度进行图案转印。
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公开(公告)号：CN103424981B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201310182377.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。在透明衬底(1)上层叠有半色调相移膜(2)和遮光膜(3)。遮光膜(3)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，半色调相移膜(2)由氮氧化硅钼构成。由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。
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公开(公告)号：CN103424984A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182559.6
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/62
CPC classification number: C23C14/0641 , C23C14/0676 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/352 , G03F1/00 , G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F7/20 , H01J37/34 , H01J37/3426 , H01J37/3429
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置。本发明提供光学浓度等特性的偏差小且缺陷少品质高、并且具有高蚀刻速度的功能性膜的制造技术。本发明的光掩模坯料的制造方法中，在制造透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料时，功能性膜由含有铬元素和与铬的混合体系成为液相的温度为400℃以下的金属元素的铬系材料构成，在形成该功能性膜的工序中，使铬靶(靶A)和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶(靶B)同时溅射(共溅射：Co-Sputtering)。另外，除了可以采用上述靶A和靶B各使用一个的方式以外，还可以采用其中任意一种靶使用多个的方式或两种靶都使用多个的方式。
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公开(公告)号：CN102929096A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210412083.6
申请日：2009-07-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 灰色调掩模坯，其在透明基板上，由具有互不相同的蚀刻特性的膜形成半透光膜和遮光膜，半透光膜及遮光膜在曝光光的波长下的反射率均小于等于30%，形成在比曝光光的波长长的波长侧的规定波长下的半透光膜和遮光膜的反射率差，使其大于在曝光光的波长下的反射率差，并且半透光膜和遮光膜在制成灰色调掩模时，通过从灰色调掩模的正反面的任一侧对半透光部和遮光部照射上述规定波长的光，根据两者的反射率差能识别半透光部和遮光部。即便是在用半透光膜和遮光膜形成制品加工标识和制品信息标识的情况下，也能通过除去遮光膜或半透光膜中任一个的一方的平版印刷工序形成标识，能形成利用规定的读取波长的光，可利用反射光读取的标识。
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