公开(公告)号：CN101010631A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029571.7

申请日：2005-08-10

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  稻月判臣 ,  木名濑良纪 ,  冈崎智 ,  原口崇 ,  岩片政秀 ,  高木干夫 ,  福岛祐一 ,  佐贺匡

IPC: G03F1/08 ,  G03F1/14 ,  C23F4/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: C23F4/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

Abstract: 在光掩模基板11的一个主面上具备金属膜作为遮光层12，所述金属膜不被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类干蚀刻)实质性地蚀刻、而且可以被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类干蚀刻)及氟类干蚀刻(F类干蚀刻)蚀刻。然后在该遮光层12上具有金属化合物膜作为防反射层13，所述金属化合物膜不会被不含氧的氯类干蚀刻(Cl类)实质性地蚀刻、而且可以被含氧的氯类干蚀刻((Cl+O)类)或氟类干蚀刻(F类)中的至少一种蚀刻。

公开(公告)号：CN107153325B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN201710120181.5

申请日：2017-03-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 高坂卓郎 ,  稻月判臣 ,  金子英雄

IPC: G03F1/54 ,  G03F1/46

Abstract: 提供光掩模坯，其包括透明基板和其上设置的遮光膜。该遮光膜由单层或多层构成，该单层或多层包括遮光层，该遮光层含有Si和N，基于Si和N的合计，具有3‑50at％的N含量，不含过渡金属。

公开(公告)号：CN114924460A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210025135.8

申请日：2016-08-31

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/32

Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。

公开(公告)号：CN114167680A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111052720.9

申请日：2021-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  寺泽恒男 ,  高坂卓郎 ,  金子英雄 ,  西川和宏

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底，其制造方法和EUV掩模坯料。具有多层反射膜的衬底包括衬底和形成在衬底上的多层反射膜。多层反射膜包括其中Si层与Mo层交替层叠的Si/Mo层叠部，在Si/Mo层叠部的Si层与Mo层之间的一个或多个部分插入有含有Si和N的层，其与Si层和Mo层都接触。

公开(公告)号：CN113341644A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110229567.6

申请日：2021-03-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 稻月判臣 ,  高坂卓郎 ,  寺泽恒男

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/68 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及反射型掩模坯料的制造方法及反射型掩模坯料。通过溅射法制造了一种反射型掩模坯料，其包括基底、多层反射膜和吸收体膜，该多层反射膜由至少两个第一层和至少两个第二层构成，该第一层和第二层交替层叠，且具有彼此不同的光学特性。通过由第一阶段和第二阶段组成的两个阶段来形成每个层，其中从每个层的形成开始时到形成规定厚度为止施加第一阶段，且从形成规定厚度开始到每个层的形成结束为止施加第二阶段；以及将第一阶段的溅射压力设定为高于刚形成层的形成结束时的溅射压力和第二阶段的溅射压力二者。

公开(公告)号：CN112946992A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110229575.0

申请日：2015-09-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 深谷创一 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/20 ,  G03F1/50 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 本发明涉及光掩模坯。本发明提供一种适于制备光掩模的光掩模坯的制造方法，所述光掩膜用于20nm以下结点的光刻法，该光掩模坯包括石英基板和在该石英基板上形成的铬系材料膜，该铬系材料膜为遮光膜并具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力，其中该制造方法包括如下步骤：通过使用铬靶和惰性气体与反应气体作为溅射气体在所述反应气体与所述惰性气体的流量比为1～2的条件下进行溅射，从而在具有152mm见方尺寸和6.35mm厚度的石英基板上形成具有至少0.050/nm的在波长193nm下的每单位膜厚度的光学密度的铬系材料膜。

公开(公告)号：CN106406022B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201610597860.7

申请日：2016-07-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  深谷创一 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/20 ,  G03F1/68

Abstract: 本发明涉及光掩模坯和制备光掩模的方法。在包括透明基材、电阻层和导电层的光掩模坯中，选择该导电层的电阻率和厚度与该电阻层的电阻率和厚度以满足特定的式(1)。在EB光刻中，能够以必要的充分低的电阻值建立接地并且能够以高精度进行EB写入。

公开(公告)号：CN112505999A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010951398.2

申请日：2020-09-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 寺泽恒男 ,  金子英雄 ,  稻月判臣 ,  高坂卓郎

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80 ,  G03F1/72

Abstract: 本发明涉及一种反射性掩模坯料的制造方法、反射性掩模坯料和反射性掩模的制造方法。具体涉及一种反射性掩模坯料，其包括衬底、从衬底侧依次形成在衬底的一个主表面上的用于EUV光反射的多层反射膜、保护膜和用于EUV光吸收的吸收体膜以及导电膜。在衬底的其他主表面上形成坐标参比标记时，在另一主表面上形成坐标参比标记。

公开(公告)号：CN104698738B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201410738666.7

申请日：2014-12-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 笹本纮平 ,  稻月判臣 ,  深谷创一 ,  中川秀夫 ,  金子英雄

IPC: G03F1/54 ,  G03F1/80 ,  G03F1/26

Abstract: 本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。

公开(公告)号：CN104280998B

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201410314410.3

申请日：2014-07-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 深谷创一 ,  稻月判臣

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料的制造方法及光掩模坯料，提高构成光掩模坯料的光学膜的特性的面内均一性。在腔室(50)内将在主面形成有光学膜(20)的石英基板(10)载置于基座(30)上。在灯罩(90)内收纳有闪光灯(60)，闪光通过2个石英板(70a、70b)而向光学膜(20)照射。在2个石英板(70a、70b)中的石英板(70b)的表面形成有透射率调整区域(80)，向光学膜(20)照射的光量在面内具有分布。如果对光学膜(20)照射闪光，则该光学膜(20)的光学特性依赖于接受到的照射能量而变化，因此，例如在成膜后的光学膜的特性在面内具有不均一分布的情况下，如果向光学膜照射具有消除这些的照射能量分布的闪光，则可以提高光学膜的特性的面内均一性。