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公开(公告)号：CN104698738A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410738666.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。
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公开(公告)号：CN103424983A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182144.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。
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公开(公告)号：CN103424980A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182376.4
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。设置在透明衬底(1)上的遮光膜(2)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，该遮光膜(2)的光学浓度为2以上且4以下并且具有防反射功能。构成遮光膜(2)的由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。
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公开(公告)号：CN111308851B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201911264530.6
申请日：2019-12-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造光掩模的方法。该光掩模坯料用于在通过具有波长为至多250nm的曝光光的图案转印中使用的光掩模的材料，包括透明衬底、在衬底上直接形成的或者以在透明衬底和含铬膜之间插入光学膜的方式形成的含铬膜。含铬膜包括区域(A)，所述区域(A)由含有铬、氧和碳的铬化合物组成，其中在铬化合物中含有的每种元素的含量在区域(A)的厚度方向上连续变化，并且朝向衬底，铬含量提高并且碳含量降低。
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公开(公告)号：CN114326285A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210025041.0
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114326284A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210025028.5
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。
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公开(公告)号：CN106502041A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610788932.6
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 笹本纮平
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的10％～70％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N含量≥80at％，O含量≤10at％。
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公开(公告)号：CN106406022A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610597860.7
申请日：2016-07-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光掩模坯和制备光掩模的方法。在包括透明基材、电阻层和导电层的光掩模坯中，选择该导电层的电阻率和厚度与该电阻层的电阻率和厚度以满足特定的式(1)。在EB光刻中，能够以必要的充分低的电阻值建立接地并且能够以高精度进行EB写入。
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