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公开(公告)号：CN109388021A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810863232.8
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种可形成有机膜的有机膜形成用组合物，该有机膜能够通过使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地与已因干蚀刻而改性的硅成分残渣一并湿式去除。所述有机膜形成用组合物包含高分子化合物与有机溶剂，该高分子化合物具有由下述通式(1)～(4)表示的重复单元中的任意1种以上，在该有机溶剂中，选自丙二醇酯、酮及内酯中的1种以上的合计占超过全部有机溶剂中的30wt％的量。[化学式1]
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公开(公告)号：CN108693713A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275797.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C07C39/14 , C07C39/17 , C07C69/94 , C07C2603/18 , C07D251/32 , C07D487/04 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F2220/281 , C08F2800/20 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料、使用了该抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)下述通式(X)表示的化合物中的一种或两种以上；以及，(B)有机溶剂。[化学式1] 式中，n01表示1～10的整数，n01为2时，W表示亚硫酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数为2～50的二价有机基团，n01为2以外的整数时，W表示碳原子数为2～50的n01价有机基团。此外，Y表示单键或碳原子数为1～10的可包含氧原子的二价连接基团。
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公开(公告)号：CN108693705A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275395.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/11 , C07C39/14 , C07C39/15 , C07C49/83 , C07C2603/18 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F2220/283 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)包含下述通式(1)表示的重复单元中的一种或两种以上的聚合物(1A)；(A2)式量为2,000以下的、不具有3,4‑二羟基苯基的多酚化合物中的一种或两种以上；以及(B)有机溶剂。[化学式1]
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公开(公告)号：CN100419970C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410028268.2
申请日：2004-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/768 , B32B25/20
CPC classification number: C08G77/50 , C08J5/18 , C08J2383/04 , C09D183/14 , Y10T428/31663
Abstract: 使用常规的半导体工艺，提供一种可以形成多孔膜的涂布液，所述的多孔膜具有要求可控的厚度和优良的介电和力学性质。特别是，提供一种形成多孔膜的组合物，所述的组合物包括缩合产物和有机溶剂，其中在碱性催化剂存在下通过一种或多种由通式(1)：R1kSi(OR2)4-k代表的硅烷化合物，和一种或多种由通式(2)：{Xj(Y)3-jSi-(L)m-}nMZ4-n代表的交联剂的水解和缩合得到缩合产物。而且，提供了制造多孔膜的方法，包括施加所述组合物的步骤以便形成膜，干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜，也提供了其它的信息。
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公开(公告)号：CN100381526C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410031386.9
申请日：2004-03-26
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1542071A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031386.9
申请日：2004-03-26
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1501454A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310114943.9
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/312 , C09D183/04
CPC classification number: H01L23/5222 , C08K3/34 , C08L83/02 , C09D183/04 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , Y10T428/249953 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种成膜用组合物，该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且该膜可容易地变薄；本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说，多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R1)nSi(OR2)4－n表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤；随后的干燥步骤；和多孔性形成步骤。
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公开(公告)号：CN115586699B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202210791887.5
申请日：2022-07-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、使用其的密合膜的形成方法、及使用了密合膜形成材料的图案形成方法。本发明的问题为提供一种在利用半导体装置制造步骤中的多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中，供予具有和抗蚀剂上层膜的高密合性，且具有抑制微细图案崩塌的效果同时可形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、使用了该材料的图案形成方法、及该密合膜的形成方法。该问题的解决手段为一种密合膜形成材料，是形成于含硅的中间膜和抗蚀剂上层膜之间的密合膜的密合膜形成材料，其特征在于含有：(A)具有下述通式(1)表示的结构单元的树脂，(B)含有一种以上的下述通式(2)表示的化合物的交联剂，(C)光酸产生剂，及(D)有机溶剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112286000B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202010710472.1
申请日：2020-07-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及图案形成方法。本发明的课题为提供可形成LWR、CDU优良的抗蚀剂图案的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用该组合物的图案形成方法。该课题的解决方法为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有：包含通式(Sx‑1)、(Sx‑2)及(Sx‑3)所示的部分结构中的任一种以上的热固化性含硅的材料、及通式(P‑0)所示的化合物。[化1]#imgabs0#。
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公开(公告)号：CN112180686B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010637312.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , G03F1/56 , G03F1/76
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物。本发明的课题为提供可形成不仅在钝性气体中的成膜条件仍会固化，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且升华物少且对基板的成膜性良好的有机膜的聚合物、以及含有该聚合物的有机膜形成用组合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]#imgabs0#该通式(1)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，W1为具有三键的特定部分结构，且也可组合使用2种以上的W1，W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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