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公开(公告)号：CN102945788B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110234741.2
申请日：2011-08-16
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提出一种遮蔽装置，包括：遮蔽盘；托盘，用于承载遮蔽盘，且托盘之中设置有至少一个传感器，所述至少一个传感器用于检测遮蔽盘的状态；和转轴，所述转轴与托盘相连以带动托盘在空余位置和遮蔽位置之间移动。本发明还提出一种半导体处理设备。根据本发明的遮蔽装置能够准确检测遮敝盘在水平面上的任何方向上是否发生偏移，同时能够准确检测遮敝盘是否置于托盘上，还能够防止误判的发生。根据本发明的半导体处理设备，防止遮蔽盘错位对设备带来的损害，防止事故的发生，提高设备安全性。
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公开(公告)号：CN103849848A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210495442.9
申请日：2012-11-28
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3444
Abstract: 本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括：反应腔室；基片支撑部件，所述基片支撑部件设置在所述反应腔室的底部且与所述溅射靶材相对；直流电源，所述直流电源耦接于所述溅射靶材；射频电源，所述射频馈入部件耦接于所述溅射靶材，所述射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条，所述分配环与所述射频电源耦接，所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅射靶材。根据本发明实施例的物理气相沉积装置，降低了在靶材上产生的负偏压，进而减小了对基片或晶圆产生的损伤，且明显提高了沉积速率，从而提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN103088288A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110343642.8
申请日：2011-11-03
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
CPC classification number: C23C14/541 , C23C16/46
Abstract: 本发明公开了基片处理设备及其腔室装置。所述腔室装置包括：腔室本体，其内限定有处理腔室；加热部件，设在所述处理腔室内的顶部；支承台，设在所述处理腔室内用于支撑基片，支承台的上表面与加热部件相对；匀热板，设在处理腔室内且位于石英窗与支承台之间；和透明介质窗，透明介质窗位于加热部件与匀热板之间，透明介质窗的外周沿与腔室本体的内周壁相连以将处理腔室隔成加热部件所处的上部腔室和匀热板所处的用于对基片进行处理的下部腔室。根据本发明实施例的腔室装置，可以将由加热灯产生的热均匀化后再通过热辐射、热对流等方式传导给基片，因此可以实现对基片的均匀加热。
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公开(公告)号：CN102485935A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010585727.2
申请日：2010-12-06
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/02 , C30B33/02 , H01L21/203
CPC classification number: C23C16/46 , C23C14/02 , H01L21/67103
Abstract: 本发明提供一种均热板及应用该均热板的基片处理设备，其中，上述均热板包括中心子均热板和至少一个位于中心子均热板外围的外环子均热板，并且在中心子均热板与外环子均热板之间以及在相邻的两个外环子均热板之间均具有隔热部，借助该隔热部能够有效阻止或降低相邻的子均热板之间的热传导。本发明所提供的均热板及应用该均热板的基片处理设备能够有效补偿基片边缘区域的热损失，从而使基片各区域的升温速度保持一致。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103849848B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210495442.9
申请日：2012-11-28
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3444
Abstract: 本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括：反应腔室；基片支撑部件，所述基片支撑部件设置在所述反应腔室的底部且与所述溅射靶材相对；直流电源，所述直流电源耦接于所述溅射靶材；射频电源，所述射频馈入部件耦接于所述溅射靶材，所述射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条，所述分配环与所述射频电源耦接，所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅射靶材。根据本发明实施例的物理气相沉积装置，降低了在靶材上产生的负偏压，进而减小了对基片或晶圆产生的损伤，且明显提高了沉积速率，从而提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN103094156B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110349863.6
申请日：2011-11-03
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了基片处理设备及其腔室装置和基片加热方法。所述腔室装置包括：腔室本体，其内限定有处理腔室；设在所述处理腔室内的顶部的加热部件；设在所述处理腔室内用于支承基片的支承台，支承台的上表面与加热部件相对；和匀热板，匀热板在等待位置和匀热位置之间可移动，其中在匀热位置匀热板位于加热部件与支承台之间而在等待位置匀热板离开加热部件与支承台之间。根据本发明实施例的腔室装置，可以将由加热部件产生的热均匀化后再通过热辐射、热对流等方式传导给基片，因此可以实现对基片的均匀加热。
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公开(公告)号：CN102465268B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201010538417.5
申请日：2010-11-08
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提出一种磁控源，包括：靶材；磁控管，所述磁控管位于所述靶材上方；和扫描机构，所述扫描机构与磁控管相连以控制所述磁控管围绕所述靶材的中心转动，且所述扫描机构以预设步长阶段性地调整所述磁控管的转动半径，其中，在每个阶段所述扫描机构控制所述磁控管的转动圈数和/或转速以在所述每个阶段对所述靶材刻蚀至预设深度。用户可以通过本发明中对磁控管运动方式的控制实现对磁控管运行轨迹的灵活控制，进而提高靶材利用率和金属离化率。
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公开(公告)号：CN104112640A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201310131017.6
申请日：2013-04-16
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 文莉辉
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射设备及磁控溅射方法，其包括反应腔室、溅射电源和驱动源，在反应腔室内的顶部设置有靶材，溅射电源与靶材电连接，用以在磁控溅射过程中向靶材输出溅射功率；在反应腔室内，且位于靶材的下方设置有基座，用以承载被加工工件；驱动源用于驱动基座上升或下降；而且，磁控溅射设备还包括控制单元，控制单元用于在磁控溅射的过程中控制驱动源驱动基座上升，以使靶材与基座的间距始终保持预定值不变。本发明提供的磁控溅射设备，其通过借助控制单元在磁控溅射的过程中控制驱动源驱动基座上升，以使靶材与基座的间距始终保持预定值不变，可以实现使靶材与基座的间距始终保持在最优值，从而可以提高薄膜均匀性和沉积速率。
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公开(公告)号：CN102534473A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010591783.7
申请日：2010-12-08
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/02
Abstract: 本发明提供一种加热装置，用于在基片处理设备中对基片进行加热，该加热装置包括多个加热灯及用于安装多个加热灯的安装板，以及与上述安装板相连接的旋转机构，该旋转机构用于驱动安装板进行旋转运动，从而实现对基片的快速、均匀加热。此外，本发明还提供一种应用上述加热装置的基片处理设备。
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