-
公开(公告)号：CN103540904B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310481726.7
申请日：2013-10-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制备T相BiFeO3薄膜的方法。该方法包括：步骤A，制备BiFeO3材料的溅射靶；步骤B，将六角对称的(0001)取向的蓝宝石衬底和溅射靶分别放入射频溅射系统的沉积腔的适当位置，对沉积腔抽本底真空；步骤C，向沉积腔内通入氧气和氩气，加热蓝宝石衬底至500～750℃；步骤D，调节溅射功率介于50～300W之间，以Ar+及O2+的混合离子束作为离子源轰击溅射靶，在蓝宝石衬底上沉积薄膜；以及步骤E，在溅射完成之后，将蓝宝石衬底的温度降到室温后从沉积腔内取出，在其上得到T相BiFeO3薄膜。本发明步骤简单，易于实现大面积生长制备，有利于促进T相BiFeO3在未来的大规模推广应用。
-
公开(公告)号：CN102459693A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080029199.0
申请日：2010-05-12
Applicant: CV控股有限责任公司
IPC: C23C16/30 , H01L21/205 , C23C16/50 , C23C16/24 , C23C14/40
Abstract: 在此提供了用于通过PECVD涂覆基底表面的一种方法，该方法包括从包括一种有机硅前体以及任选地O2的一种气态反应物产生一种等离子体。通过设置该气态反应物中O2与该有机硅前体的比率，和/或通过设置用于产生该等离子体所使用的电功率来设置该涂层的润滑性、疏水性和/或阻挡特性。具体地，提供了通过所述方法制造的一种润滑涂层。还提供了用所述方法涂覆的容器以及这些容器用于保护被容纳或接收在所述涂覆容器中的一种化合物或组合物免受该未涂覆容器材料的表面的机械和/或化学作用的用途。
-
公开(公告)号：CN100480418C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510040805.X
申请日：2005-06-28
Applicant: 江苏大学
Abstract: 一种射频磁控溅射制备ZrW2O8/ZrO2薄膜的方法，包括磁控溅射靶材的制备，单晶Si(100)基片按常规工艺进行表面活化处理；磁控溅射工艺过程以及薄膜的后热处理，该发明主要是通过技术上的革新，使得合成ZrW2O8/ZrO2复合薄膜过程简单，易实现，此外，还具有ZrW2O8/ZrO2复合薄膜合成时间缩短的特点。其专利的实现，可为该复合薄膜在微结构设计中的工业应用提供技术支持。
-
公开(公告)号：CN1495283A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03147073.4
申请日：2003-09-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/40
CPC classification number: H01J37/08 , H01F29/14 , H01J37/24 , H01J37/32082 , H01J37/32183 , H01J37/32357 , H01J2237/31 , H05H1/46
Abstract: 提供一种较容易地再生成等离子体的真空装置。使用于本发明的真空装置(1)中的匹配箱(2)，通过改变可变电感元件(31)、(35)的电感值，就能改变阻抗。由于可变电感元件(31)、(35)的电感值可以通过控制直流电源的大小来进行控制，因此能高速地进行匹配工作。
-
公开(公告)号：CN104233202B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201310224035.9
申请日：2013-06-06
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属薄膜的制作方法及装置，该方法包括：在真空的射频腔体内通入预设体积的惰性气体；将第一次溅射沉积操作后形成的第一物质传入射频腔体，其中第一物质表面包含第一金属薄膜和第一氧化薄膜，第一金属薄膜的厚度小于标准厚度，第一氧化薄膜形成在第一金属薄膜的表面；向射频腔体施加预设射频功率的电源以去除第一氧化薄膜获得第二物质；将第二物质通过真空的传输腔体传入真空的溅射沉积腔体，对第二物质进行第二次溅射沉积操作在第二物质表面形成第二金属薄膜，其中第一金属薄膜和第二金属薄膜的总厚度为标准厚度。本申请通过上述方法，解决了现有技术中补充沉积的金属薄膜与已有金属薄膜之间存在断层的技术问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104099576B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410313488.3
申请日：2014-07-02
Applicant: 江苏科技大学
Abstract: 本文发明公开了一种硬质薄膜及其制备方法，该薄膜是以纯W靶、纯Cu靶和纯Cr靶为靶材，利用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上，薄膜分子式为W2N-Cu，其中W含量为85at.％-100at.％，Cu含量为0at.％-15at.％，薄膜厚度在1-3μm。沉积时,真空度优于3.0×10-3Pa,以氩气起弧，氮气为反应气体，氩氮流量比10:(6-15)，溅射气压0.3Pa。该方法生产效率高，所得薄膜兼具高硬度和优异的摩擦性能，可作为高速、宽温域下干式切削的纳米结构硬质薄膜。
-
公开(公告)号：CN105492650A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480046504.5
申请日：2014-08-18
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
CPC classification number: H01J37/34 , C23C14/042 , C23C14/564 , H01J37/32082 , H01J37/3447 , H01J37/3467
Abstract: 本发明为一种溅射成膜装置，其对阴极电极施加高电压的阴极电压而在靶(10)与基板(12)之间生成等离子体，经由掩膜(11)在基板(12)成膜，该溅射成膜装置具备脉冲偏压电源(6)，其在向上述基板(12)的成膜过程中，能够对上述掩膜(11)施加脉冲状的负电压。由此，能够边成膜边进行掩膜的清洗。
-
公开(公告)号：CN103534385B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201180070260.0
申请日：2011-05-13
Applicant: 克菲科公司
CPC classification number: C23C14/0635 , C23C14/024 , C23C14/025 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/341 , C23C28/347 , F02M59/445 , F02M61/1886 , F02M61/1893 , F02M2200/02 , F02M2200/9038 , F02M2200/9046
Abstract: 本发明涉及燃料喷射阀的喷嘴涂敷结构及方法，上述燃料喷射阀的喷嘴涂敷结构用于减少与形成有喷射孔的喷嘴本体的喷嘴座部相接触的喷嘴针的摩擦阻力，其特征在于，包括：Cr涂敷层，蒸镀于燃料喷射阀的喷嘴针的外周面，CrN涂敷层，蒸镀于上述Cr涂敷层的外周面，WCC涂敷层，蒸镀于上述CrN涂敷层的外周面；上述CrN涂敷层的硬度相对高于上述WCC涂敷层。根据这种本发明，借助形成于喷嘴针的外周面的涂敷层来提高了耐磨性及耐冲击性，来防止基于喷嘴针的前端部和喷嘴座部之间的碰撞而产生的冲击量向喷嘴针传递，并且中间的CrN涂敷层的硬度更高于外围的WCC涂敷层的硬度，由此能够更提高耐磨性和耐冲击性，因此能够将燃料喷射阀的燃料喷射特性的经时变化抑制为小，有利于改善燃料喷射阀。
-
公开(公告)号：CN103849848A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210495442.9
申请日：2012-11-28
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3444
Abstract: 本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括：反应腔室；基片支撑部件，所述基片支撑部件设置在所述反应腔室的底部且与所述溅射靶材相对；直流电源，所述直流电源耦接于所述溅射靶材；射频电源，所述射频馈入部件耦接于所述溅射靶材，所述射频馈入部件包括分配环和沿所述分配环的周向间隔设置的多条分配条，所述分配环与所述射频电源耦接，所述分配环通过所述分配条耦接至所述溅射靶材。根据本发明实施例的物理气相沉积装置，降低了在靶材上产生的负偏压，进而减小了对基片或晶圆产生的损伤，且明显提高了沉积速率，从而提高了工艺效率。
-
公开(公告)号：CN103540904A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310481726.7
申请日：2013-10-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制备T相BiFeO3薄膜的方法。该方法包括：步骤A，制备BiFeO3材料的溅射靶；步骤B，将六角对称的(0001)取向的蓝宝石衬底和溅射靶分别放入射频溅射系统的沉积腔的适当位置，对沉积腔抽本底真空；步骤C，向沉积腔内通入氧气和氩气，加热蓝宝石衬底至500～750℃；步骤D，调节溅射功率介于50～300W之间，以Ar+及O2+的混合离子束作为离子源轰击溅射靶，在蓝宝石衬底上沉积薄膜；以及步骤E，在溅射完成之后，将蓝宝石衬底的温度降到室温后从沉积腔内取出，在其上得到T相BiFeO3薄膜。本发明步骤简单，易于实现大面积生长制备，有利于促进T相BiFeO3在未来的大规模推广应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
64
records
(took 0.014 seconds)
