实现大功率GaN器件层散热的三维异质结构的封装方法

    公开(公告)号:CN108766897A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810601226.5

    申请日:2018-06-12

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明针对大功率GaN器件三维异质集成与器件层散热一体化需求,提出了一种实现大功率GaN器件层散热的三维异质结构的封装方法,利用GaN芯片体‑TSV射频转接板‑硅支撑块等多个叠层衬底实现立体折叠微流道设计,微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上冷却GaN器件层热点然后拾阶而下流出,克服了传统TSV三维集成技术内嵌微流道从TSV转接板向大功率GaN芯片体内延伸时存在分流设计、传统立体微流道与封装体‑芯片集成与兼容制造等难题,进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用,具有重要意义。

    一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构及制作方法

    公开(公告)号:CN111769087B

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202010460602.0

    申请日:2020-05-26

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构,包括TSV转接板、GaN器件、壳体和电路板,其中TSV转接板设有输入微流道、输出微流道和导流结构,GaN器件装配于TSV转接板上且背面设有第一开放微流道,第一开放微流道水平方向的两侧分别通过导流结构与输入微流道和输出微流道导通;TSV转接板装配于壳体内且设有与输入微流道和输出微流道导通的流道,电路板设于壳体的侧壁顶部并与TSV转接板电气连接。本发明在提高GaN器件衬底微流道散热效能的同时不降低GaN器件体的机械强度、并解决GaN器件电气接地与异质集成问题。另外,本发明还提出了实现上述结构的制作方法。

    一种用于治疗肿瘤的柯萨奇B组病毒

    公开(公告)号:CN110387353B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN201810338046.2

    申请日:2018-04-16

    Abstract: 本发明涉及病毒领域和肿瘤治疗领域。具体而言,本发明涉及CVB1或其修饰形式,或包含CVB1或其修饰形式的基因组序列或cDNA序列,或所述基因组序列或cDNA序列的互补序列的核酸分子,用于在受试者(例如,人)中治疗肿瘤的用途,以及在制备用于在受试者(例如,人)中治疗肿瘤的药物组合物中的用途。本发明还涉及一种治疗肿瘤的方法,其包括向有此需要的受试者施用CVB1或其修饰形式,或包含CVB1或其修饰形式的基因组序列或cDNA序列,或所述基因组序列或cDNA序列的互补序列的核酸分子的步骤。

    一种内嵌金属微通道的转接板及其制备方法

    公开(公告)号:CN107256850B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN201710611140.6

    申请日:2017-07-25

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种内嵌金属微通道的转接板及其制备方法,包括相互键合的第一衬底和第二衬底,以及设置于所述第一衬底中的金属微通道;所述金属微通道由第一衬底上的贯穿孔和第二衬底上的金属翅片组成;在集成高密度芯片的过程中,转接板的第一衬底和第二衬底先键合构成转接板结构,金属翅片置于第一衬底的贯穿孔中而构成金属微通道结构,然后在第一衬底表面集成高密度芯片,高密度芯片通过第一衬底表面金属再布线层和金属互连通孔实现信号的再分配,通过金属微通道导热。转接板导热效果良好,封装尺寸小,工艺简单,成本可控。

    一种用于治疗肿瘤的埃可病毒

    公开(公告)号:CN109419818B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN201710734483.1

    申请日:2017-08-24

    Abstract: 本发明涉及病毒领域和肿瘤治疗领域。具体而言,本发明涉及埃可病毒25型(ECHO25)或其修饰形式,或包含ECHO25或其修饰形式的基因组序列或cDNA序列,或所述基因组序列或cDNA序列的互补序列的核酸分子,用于在受试者(例如,人)中治疗肿瘤的用途,以及在制备用于在受试者(例如,人)中治疗肿瘤的药物组合物中的用途。本发明还涉及一种治疗肿瘤的方法,其包括向有此需要的受试者施用ECHO25或其修饰形式,或包含ECHO25或其修饰形式的基因组序列或cDNA序列,或所述基因组序列或cDNA序列的互补序列的核酸分子的步骤。

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