公开(公告)号：CN107452689A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710826807.4

申请日：2017-09-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  蔡涵 ,  李继伟 ,  罗荣峰 ,  颜俊 ,  龚丹 ,  夏雁鸣 ,  秦利锋 ,  王玮 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L23/13 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386

Abstract: 本发明公开了一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板结构，在硅基板正面设侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设延伸至凹腔底部的垂直互联结构，垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；硅基板的正面以及凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，第一金属互联层与第二金属互联层分别与硅基板绝缘设置，导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。本发明还公开了其制作方法及在封装上的应用，利用凹腔结合垂直互联结构，从而在满足高密度、小尺寸、低成本的基础上进一步实现三维系统封装的应用，提高产品性能。

公开(公告)号：CN207134348U

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201721177329.0

申请日：2017-09-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  蔡涵 ,  李继伟 ,  罗荣峰 ,  颜俊 ,  龚丹 ,  夏雁鸣 ,  秦利锋 ,  王玮 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: H01L23/13 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本实用新型公开了一种三维系统级封装应用的内嵌扇出型硅转接板结构，在硅基板正面设侧壁具有一定坡度的凹腔，背面设延伸至凹腔底部的垂直互联结构，垂直互联结构包括若干互相独立的导电柱；硅基板的正面以及凹腔的侧壁和底部设有第一金属互联层以用于与置于凹腔内的微电子芯片焊盘连接以及制作正面引出端；硅基板的背面设有第二金属互联层以用于制作背面引出端，第一金属互联层与第二金属互联层分别与硅基板绝缘设置，导电柱电性连接所述第一金属互联层与第二金属互联层。本实用新型利用凹腔结合垂直互联结构，从而在满足高密度、小尺寸、低成本的基础上进一步实现三维系统封装的应用，提高产品性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利