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公开(公告)号：CN110484893B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910709300.X
申请日：2019-08-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米线核壳结构的制备方法，本发明通过将金属纳米线样品及壳层前驱物用金属箔片密封，间歇性推入低压化学气相沉积系统，同时通入气体前驱物。使得金属纳米线在高温下保持形貌稳定，从而可以获得一种包裹有二维原子层六方氮化硼的金属纳米线，有助于大幅提高金属纳米线的稳定性，保护金属纳米线免受融化、氧化、钝化、刻蚀和腐蚀等损坏。
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公开(公告)号：CN106876580A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710154030.1
申请日：2017-03-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种透明柔性的压电式纳米发电机的制备方法，涉及纳米发电机。提供灵活性强，可操作性简单，容易集成耐磨材料，可用于衣服和鞋子，成功将身体的日常运动的机械能转化为电能，为智能服饰的开发和应用提供前提条件的一种透明柔性的压电式纳米发电机的制备方法。在金属衬底直接生长整齐的氧化锌纳米柱阵列，得ZnO/h‑BN/金属复合结构；在ZnO/h‑BN/金属复合结构上旋涂PDMS透明硅胶填充纳米柱阵列，得弹性的氧化锌纳米柱阵列薄膜；去除金属衬底，获得埋藏氧化锌纳米柱阵列的透明PDMS薄膜结构；在PDMS/ZnO薄膜结构连帽压印上金属纳米线网络，退火得纳米焊接网络，做透明电极；连接上下电极至载体，即完发电机的制备。
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公开(公告)号：CN104233222B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410500423.X
申请日：2014-09-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法，涉及六方氮化硼二维纳米薄膜的制备。提供可有效缩减复杂的氮化硼专业工艺，提高h-BN的质量，并直接和Si基电子器件结合，从而获得高性能的新型光电子器件的一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法。采用一端封闭的石英管，控制CVD气流温度条件在Cu箔上生长出二维h-BN薄膜；将生长出二维h-BN薄膜的Cu箔与Si片同时放置，调控其距离，在Si(100)表面沉积均匀且尺寸小于1μm的Cu微晶粒阵列；利用Cu微晶粒催化作用，在Si(100)上直接生长六方氮化硼二维薄膜。
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公开(公告)号：CN104532209A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510039073.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法，涉及六方氮化硼。在Cu箔上可控生长六方氮化硼薄层；携带Borazane的气体离开石英管后，将Cu箔衬底弯曲成半圆柱状并折置入石英舟，推入加热温区，抽真空，加热，当温度达到设定值时通入H2，进行表面去氧化物处理，继续升高三区的生长温度，对一区前驱物加热，同时达到设定值一区温度和三区温度时，从石英管中通入H2和Ar输送产生的Borazane气体进入反应腔进行反应，直至Cu箔被完全覆盖,反应结束后取出Cu箔，即在Cu箔上生长大面积六方氮化硼薄层，再旋涂pmma层，溶解掉Cu衬底,将pmma/六方氮化硼薄膜转移到衬底上，再去除样品表面的pmma层，即完成。
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公开(公告)号：CN103137799B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310030135.8
申请日：2013-01-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法，涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡－补偿插层方法，在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理，有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应，以获得超陡峭、对称界面，使量子阱更为接近方势阱，增强量子限制效应。它通过调控外延生长参数特别是组分参数以实现超薄阻挡－补偿对层的插入，在MOCVD生长同时即可完成界面超陡处理。运用该方法外延生长的GaN/AlGaN超晶格结构的界面陡峭度可提高35％以上，克服了不同界面陡峭度的不对称性，大大提高了异质界面的质量，并使超晶格发光效率得到有效提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104233222A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410500423.X
申请日：2014-09-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法，涉及六方氮化硼二维纳米薄膜的制备。提供可有效缩减复杂的氮化硼专业工艺，提高h-BN的质量，并直接和Si基电子器件结合，从而获得高性能的新型光电子器件的一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法。采用一端封闭的石英管，控制CVD气流温度条件在Cu箔上生长出二维h-BN薄膜；将生长出二维h-BN薄膜的Cu箔与Si片同时放置，调控其距离，在Si(100)表面沉积均匀且尺寸小于1μm的Cu微晶粒阵列；利用Cu微晶粒催化作用，在Si(100)上直接生长六方氮化硼二维薄膜。
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公开(公告)号：CN103943467A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410208201.0
申请日：2014-05-16
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/16 , C30B29/406 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 利用应力梯度分离氮化物自支撑衬底的方法，涉及氮化物基光电器件。1)GaN层晶的第一性原理方法模拟计算；2)制样前对蓝宝石衬底预处理；3)GaN缓冲层的生长；4)GaN外延生长制备。利用分离能与应力的关系，在HVPE方法生长的GaN外延层中进行特殊处理，有效地控制GaN外延层厚度分布来调节应力梯度分布，以便GaN外延层在临界厚度实现自分离的现象。通过调控外延生长参数以实现原位GaN自分离技术，在HVPE中生长同时即可完成GaN自分离，方法简单，操作容易，实用性高。
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公开(公告)号：CN119255584A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411371343.9
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种磁性化MXene/金属纳米线复合电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法，其是在MXene之间生长金属纳米线，并于MXene表面包裹磁性材料壳层，进行真空退火后得到。磁性化MXene为多界面壳层结构，具有MXene‑磁性金属‑空气间隔的多界面复杂电磁反射吸收异质结构，同时金属纳米线搭接磁性化MXene形成导电网络，利用不同材料的异质界面和MXene的空间结构，对电磁波同时起到强烈的多重反射、界面极化、磁损耗等效应，实现了高效电磁屏蔽效果的同时保持了较低的反射屏蔽，有效减少了电磁波的二次污染，可用于制作高性能的电磁屏蔽薄膜，进而实现在电子设备中应用，并满足电子设备对轻量化的特性要求。
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公开(公告)号：CN113990978B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111198864.5
申请日：2021-10-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种电压调制变波段光电探测器及其制作方法，该光电探测器为雪崩型光电探测器，导电薄膜作为第一电极，二维材料作为载流子阻挡层，具有纳米阵列结构的半导体材料作为光子吸收层，因此外部辐射光子更容易被光子吸收层捕获，产生光生载流子，光生载流子被载流子阻挡层阻挡并在载流子阻挡层及两侧形成强电场，使得载流子被强电场加速实现雪崩增益，同时，强电场调控光生电子跃迁路径以改变光子吸收层响应的光子波长，以此可以获得一种高响应度，并且无需滤光片、更换半导体材料即可实现探测波段可调的光电探测器件，有助于提高器件对微弱光信号的探测能力和适用性。
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公开(公告)号：CN114806207A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210447864.2
申请日：2022-04-26
Applicant: 厦门大学
IPC: C08L101/00 , C08K3/38 , H02N2/18
Abstract: 本发明涉及纳米发电机领域，特别涉及一种正交取向化二维复合材料、制备方法与柔性纳米发电机。其中，一种正交取向化二维复合材料，由氮化硼纳米片与紫外固化胶混合，后经电场正交取向化，并进行紫外固化制得，所述氮化硼纳米片由氮化硼粉末经超声液相剥离后筛选得到，正交电场施加平行于发电薄膜法向方向。本发明提供的柔性纳米发电机，采用紫外固化胶固化的正交取向氮化硼纳米片，配合上下电极，最终制得的纳米发电机具有高输出电压，最高能达到50～60V，电流可超过100nA，性能突出，柔性稳定，并且柔性纳米发电机整体制备过程简便，具有大规模推广应用的潜力。
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