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公开(公告)号：CN103320753B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310250357.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中，放入样品台，然后将衬底放置于样品台上；将铝置于E-Beam生长腔体内，用高能电子束轰击膜料铝，使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态，并沉积在衬底上，完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法，可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控，有利于制备电学/光电器件。制备条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102544298A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210028309.2
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝膜层，在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。在衬底上生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝膜层；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。
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公开(公告)号：CN119789640A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411975840.X
申请日：2024-12-30
IPC: H10H20/84 , H10H20/81 , H10H20/819 , H10H20/01
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造领域。具体涉及一种微型发光二极管器件及其制造方法。微型发光二极管器件包括：衬底基板；位于衬底基板上的N型GaN层；N型GaN层表面划分有P型电极区和N型电极区；位于N型GaN层上的发光层；位于发光层上的P型GaN层；绝缘隔离槽，位于P型电极区和N型电极区之间，将发光层和P型GaN层位于P型电极区的部分和位于N型电极区的部分隔离；绝缘间隔层；绝缘间隔层包覆发光层和P型GaN层；其中，绝缘间隔层位于P型电极区的部分与位于N型电极区的部分高度相等。本发明的微型发光二极管器件可有效解决从制造基板转移至驱动基板的过程中，转移后的器件容易发生破裂损坏，良率不理想的问题。
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公开(公告)号：CN117790486A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311824530.3
申请日：2023-12-27
IPC: H01L25/075 , H01L33/32 , H01L33/12 , H01L33/48 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种Micro‑LED芯片封装结构及其制备方法，Micro‑LED芯片封装结构包括：封装基底，封装基底上设置红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片，红光Micro‑LED芯片的发光层、绿光Micro‑LED芯片的发光层和蓝光Micro‑LED芯片的发光层均包括InxGa(1‑X)N层；不同颜色Micro‑LED芯片中InxGa(1‑X)N层中x的取值相同。在具有同一外延结构的基础上，通过调整红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片的面积尺寸或电流大小，即可实现白色Micro‑LED光源，工艺简单。
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公开(公告)号：CN117577750A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311812460.X
申请日：2023-12-26
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层，位于所述衬底层的一侧表面；发光柱，位于部分所述GaN缓冲层背离所述衬底层的一侧，所述发光柱包括具有纳米孔的N型GaN柱以及位于所述N型GaN柱表面的I nGaN/GaN发光量子点柱；P型GaN层，位于所述发光柱的表面。所述LED芯片结构的发光效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116344718A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310243681.3
申请日：2023-03-14
Abstract: 本发明涉及显示面板技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。显示面板包括：电路板；位于电路板的一侧表面的倒装发光芯片阵列，倒装发光芯片阵列包括阵列排布的若干倒装发光芯片；位于倒装发光芯片阵列背离电路板的一侧的透镜阵列，透镜阵列包括阵列排布的若干凹透镜，凹透镜与倒装发光芯片相对设置，凹透镜的凹陷区朝向倒装发光芯片，倒装发光芯片在电路板的正投影位于凹陷区在电路板的正投影内。倒装发光芯片发出的光照射到凹透镜的折射面从而发生收敛，减小了Micro‑LED芯片发出的光的角度范围，不仅降低了显示面板中不同颜色的串扰程度，还提高了该Micro‑LED芯片所对应的显示区域的亮度，提高了显示面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN115274942B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210922999.X
申请日：2022-08-02
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种微型倒装芯片的转移方法，包括：提供驱动基板和临时基板，临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片；在微型倒装芯片的第二电连接件背离临时基板的一侧表面形成第一键合件，第一键合件的材料为导电胶；将若干微型倒装芯片转移至驱动基板上，且第一键合件连接微型倒装芯片的第二电连接件与驱动基板的第一电连接件；对若干微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在驱动基板上的坏点位置；激光照射位于坏点位置的第一键合件，移除不良芯片。上述方法不仅能够保证微型倒装芯片与驱动基板的稳定键合，还能在避免第一电连接件受到激光辐照的损伤，使原键合焊点可继续使用，且具有较高的不良芯片去除效率。
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公开(公告)号：CN116053383A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310082604.4
申请日：2023-01-30
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED芯片及其制备方法，其中，Micro‑LED芯片包括：衬底层；N型半导体层，位于所述衬底层一侧表面；有源层，位于部分所述N型半导体层背离所述衬底层的一侧表面；P型半导体层，位于所述有源层背离所述N型半导体层的一侧表面；氢钝化层，覆盖所述P型半导体层的侧壁和所述有源层的侧壁。所述Micro‑LED芯片的发光效率高且可以避免漏电流的产生。
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公开(公告)号：CN115274942A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210922999.X
申请日：2022-08-02
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种微型倒装芯片的转移方法，包括：提供驱动基板和临时基板，临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片；在微型倒装芯片的第二电连接件背离临时基板的一侧表面形成第一键合件，第一键合件的材料为导电胶；将若干微型倒装芯片转移至驱动基板上，且第一键合件连接微型倒装芯片的第二电连接件与驱动基板的第一电连接件；对若干微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在驱动基板上的坏点位置；激光照射位于坏点位置的第一键合件，移除不良芯片。上述方法不仅能够保证微型倒装芯片与驱动基板的稳定键合，还能在避免第一电连接件受到激光辐照的损伤，使原键合焊点可继续使用，且具有较高的不良芯片去除效率。
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公开(公告)号：CN113437191B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110629473.8
申请日：2021-06-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于回音壁模式的电注入等离激元激光器阵列及其制备方法，该激光器阵列包括LED外延结构、n电极和p电极，LED外延结构包括按序设置的n型氮化镓层、量子阱、p型铝镓氮层和p型氮化镓层，p电极和n电极分别与p型氮化镓层和n型氮化镓层电性连接；LED外延结构具有于厚度方向上由p型氮化镓层深入至至少贯穿量子阱的纳米孔的阵列，纳米孔内填充有环形的电介质层和位于电介质层之内的金属柱。本发明利用LED的电注入方式实现激光器的电注入，利用金属与量子阱中的激子发生近场耦合所形成的等离极化激元，在介电层内形成回音壁式等离激元共振模式，打破常规光学器件的衍射极限，并大幅降低激光器的激射阈值。
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