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公开(公告)号：CN107039068A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611187332.0
申请日：2016-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/417 , G11C11/419
Abstract: 本发明的实施例提供了存储电路及其写入方法。一种存储电路，包括：第一存储单元列，沿第一方向布置；第一电源电压线，在所述存储电路的第一导电层中沿所述第一方向延伸；第二电源电压线；第一电阻器件，将所述第一电源电压线和所述第二电源电压线电连接。所述第一存储单元列的存储单元的每一个均包括电源电压线段。所述第一电源电压线至少由所述第一存储单元列的所述电源电压线段组成。电压源，通过一条或多条导电路径与第一电源电压线电连接，并且所述第二电源电压线和所述第一电阻器件在所述一条或多条导电路径的最小电阻路径中。
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公开(公告)号：CN103383859B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210337314.1
申请日：2012-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C11/41 , G11C29/028 , G11C29/56 , G11C2029/5002 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及具有灵活读/写辅助的存储单元及其使用方法，其中，一种半导体器件包括至少一个存储单元管芯。至少一个存储单元管芯包括数据存储单元。至少一个存储单元管芯包括电连接至数据存储单元的至少一个读辅助使能单元。至少一个读辅助使能单元被配置为降低字线的电压。存储单元管芯还包括电连接至数据存储单元的至少一个写辅助使能单元。至少一个写辅助使能单元被配置为向位线或位线条中的至少一个提供负电压。
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公开(公告)号：CN116896883A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310617857.7
申请日：2023-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B12/00 , G11C11/4063 , G11C11/4097 , G11C11/408
Abstract: 一种半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一感测放大器、设置在衬底上并且在x方向上与第一感测晶体管相邻的第一字线驱动器、以及在z方向上设置在第一感测放大电路上方和第一字线驱动器上方的第一存储器阵列。多个第一导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一感测放大器之间，并且被配置为将第一感测放大电路电连接到第一存储器阵列的第一位线。多个第二导电区段在x方向和y方向上交替延伸，并且设置在第一存储器阵列和第一字线驱动器之间，并且被配置为将第一字线驱动器电连接到第一存储器阵列的第一字线。本申请的实施还公开了一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN115494904A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210351107.5
申请日：2022-04-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56 , H03K17/687
Abstract: 本揭示文件描述用于选择电压供应的选择电路、选择系统以及选择方法。此选择电路包含第一控制开关、第一电压供应开关、第二控制开关以及第二电压供应开关。第一控制开关用以接收控制信号以及第一电压供应。第一电压供应开关电性耦合至第一控制开关，且用以接收第二电压供应。第二控制开关用以接收控制信号以及第二电压供应。第二电压供应开关电性耦合至第二控制开关，且用以接收第一电压供应。第一以及第二电压供应开关用以基于控制信号选择性地输出第一以及第二电压供应。
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公开(公告)号：CN115273923A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210646003.7
申请日：2022-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种系统包括：高带宽存储器(HBM)，包括：第一感测单位，配置为产生与第一存储单元中的第一晶体管对应的一个或多个第一环境信号；以及第二感测单位，配置为产生对应于第二存储单元中的第二晶体管的一个或多个第二环境信号；以及差分动态电压和频率缩放(DDVFS)设备，配置为对于包括第一存储单元的存储单元的第一组执行以下操作：(1)通过基于一个或多个第一环境信号调节一个或多个第一晶体管温度影响(TTA)来控制的第一组的温度，以及(2)对于包括第二存储单元的存储单元的第二组，通过基于一个或多个第二环境信号调节一个或多个第二TTA参数来控制第二组的温度。本申请的实施例提供了用于控制存储器中温度的系统和控制HBM中的温度的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114822609A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110263207.8
申请日：2021-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司
Abstract: 本公开涉及包括硅通孔的存储器宏。一种存储器宏结构包括：第一存储器阵列；第二存储器阵列；单元激活电路，耦合到所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列并且位于所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列之间；控制电路，耦合到所述单元激活电路并且被定位为与所述单元激活电路相邻；以及硅通孔(TSV)，延伸穿过所述单元激活电路或所述控制电路中的一者。
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公开(公告)号：CN107403635B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201710182966.5
申请日：2017-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种存储器宏及其操作方法。其中，存储器宏包含第一存储器单元阵列、第一跟踪电路及第一预充电电路。所述第一跟踪电路包含：第一组存储器单元，其响应于第一组控制信号而配置为第一组负载单元；第二组存储器单元，其响应于第二组控制信号而配置为第一组下拉单元；及第一跟踪位线，其耦合到所述第一组存储器单元及所述第二组存储器单元。所述第一组下拉单元及所述第一组负载单元经配置以跟踪所述第一存储器单元阵列的存储器单元。所述第一预充电电路耦合到所述第一跟踪位线，且经配置以响应于第三组控制信号而将所述第一跟踪位线充电到预充电电压电平。
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公开(公告)号：CN110322917A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811007574.6
申请日：2018-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器电路包括：电压节点；多个存储器单元；位线，与多个存储器单元耦合；以及开关电路，耦合在电压节点与位线之间。开关电路配置为响应于位线上的电压电平将电压节点与位线耦合。本发明的实施例还提供了位线逻辑电路和存储器电路的位线偏置方法。
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公开(公告)号：CN109559772A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811115814.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/4094 , G11C11/4097
Abstract: 本揭露提出一种位单元。位单元包括读取端口电路和写入端口电路。读取端口电路包括四个晶体管，其中读取端口电路由第一阈值电压激活。写入端口电路包括八个晶体管，其中写入端口电路由第二阈值电压激活。写入端口电路耦接到读取端口电路。第一阈值电压和第二阈值电压可以不同，并且可以由单电源电压提供。
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公开(公告)号：CN106024051B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510731978.X
申请日：2015-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C8/08
Abstract: 本发明公开了一种包括存储器单元、字线、选择单元和自升压驱动器的电子器件。将存储器单元配置为存储数据。字线连接至存储器单元。选择单元设置在字线的第一端处，并且被配置为传输选择信号，以根据读命令和写命令中的一个来激活字线。自升压驱动器设置在字线的第二端处，并且被配置为根据字线的电压电平和控制信号来对字线的电压电平进行上拉。本发明还提供了一种驱动该电子器件的方法。
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