公开(公告)号：CN109196716B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201780031842.5

申请日：2017-05-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大竹忠 ,  箕浦洁 ,  中泽淳 ,  大类贵俊 ,  中村涉

IPC: H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 扫描天线(1000A)具有：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、由第一电介质基板(1)支撑的TFT、栅极总线、源极总线以及贴片电极(15)；缝隙基板(201A)，其具有第二电介质基板(51)、和形成于第二电介质基板(51)的第一主面上的缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其设置在TFT基板(101)与缝隙基板(201A)之间；反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)与第二电介质基板(51)的第一主面相反侧的第二主面相对的方式配置，缝隙电极(55)具有与贴片电极(15)对应配置的缝隙(57)，贴片电极(15)连接到对应的TFT的漏极，在缝隙(57)中形成有低介电损耗物质层(57A)，其由相对于微波的介电损耗小于构成液晶层(LC)的液晶材料的物质构成。

公开(公告)号：CN110911428A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910851191.5

申请日：2019-09-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  中野文树 ,  泷田力也

IPC: H01L27/146

Abstract: 有源矩阵基板具备光电转换元件(12)、第一平坦化膜(107)、第一无机绝缘膜(108a)以及偏压布线(16)。第一平坦化膜(107)覆盖光电转换元件(12)，并在俯视观察时与光电转换元件(12)重叠的位置上具有第一开口(107h)。所述第一无机绝缘膜(108a)在第一开口(107h)的内侧具有第二开口，并覆盖第一平坦化膜(107)的表面。偏压布线(16)设置于第一保护膜(108a)上，并经由第二开口CH2与光电转换元件(12)连接。

公开(公告)号：CN107431275B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201680012919.X

申请日：2016-10-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  中野文树 ,  箕浦洁

IPC: H01Q3/34 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q19/06

Abstract: 扫描天线(1000)排列有天线单位(U)，具有：TFT基板，其具有第1电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线和贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第2电介质基板(51)和形成于第2电介质基板的第1主面上的缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其设置于TFT基板与缝隙基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)与第2电介质基板(51)的与第1主面相反的一侧的第2主面相对的方式配置。TFT基板(TFT基板部分(101Cb))在密封部(73)的外侧具有端子区域(TR)，栅极总线或者源极总线与形成于端子区域的栅极端子部或者源极端子部的连接是经由设置于密封部(73)与TFT基板之间的透明导电层(14b)进行的。

公开(公告)号：CN108496244A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201780008343.4

申请日：2017-01-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786

CPC classification number: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置具备具有结晶质硅半导体层(13)的第1薄膜晶体管(101)和具有氧化物半导体层(23)的第2薄膜晶体管(102)，第1薄膜晶体管(101)的第1源极电极(31)、第1漏极(33)隔着第1层间绝缘层(L1)设置在结晶质硅半导体层之上，第2薄膜晶体管(102)的第2源极电极(25S)电连接到与第1源极电极、第1漏极电极由同一导电膜形成的配线(35)，配线(35)隔着第2层间绝缘层(L2)设置在第2源极电极(25S)之上，并且在包含形成于第2层间绝缘层(L2)的开口的第2接触孔内与第2源极电极(25S)接触，第2源极电极具有包含主层(25m)和配置在主层之上的上层(25u)的层叠结构，在第2层间绝缘层的开口的下方，上层(25u)具有第1开口部，主层(25m)具有第2开口部(p2)或凹部，当从基板的法线方向观看时，第2开口部(p2)或凹部比第1开口部(p1)大。

公开(公告)号：CN108352140A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680063187.7

申请日：2016-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1345

Abstract: 阵列基板(11b)具备：玻璃基板(GS)，其被划分为显示区域(AA)和非显示区域(NAA)；栅极绝缘膜(16)以及第一层间绝缘膜(19)，它们在非显示区域(NAA)一部分开口而形成栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)；栅极绝缘膜竖立部(16a)以及第一层间绝缘膜竖立部(19a)，它们从与栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)的边界位置竖立而相对于玻璃基板(GS)的板面呈倾斜状；以及重叠部(30)，其以跨越栅极绝缘膜非配置区域(NLA1)以及第一层间绝缘膜非配置区域(NLA2)、栅极绝缘膜竖立部(16a)以及第一层间绝缘膜竖立部(19a)的方式与它们各自的至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN108174620A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201680060325.6

申请日：2016-10-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  中野文树

IPC: H01Q3/34 ,  H01Q23/00 ,  G02F1/13 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: 扫描天线具有：TFT基板(104)，其具有第一电介质基板(51)、多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、及多个贴片电极；插槽基板(204)，其具有第二电介质基板(1)、及形成于第二电介质基板的第一主表面上的插槽电极(55)；液晶层，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板，以隔着电介质层而与第二电介质基板(1)的与第一主面为相反侧的第二主面相对的方式配置，插槽电极(55)具有对应于多个贴片电极而配置的多个插槽(57)和将插槽电极(55)分割成两个以上的部分(55S)的凹槽(84)，TFT基板(104)具有与凹槽(84)相对配置的相对金属部(91)，从第一电介质基板的法线方向观察时，凹槽(84)由遍及其宽度方向的相对金属部(91)覆盖。

公开(公告)号：CN107431275A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680012919.X

申请日：2016-10-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  中野文树 ,  箕浦洁

IPC: H01Q3/34 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q19/06

CPC classification number: H01Q3/44 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L2223/6677 ,  H01Q3/34 ,  H01Q13/10 ,  H01Q21/0012 ,  H01Q21/064 ,  H01Q21/20 ,  H01Q21/24

Abstract: 扫描天线(1000)排列有天线单位(U)，具有：TFT基板，其具有第1电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线和贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第2电介质基板(51)和形成于第2电介质基板的第1主面上的缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其设置于TFT基板与缝隙基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)与第2电介质基板(51)的与第1主面相反的一侧的第2主面相对的方式配置。TFT基板(TFT基板部分(101Cb))在密封部(73)的外侧具有端子区域(TR)，栅极总线或者源极总线与形成于端子区域的栅极端子部或者源极端子部的连接是经由设置于密封部(73)与TFT基板之间的透明导电层(14b)进行的。

公开(公告)号：CN107210534A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680006409.1

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  大类贵俊 ,  森重恭 ,  中野文树 ,  箕浦洁

IPC: H01Q13/22 ,  H01L29/786 ,  H01P1/18 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01P1/18 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(101)具有排列在电介质基板(1)上的多个天线单位区域(U)，包含发送接收区域和非发送接收区域，发送接收区域包含多个天线单位区域，非发送接收区域位于发送接收区域以外的区域，多个天线单位区域(U)各自具备：薄膜晶体管(10)；第1绝缘层(11)，其覆盖薄膜晶体管，且具有将薄膜晶体管(10)的漏极电极(7D)露出的第1开口部(CH1)；以及贴片电极(15)，其形成在第1绝缘层(11)上和第1开口部(CH1)内，电连接到薄膜晶体管的漏极电极(7D)，贴片电极(15)包含金属层，金属层的厚度大于薄膜晶体管的源极电极(7S)和漏极电极(7D)的厚度。

公开(公告)号：CN102884632B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201180022718.5

申请日：2011-04-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供一种在基板（3）上设置的TFT（17）。TFT（17）具备栅极电极（31）、栅极绝缘膜（32）、半导体（33）、源极电极（34）、漏极电极（35）和保护膜（36）。半导体（33）包含金属氧化物半导体，具有与源极电极（34）连接的源极部（33a）、与漏极电极（35）连接的漏极部（33b）、从源极电极（34）和漏极电极（35）露出的沟道部（33c）。在源极部（33a）和漏极部（33b）分别形成有电阻相对较小的导电层（37）。沟道部（33c）中导电层（37）被除去。

公开(公告)号：CN101911267A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880122617.3

申请日：2008-12-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  木村知洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78633 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L23/552 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具备：绝缘性基板；台阶层，其设置在绝缘性基板上并具备倾斜角为60°以上的端部；绝缘层，其形成在绝缘性基板和台阶层上并且设置成在台阶层上隆起；第1半导体层，其设置在隆起的绝缘层的相邻部；以及第2半导体层，其由与第1半导体层相同的材料构成，在隆起的绝缘层上形成岛状。