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公开(公告)号：CN111149430B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201780095346.6
申请日：2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供可防止在密封发光层的密封层的端部形成的第一隔壁与第二隔壁之间的密封层的剥离的显示装置。有机EL显示装置(1)通过第一堤(34A)和在比该第一堤(34A)靠外侧隔开间隔形成的第二堤(35A)双重包围密封发光元件层(20)的密封层(30)的端部。第一堤(34A)中的第二堤(35A)侧的外侧壁面(34a)形成为比第一堤(34A)中的与第二堤(35A)侧相反侧的内侧壁面(34b)倾斜角度小的平缓斜面。
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公开(公告)号：CN111149431B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201780095314.6
申请日：2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明以减少和端子部连接的布线与像素电极短路的可能性作为目的而提供显示设备(2)，具备：第一引绕布线(45)，其与平坦化膜(21)的端部交叉，并从显示区域(DA)向边框区域(NA)延伸；第二引绕布线(44)，其与比上述第一引绕布线(45)靠上层的形成于第二电极(25)的周围的第一堤(23a)接触，并与上述第一堤(23a)交叉而向端子部延伸；以及第一布线接触部(42)，其在上述平坦化膜(21)的端部与上述第一堤(23a)之间，将上述第一引绕布线(45)与上述第二引绕布线(44)连接。
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公开(公告)号：CN112823568A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201880097946.0
申请日：2018-09-25
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在边框区域以与框状的阻挡壁交叉延伸的方式设置，通过与依次层叠有第一金属层(Ma)、第二金属层(Mb)以及第三金属层(Mc)的各显示配线(18f、18g)相同的材料形成在同一层，在显示区域侧与显示配线(18f、18g)电连接，在端子部侧与端子电连接的引绕配线(18f、18g)中，第三金属层(Mc)以覆盖第一金属层(Ma)的侧面以及第二金属层(Mb)的侧面以及上表面的方式设置。
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公开(公告)号：CN112513959A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201880096085.4
申请日：2018-07-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 氧化物半导体层包含岛状的半导体线(SS)，所述岛状的半导体线(SS)在俯视下位于多个驱动器与显示区域之间，与多个控制线以及多个电源线正交，所述半导体线在栅极绝缘膜(16)的开口中与所述多个控制线(Gn、En)接触，并且在第一无机绝缘膜(18)的开口中与所述多个电源线(In、Qn)接触，且包括多个变细部(WT)。
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公开(公告)号：CN111602190A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880086484.2
申请日：2018-01-18
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种显示设备(2)，其以提高在背板中的间隔物的高度精度作为目的，该显示设备(2)包括包含第一电极(22)露出的多个开口(23c)的所述边缘罩(23)、包含第一平坦部、第二平坦部(21b)以及接触孔(21c)的平坦化膜(21)，所述显示设备的特征在于，所述多个开口(23c)的每一个，在俯视下与所述第一平坦部(21a)重叠，在俯视下所述多个开口(23c)之间具有所述第二平坦部(21b)，从所述平坦化膜(21)的基板侧的底面(21d)到在俯视下与所述第一平坦部(21a)重叠的所述边缘罩(23)的第二电极(25)侧的表面(21m)为止的高度(H1)低于从所述底面(21d)到所述第二平坦部(21b)的第二电极(25)侧的表面(21u)为止的高度(H2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111149429A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201780095305.7
申请日：2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在有机EL显示装置(50a)中，有机EL元件(30)包括设置在平坦化膜(19a)上的第一电极(21)，在弯折部(G)处，在无机层叠膜(36)中形成开口部(S)，以填埋开口部(S)的方式设置边框平坦化膜(37)，在边框平坦化膜(37)上，以横穿开口部(S)的方式设置多条边框布线(38)，边框布线(38)由与第一电极(21)相同的金属材料形成，边框平坦化膜(37)由与平坦化膜(19a)相同的树脂材料形成。
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公开(公告)号：CN110476255A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201780089175.6
申请日：2017-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
Abstract: 本发明是设置在显示装置(1)的像素电路中的半导体装置(10)，从下方向侧起依次包括基板(11)、LTPS层(135SLA)、第一栅极绝缘层(14)、第一金属层(145GA、145GB)、第一平坦化层(15)、第二栅极绝缘层(16)、氧化物半导体层(165SLB)半导体层、第二金属层(165SB、165DB)、钝化层(17)以及第三金属层(165CA)。LTPS-TFT(10A)的栅极电极(145GA)与氧化物半导体TFT(10B)的栅极电极(145GB)由第一金属层形成。
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公开(公告)号：CN108140341A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680037763.0
申请日：2016-07-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/22
Abstract: 抑制在设置于基板与TFT之间的绝缘膜或者基板的表面生成突起物。有源矩阵基板具备：绝缘基板(100)；表面覆盖膜(110)，其覆盖绝缘基板的表面的至少一部分；绝缘性透光膜(204)，其设置在包括表面覆盖膜的绝缘基板上；栅极线；栅极绝缘膜；薄膜晶体管；数据线；以及引出配线(115)。在绝缘基板的周缘部形成未设置有绝缘性透光膜的区域。引出配线被设为，在从与绝缘基板垂直的方向观察时，与绝缘性透光膜的外周端部交叉。表面覆盖膜也设置于未设置有绝缘性透光膜的区域中与绝缘性透光膜的外周端部接触的部分。
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公开(公告)号：CN107851406A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040341.9
申请日：2016-07-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , B81B3/00 , B81B7/04 , G02B26/02 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/22 , H05B33/24 , H05B33/26
Abstract: 抑制设置在有源矩阵基板的TFT与基板之间的膜的端部产生裂缝。有源矩阵基板具有多个TFT。有源矩阵基板11具备基板100、TFT、透光膜204以及保护膜Cap4。TFT与多个像素分别对应地设置在基板100上。透光膜204设置于TFT与基板100之间。保护膜Cap4覆盖透光膜204的不与基板100平行的端面204b。TFT具有栅极电极、栅极绝缘膜、半导体膜、漏极电极以及源极电极。保护膜Cap4配置于透光膜204与TFT的半导体膜之间。
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公开(公告)号：CN106104810A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013007.X
申请日：2015-03-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 半导体器件具备薄膜晶体管(100)，薄膜晶体管(100)包括衬底(1)、设置在衬底(1)上的栅极电极(3)、形成在栅极电极(3)上的栅极绝缘层(5)、形成在栅极绝缘层(5)上的岛状的氧化物半导体层(7)、以覆盖氧化物半导体层(7)的上表面(7u)和整个侧面(7e)的方式设置并且具有仅使氧化物半导体层(7)的上表面(7u)的一部分露出的单个开口部(9p)的保护层(9)、在单个开口部(9p)内与氧化物半导体层(7)分别接触的源极电极(11)和漏极电极(13)。
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