-
公开(公告)号：CN101123291A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710141166.5
申请日：2007-08-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/78 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置，该氮化物半导体发光装置依次包括导电衬底、第一金属层、第二导电类型的半导体层、发射层、以及第一导电类型的半导体层。该氮化物半导体发光装置附加地具有至少覆盖第二导电类型半导体层、发射层、以及第一导电类型半导体层的侧面的绝缘层。本发明提供了一种氮化物半导体发光装置的制造方法。该氮化物半导体发光装置可进一步包括第二金属层。因此，本发明提供了一种可靠的氮化物半导体发光装置及其制造方法，其中与常规示例相比，PN结部分处的短路以及电流泄漏减小。
-
公开(公告)号：CN100364125C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510063803.2
申请日：2005-04-07
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/405
Abstract: 提供了一种发光氮化物半导体器件，其包括：一衬底(1)，覆盖所述衬底(1)的具有第一导电性的半导体层(2)，覆盖具有所述第一导电性的所述半导体层(2)的发光层(3)，覆盖所述发光层(3)的具有第二导电性的半导体层(4)，以及至少覆盖具有所述第二导电性的所述半导体层的第二电极(5)，其中，所述第二电极对主发光波长具有高反射率，并且所述发光器件使光主要在其侧面得到提取。
-
公开(公告)号：CN102931301A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210387555.7
申请日：2012-07-02
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 一种氮化物半导体发光元件，其依次具备n型氮化物半导体层、下部发光层、上部发光层、p型氮化物半导体层。下部发光层由多个下部阱层和被下部阱层夹持且带隙比下部阱层大的下部势垒层交替层积而成。上部发光层由多个上部阱层和被上部阱层夹持且带隙比上部阱层大的上部势垒层交替层积而成。上部发光层的上部势垒层的厚度比下部发光层的下部势垒层的厚度薄。
-
公开(公告)号：CN102881789A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210374452.7
申请日：2012-07-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/04 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件包括：第一导电型氮化物半导体层、设置在第一导电型氮化物半导体层上的超晶格层、设置在超晶格层上的活性层、设置在活性层上的第二导电型氮化物半导体层。超晶格层的平均载流子浓度高于活性层的平均载流子浓度。
-
公开(公告)号：CN102810610A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210174859.5
申请日：2012-05-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
CPC classification number: H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件具有：生长用基板、形成于该生长用基板上的n型氮化物半导体层、形成于该n型氮化物半导体层上的发光层、形成于该发光层上的p型氮化物半导体层，该氮化物半导体发光元件的管孔的密度形成为5000个/cm2以下，该管孔从n型氮化物半导体层的位于发光侧的表面朝向基板大致垂直地延伸，直径为2nm~200nm。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1964090B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200610136638.3
申请日：2006-10-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种氮化物基半导体器件及其制造方法，所述方法包括的步骤为：在蓝宝石衬底(1)上形成至少一个导电膜(2)；在该导电膜上形成至少一个氮化物基半导体层(3-8)；在蓝宝石衬底的自由表面上进行激光划线以形成沟槽或裂纹；以及，经由所述沟槽或裂纹，通过湿法蚀刻选择性地除去所述导电膜，从而除去所述蓝宝石衬底。可在衬底上形成至少一个导电膜作为该释放层或替代该释放层。
-
公开(公告)号：CN101123291B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710141166.5
申请日：2007-08-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/78 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置，该氮化物半导体发光装置依次包括导电衬底、第一金属层、第二导电类型的半导体层、发射层、以及第一导电类型的半导体层。该氮化物半导体发光装置附加地具有至少覆盖第二导电类型半导体层、发射层、以及第一导电类型半导体层的侧面的绝缘层。本发明提供了一种氮化物半导体发光装置的制造方法。该氮化物半导体发光装置可进一步包括第二金属层。因此，本发明提供了一种可靠的氮化物半导体发光装置及其制造方法，其中与常规示例相比，PN结部分处的短路以及电流泄漏减小。
-
公开(公告)号：CN101645482A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910165303.8
申请日：2009-08-05
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，其中，该氮化物半导体发光元件依次包括：由电介体构成的反射层、透明导电层、p型氮化物半导体层、发光层以及n型氮化物半导体层。透明导电层优选由导电性金属氧化物或n型氮化物半导体构成，由电介体构成的反射层优选具有高折射率电介体构成的层与低折射率电介体构成的层交互叠层而成的叠层结构。
-
公开(公告)号：CN1921161A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610121876.7
申请日：2006-08-25
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件的制造方法，包含：形成包含外延生长在基底基板上并包含有源层的多层半导体膜的晶片的步骤(P1、P2)、通过光激发晶片中的有源层并至少在两个温度点测量有源层的发射强度而对有源层进行合格/不合格判断的步骤(P3、P6、P8)、以及使用包含在合格/不合格判断中被判断为质量良好的有源层的多层半导体膜形成发光器件结构的步骤(P4、P5、P7、P9－P13)。
-
公开(公告)号：CN1855370A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610074666.7
申请日：2006-04-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01S5/0213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种制造氮化物基半导体器件的方法和如此制造的发光器件，该方法包括如下步骤：于第一衬底温度在衬底(1；11；21；31；41)上生长InxAlyGa1－x－yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)缓冲层(2；12；22；32；42)，和于第二衬底温度在所述缓冲层上生长第一导电类型氮化物基半导体层(4；14；24；34；44)。第一衬底温度高于第二衬底温度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.029 seconds)
