公开(公告)号：CN206301777U

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201621081475.9

申请日：2016-09-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·马佐拉 ,  B·维塔利 ,  M·德桑塔

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49

CPC classification number: H01L21/4828 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4822 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/10 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开涉及半导体封装件，包括：半导体裸片，具有有源表面；引线，具有相对的第一端部和第二端部；表面镀敷层，位于所述引线的第一端部上，所述引线经由所述表面镀敷层直接耦合至所述半导体裸片；密封剂，密封所述裸片和所述引线并露出所述引线的第二端部。

公开(公告)号：CN219917157U

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202320093604.X

申请日：2023-01-31

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·马佐拉 ,  F·马奇希

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/18

Abstract: 本公开涉及半导体器件。半导体器件，包括：衬底，衬底包括裸片焊盘旁边的导电焊盘；半导体集成电路芯片，被安装至衬底的裸片焊盘；导电夹具，位于半导体集成电路芯片和导电焊盘之间的桥状位置中，导电夹具具有面向半导体集成电路芯片和导电焊盘的耦合表面；焊料材料层，被施加在桥状位置中的导电夹具的耦合表面处，焊料材料层将导电夹具电耦合至半导体集成电路芯片并且电耦合至导电焊盘；以及一对互补定位结构，包括在导电夹具中的腔体和在半导体集成电路芯片和导电焊盘中的至少一项中的突起，互补定位结构相互接合。互补定位结构相互接合以将导电夹具保持在桥状位置中以避免焊接期间的位移。由此，提供了改进的半导体器件。

公开(公告)号：CN218333789U

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202221983339.4

申请日：2022-07-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·马佐拉 ,  R·蒂齐亚尼

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开的实施例涉及衬底和半导体器件。衬底，包括：雕刻式导电层状结构，在雕刻式导电层状结构中具有空间，其中雕刻式导电层状结构具有第一厚度并且包括至少一个管芯焊盘，至少一个管芯焊盘具有被配置为安装半导体芯片的第一管芯焊盘表面和与第一管芯焊盘表面相对的第二管芯焊盘表面；至少一个柱形成件，从第二管芯焊盘表面突出；以及绝缘预模制材料层，被模制到层状结构上，其中预模制材料层穿透到空间中以提供层状预模制衬底，层状预模制衬底在前表面与后表面之间具有第一厚度并且包括由预模制材料层在前表面处留下暴露的第一管芯焊盘表面利用本公开的实施例有效地抵消表面上的预模制材料层的不期望的飞边，从而导致管芯焊盘的较清洁表面。

公开(公告)号：CN218101253U

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202221661473.2

申请日：2022-06-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·马佐拉

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/48

Abstract: 本公开的各实施例涉及用于半导体器件的预模制引线框架和半导体器件。一种用于半导体器件的预模制引线框架，包括：导电材料的层状雕刻结构，包括相对的第一表面和第二表面以及多个裸片焊盘，裸片焊盘被配置为具有安装在其上的半导体器件组件；将电绝缘材料模制到导电材料的层状雕刻结构上；其中：多个裸片焊盘中的第一裸片焊盘和第二裸片焊盘在引线框架的第一表面的相邻位置处分别呈现第一延伸部和第二延伸部；以及引线框架的第二表面具有其中缺少电绝缘材料的凹陷部分，凹陷部分在第一延伸部与第二延伸部之间以桥接状延伸。由此，提供了改进的预模制引线框架。