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公开(公告)号：CN116432368A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210003374.3
申请日：2022-01-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20 , G06F113/18 , G06F119/08
Abstract: 本公开提供一种热电联合仿真方法及装置，方法包括：构建散热模型和热电仿真模型；获取用于表示器件热容随热阻变化规律的实际结构函数；对所述散热模型和热电仿真模型进行校准，以使得根据所述散热模型和热电仿真模型得到的仿真结构函数与所述实际结构函数对应的变化规律一致。该方法及装置可以大幅度提高热电仿真的准确性和精确性，提高了器件的设计和测试的效率，并且，极大地减少浪涌、短路等破坏性试验的次数，降低测试及研发成本。
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公开(公告)号：CN116344586A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310431333.9
申请日：2023-04-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 一种折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法，该折叠沟道氮化镓基场效应晶体管包括：基础层；多异质结层，包括在氮化镓半绝缘层上自下而上交替堆叠形成的沟道层和势垒层；氮化镓调控层，在多异质结层上从沟道区的一侧延伸到至少一部分沟槽；电流坍塌抑制结构，在多异质结层上形成于沟道区的另一侧，并与氮化镓调控层通过另一部分沟槽隔开；源极和漏极，在氮化镓半绝缘层上分别与多异质结层的两侧接触，漏极与电流坍塌抑制结构的侧面与部分上表面接触；栅极，形成于源极与氮化镓调控层之间的异质结上；连接结构，穿过栅极的上方电连接源极与氮化镓调控层。
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公开(公告)号：CN116304857A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310068589.8
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F18/241 , G01R31/28 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06F17/14 , G06F17/16
Abstract: 本申请提供一种芯片测试数据分析方法及装置，芯片位于晶圆上，方法包括：获取多个晶圆上多个芯片的测试数据，对测试数据进行质量分区，得到每个晶圆的二维的质量矩阵，利用希尔伯特Hilbert曲线对质量矩阵进行扫描，得到一维的晶圆‑希尔伯特扫描序列，将多个晶圆‑希尔伯特扫描序列进行排序，得到多个晶圆的质量序列矩阵，根据质量序列矩阵对多个晶圆上多个芯片的测试数据进行分析，也就是说，通过对包括多个芯片的晶圆对应的质量矩阵进行Hilbert曲线扫描，将质量矩阵中的信息压缩到一个二维的质量序列矩阵中，大大降低了芯片的测试数据的分析难度，提高了晶圆级芯片测试数据的分析效率。
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公开(公告)号：CN116206956A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310217553.1
申请日：2023-03-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及一种基于复合氧化铝中间层的晶圆键合器件和方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中通过水前驱体辅助生长氧化铝键合晶圆中界面气泡多的问题。所述器件包括第一晶圆、第二晶圆，以及位于所述第一晶圆和第二晶圆之间且从所述第一晶圆至所述第二晶圆依次叠加排列的前驱体臭氧辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层、前驱体水辅助生长氧化铝层和前驱体臭氧辅助生长氧化铝层，两个所述前驱体水辅助生长氧化铝层之间键合连接。该器件可以有效抑制界面处H2O气泡的产生。
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公开(公告)号：CN115931164A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211422240.1
申请日：2022-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本申请提供一种微区域温度测量方法和系统，该方法包括：将待测温度样品置于加装有亥姆霍兹线圈的载物台上，在待测温度样品上加入具有预设浓度的过氧化氢溶液；将Janus马达放入过氧化氢溶液中，以使Janus马达在过氧化氢溶液作用下自驱运动；控制亥姆霍兹线圈产生外加磁场，以使Janus马达运动至距离待测温度样品预设距离以内的区域；关闭外加磁场，获取预设时长内不同时刻的Janus马达的位置坐标；根据预设时长内不同时刻的Janus马达的位置坐标，计算得到Janus马达当前时间间隔下的均方位移；根据均方位移和当前时间间隔计算得到待测温度样品的温度。从而本申请采用了运动可控的自驱动Janus马达作为微纳尺度下的测温单元，具有操作可靠、便于观测和易于自动化等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115796087A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211434684.7
申请日：2022-11-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请实施例提供了一种集成电路电磁热耦合仿真方法及装置，利用针对集成电路中多个半导体器件以及连接线的几何结构参数和材料特性参数，构建针对该集成电路的电磁热耦合三维初始模型，该模型中将电、磁和热均考虑在内，对电磁热耦合三维初始模型进行有限元仿真，实现针对该集成电路在工作过程中电、磁和热的耦合分布进行仿真，并且分别得到该集成电路的电场分布和热场分布，形成最终的电磁热耦合三维仿真模型，由此可见，本申请中利用针对集成电路中多个半导体器件以及连接线的参数以及结合电磁热三个方面对集成电路进行仿真分析，提高对集成电路在工作状态时的仿真准确性，能够更好地描述集成电路在工作时的电磁热耦合过程。
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公开(公告)号：CN115527848A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110706098.2
申请日：2021-06-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3065 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及一种SiC沟槽的刻蚀方法，属于半导体加工技术领域，用于解决刻蚀后沟槽的侧壁粗糙度远高于外延和抛光过的晶圆表面，过高的粗糙度会降低导电沟道的迁移率和栅氧可靠性的问题。所述方法包括：在碳化硅基质表面制备图形化的掩膜层；对所述掩膜层进行图形优化；利用所述图形优化后的掩膜层对所述碳化硅基质进行刻蚀。本发明提供的技术方案能够降低刻蚀后碳化硅的侧壁粗糙度和表面波纹度，并保证器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN112802748B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202011642789.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供了一种降低氮化镓器件台面隔离漏电流的方法，包括：制备氮化镓器件，自下而上顺次包括衬底、外延结构层和电极层；采用ICP刻蚀氮化镓器件的外延结构层，形成台面结构；在快速退火炉中进行退火处理，修复刻蚀损伤；退火处理时，选用气体为O2、N2、Ar中的一种或几种，温度范围为300℃～550℃，退火所用时间范围为60s～180s。本公开工艺简单，降低漏电流效果明显，能够显著提升器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN111509036B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010369832.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有技术中介质与(Al,In)GaN材料之间居高不下的界面态问题。本发明低界面态复合介质结构，包括：(Al,In)GaN基板、Si2N2O层和位于(Al,In)GaN基板与Si2N2O层之间的Ga2O3层；(Al,In)GaN为GaN、Al1‑mGamN、In1‑mGamN或AlnIn1‑m‑nGamN，0＜m≤1，0≤n＜1。本发明有效降低界面态密度，有利于解决长期困扰III族氮化物(III‑N)体系的界面态问题，推动III‑N电子器件的规模化和实用化。
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公开(公告)号：CN115132837A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110321049.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在钝化处理过程中保护异质结构不受损伤，抑制栅极漏电，从而提高半导体器件的良率。所述半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的异质结构；异质结构具有源/漏极形成区和栅极形成区；源/漏极形成区和栅极形成区之间具有间隔；形成在源/漏极形成区的源/漏极；形成在栅极形成区和间隔上的钝化保护层；形成在钝化保护层位于栅极形成区的部分上的栅极；覆盖在栅极和钝化保护层上的钝化层；钝化层保护层用于隔离钝化层和异质结构。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
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