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公开(公告)号：CN100485984C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610004485.7
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN100446284C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200510128773.9
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2924/01015 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件的制造方法，该半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其中，所述制造方法包括下列步骤：形成所述半导体叠层结构的步骤；第二电极材料形成步骤，用于在所述p型半导体层上形成包含从铬、镍、金、钛、铂构成的一组材料中选出的至少两种材料的电极材料；以及热处理退火步骤，通过对所述第二电极材料和所述半导体叠层结构进行热处理，降低第二电极的接触电阻。
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公开(公告)号：CN1832214A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610004485.7
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0304 , H01S5/32 , H01S5/323
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1262024C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN03145870.X
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/324
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面上、形成第一电极的n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和形成第二电极的p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其特征在于：对所述第二电极在形成金属层之后进行热处理，以改善透光性和欧姆性能。
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公开(公告)号：CN1262021C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN98118311.5
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件及其制造方法，所述半导体器件具有衬底、在该衬底上形成的包含n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓III-V族化合物半导体层的叠层结层，以及连接n型半导体层的第1电极和连接p型半导体层的第2电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1790761A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510126712.9
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN1260833C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02142888.3
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN1160801C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN96120525.3
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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公开(公告)号：CN1484326A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03145869.6
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件，其特征在于包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；以及形成在所述p型半导体层上的第二电极；其中，所述第二电极具有从由铬、镍、金、钛、铂构成的一组中选出的至少二种材料的金属材料。
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公开(公告)号：CN1482690A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03145867.X
申请日：1994-04-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L31/1884 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05582 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , Y02E10/50 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化镓系化合物半导体发光器件，在绝缘衬底上至少依次层叠的n型氮化镓系化合物半导体层和p型氮化镓系化合物半导体层，所述p型氮化镓系化合物半导体层的侧面为发光观察面，其特征在于：在所述p型氮化镓系化合物半导体层的整个表面上形成有透光的第一电极，同时在所述第一电极上形成有贯通该第一电极的一部分的切口状窗口；在所述窗口上形成有与第一电极电连接的焊接用第二电极，以及所述第二电极与p型氮化镓系化合物半导体层粘结得比第一电极牢固。
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