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公开(公告)号：CN1106045C
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN95117565.3
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN1156909A
公开(公告)日：1997-08-13
申请号：CN96120525.3
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/042 , H01S3/025 , H01S3/19
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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公开(公告)号：CN1132942A
公开(公告)日：1996-10-09
申请号：CN95117565.3
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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公开(公告)号：CN1964093B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200610163959.2
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧的半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧的半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，其特征在于，所述p导电侧或n导电侧的半导体区域的至少一层氮化物半导体层，是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第一层与第二层积层而成的超晶格层。根据上述结构，可降低元器件的工作电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN100568549C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200510126712.9
申请日：1995-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100350641C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200410003720.X
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/343 , H01L31/0264
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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公开(公告)号：CN101027520A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580032269.7
申请日：2005-09-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: G02B6/4298 , A61B1/0017 , A61B1/0653 , A61B1/07 , A61B18/22 , A61B2018/2255 , G02B6/0003 , G02B6/0008 , G02B6/4206 , G02B6/4249
Abstract: 本发明的目的在于提供一种色调偏差少、颜色再现性丰富、彩色再现性高和/或发光效率良好的发光装置。该发光装置由射出激励光(1)的激励光源(10)；吸收从激励光源(10)射出的激励光(1)，进行波长变换放出规定波长区域的光(2)的波长变换部件(30)；和截面的中心部(芯体)的折射率比周边部(包覆层)的折射率高，向波长变换部件(30)导出从激励光源(10)射出的激励光(1)的导光管构成，波长变换部件(30)层叠有对不同波长的光进行波长变换的多个层而构成。
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公开(公告)号：CN1297016C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN98803128.0
申请日：1998-01-08
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L33/04 , H01S5/3216 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。
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公开(公告)号：CN1290153C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03146603.6
申请日：2003-07-07
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L21/76251 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/483 , H01L33/508 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/01013 , H01L2924/01037 , H01L2924/12032 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种具有相对向结构的氮化物半导体元件及其制造方法。在具有两个相对向的主面并具有比所述的n型和p型氮化物半导体层更大热膨胀系数的生长用基板的一个主面上，至少使n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层生长而形成结合用层叠体，然后，在p型氮化物半导体层上设置一层以上金属层而形成的第一结合层，同时在具有两个相对向的主面、比所述的n型和p型氮化物半导体层大且与所述的生长用基板具有同样小的热膨胀系数的基板的一个主面上设置由一层以上金属层形成的第二结合层，接着使第一结合层与第二结合层相对向，将结合用层叠体和支持基板热压结合，之后从结合用层叠体除去生长用基板，得到氮化物半导体元件。
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公开(公告)号：CN1264262C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200410003721.4
申请日：1996-11-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2202 , H01S5/3201 , H01S5/3206 , H01S5/321 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S5/3412 , H01S5/3413 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。
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