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公开(公告)号：CN110698331B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201910993087.X
申请日：2014-06-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C43/178
Abstract: 本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q1表示单键或m1价的有机基团，R1和R4分别表示碳原子数2～10的烷基、或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R2和R5分别表示氢原子或甲基，R3和R6分别表示碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。)所示的交联性化合物。
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公开(公告)号：CN110698331A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910993087.X
申请日：2014-06-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C43/178
Abstract: 本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q1表示单键或m1价的有机基团，R1和R4分别表示碳原子数2～10的烷基、或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R2和R5分别表示氢原子或甲基，R3和R6分别表示碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。)所示的交联性化合物。
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公开(公告)号：CN104185816B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201380015579.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/0271 , C08G12/26 , C08G12/40 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/2059 , H01L21/31133
Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具有耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了含有具有下述式(1)所表示的结构单元的聚合物抗蚀剂下层膜形成用组合物。环A和环B均是苯环，n1、n2、和n3是0，R4和R6是氢原子，R5是萘基。提供了一种半导体装置的制造方法，其包含以下工序：在半导体基板上通过所述抗蚀剂下层膜形成用组合物形成下层膜的工序，在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序，通过光或电子束的照射和显影形成抗蚀剂图案的工序，通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序，通过图案化的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序，以及通过图案化的下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN105324720A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480035763.8
申请日：2014-06-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q1表示单键或m1价的有机基团，R1和R4分别表示碳原子数2～10的烷基、或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R2和R5分别表示氢原子或甲基，R3和R6分别表示碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。)所示的交联性化合物。
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公开(公告)号：CN104765252A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510106827.5
申请日：2007-10-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/09
CPC classification number: G03F7/09 , G03F7/091 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明的课题是提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明解决问题的方法是，一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，从而形成涂膜的工序；通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序；通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序。上述聚合物是构成聚合物的主链或与主链结合的侧链具有苯环、杂环的聚合物。聚合物中苯环的含量为30～70质量％。聚合物是含有内酯结构的聚合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104412163A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380035136.X
申请日：2013-06-21
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种使用能够形成良好图案而不发生分辨极限恶化的下层膜材料的半导体装置的制造方法。解决手段是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体基板上形成有机下层膜的工序中，在该有机下层膜上形成无机硬掩模的工序中，在该无机硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序中，在通过进行光或电子射线的照射和溶剂显影而形成抗蚀剂图案的工序中，在利用抗蚀剂图案对该无机硬掩模进行蚀刻的工序中，在利用图案化了的无机硬掩模对有机下层膜进行蚀刻的工序中，以及在利用图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序中，该有机下层膜是通过用于形成有机下层膜的组合物的涂布和加热而获得的有机下层膜，所述组合物含有包含有机基团的化合物和有机溶剂，所述有机基团具有选自环氧基、异氰酸酯基、封闭异氰酸酯基和苯并环丁烯环基中的官能团。
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公开(公告)号：CN102472973B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201080036302.4
申请日：2010-08-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0752 , G03F7/094
Abstract: 本发明要提供兼有耐热性和耐蚀刻性的抗蚀剂下层膜。提供了含有脂环式环氧聚合物(A)与稠环式芳香族羧酸和单环式芳香族羧酸(B)的反应生成物(C)的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。上述脂环式环氧聚合物(A)具有下述式(1)：(T表示聚合物主链中的具有脂肪族环的重复结构单元，E表示环氧基或具有环氧基的有机基团。)所示的重复结构单元。此外，上述稠环式芳香族羧酸和单环式芳香族羧酸(B)中含有稠环式芳香族羧酸(B1)和单环式芳香族羧酸(B2)，它们的摩尔比为B1∶B2＝3∶7～7∶3的比例。进而上述稠环式芳香族羧酸(B1)是9-蒽甲酸，上述单环式芳香族羧酸(B2)是苯甲酸。
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公开(公告)号：CN103229104A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180057083.2
申请日：2011-12-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: H01L21/3081 , C09D139/04 , G03F7/0045 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题是提供用于半导体装置制造的光刻工艺的具备耐热性的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法是一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构，所述聚合物以摩尔比计为3～97：97～3的比例包含式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上通过形成抗蚀剂下层膜的组合物来形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；然后在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射与显影来形成图案化了的抗蚀剂膜的工序；按照图案化了的抗蚀剂膜对硬掩模进行蚀刻的工序；按照图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及按照图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN101164014B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200680013280.3
申请日：2006-04-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/161 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。
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公开(公告)号：CN102621814A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210060721.2
申请日：2006-04-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/161 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。
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