公开(公告)号：CN106030408B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201580008682.3

申请日：2015-02-13

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 藤谷德昌 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08F220/06 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题在于提供半导体装置的制造工序中的光刻工艺所使用的抗蚀剂上层膜形成用组合物，所述组合物不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时阻断不理想的曝光用光、例如UV、DUV而仅选择性透射EUV，此外曝光后能够用显影液显影。该抗蚀剂上层膜形成用组合物包含聚合物(P)和作为溶剂的碳原子数8～16的醚化合物，所述聚合物(P)含有下述式(1)及式(2)所示的单元结构、且利用凝胶渗透色谱法测得的重均分子量为500～2,000。

公开(公告)号：CN107111234A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580053983.8

申请日：2015-10-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西田登喜雄 ,  藤谷德昌 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/22 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，其能够形成表示抗蚀剂图案的线宽的不均匀度的LWR比以往小的抗蚀剂图案。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基和未被保护的羧基的化合物或该化合物的水合物、以及溶剂，所述化合物或该化合物的水合物相对于该聚合物100质量份为0.1质量份～30质量份。

公开(公告)号：CN106715619A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580049091.0

申请日：2015-09-18

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西田登喜雄 ,  志垣修平 ,  藤谷德昌 ,  远藤贵文 ,  坂本力丸

IPC: C09D201/00 ,  C08F212/12 ,  C09D5/00 ,  C09D7/00 ,  C09D183/04 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题在于提供一种新型的抗蚀剂图案被覆用涂布液。本发明涉及抗蚀剂图案被覆用涂布液以及使用该涂布液的抗蚀剂图案或反转图案的形成方法，所述抗蚀剂图案被覆用涂布液包含：A成分：含有至少1个羟基或羧基的聚合物；B成分：A‑SO3H(式中，A表示碳原子数1～16的直链状或支链状的烷基或氟代烷基、具有至少1个该烷基或氟代烷基作为取代基的芳香族基团、或可以具有取代基的碳原子数4～16的脂环式基团。)表示的磺酸；以及C成分：包含R1‑O‑R2及/或R1‑C(＝O)‑R2(式中，R1表示碳原子数3～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基，R2表示碳原子数1～16的直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基。)表示的醚或酮化合物的、可溶解上述聚合物的有机溶剂。

公开(公告)号：CN103221888B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201180055104.7

申请日：2011-11-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂本力丸 ,  藤谷德昌 ,  远藤贵文 ,  大西龙慈 ,  何邦庆

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/62 ,  C08G65/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/00 ,  C08L67/04 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明的课题在于：本发明的目的是得到虽然包含苯环等芳香族环，但干蚀刻速度的选择比大、而且对降低在EUV(波长13.5nm)光刻中成为大问题的LER有用的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。另外，本发明的目的是得到使抗蚀剂下层膜上的抗蚀剂图案形成所期望的形状的、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的。

公开(公告)号：CN104937493A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201480005361.3

申请日：2014-01-24

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 大西龙慈 ,  坂本力丸 ,  藤谷德昌

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时阻断不优选的曝光光，例如UV、DUV而仅选择性透射EUV，此外曝光后能够用显影液显影的半导体装置的制造工序中的光刻工艺所使用的抗蚀剂上层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种抗蚀剂上层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的可以被取代的碳原子数8～16的醚化合物，所述聚合物包含：由碳原子数1～10的饱和烷基构成且其氢原子的一部分或全部被氟原子取代的有机基团。

公开(公告)号：CN104136997A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380011378.5

申请日：2013-02-26

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  坂本力丸 ,  藤谷德昌

IPC: G03F7/11 ,  C08G63/00 ,  C08G65/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/092 ,  C08G63/6856 ,  C08G63/91 ,  C08G65/40 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成提高了与抗蚀剂的密合性的抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的手段是，一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含主链具有下述式(1)所示的重复结构单元的聚合物和有机溶剂。(1)(式中，R1表示氢原子或甲基，Q1表示下述式(2)或式(3)所示的基团，v1和v2各自独立地表示0或1。)(2)(3)(式中，R2、R3、R5和R6各自独立地表示氢原子或碳原子数1～4的直链状或支链状的烃基，R4表示氢原子或甲基，R7表示碳原子数1～6的直链状或支链状的烃基、碳原子数1～4的烷氧基、碳原子数1～4的烷硫基、卤原子、氰基或硝基，w1表示0～3的整数，w2表示0～2的整数，x表示0～3的整数。)

公开(公告)号：CN103649835A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280035179.3

申请日：2012-07-31

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂本力丸 ,  藤谷德昌 ,  远藤贵文 ,  大西龙慈 ,  何邦庆

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/12 ,  C08G73/06 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08G73/06 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3086

Abstract: 本发明的课题是提供用于使用了EUV光刻的器件制作工序，降低由EUV带来的不良影响，对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物，以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有式(1)：(式中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自表示氢原子、甲基或乙基，X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0)，Q表示式(5)或式(6))所示的重复单元结构的聚合物、和溶剂。包含具有式(1)所示的重复单元结构的聚合物、交联性化合物和溶剂的形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。

公开(公告)号：CN102084301B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200980126339.3

申请日：2009-07-23

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 丸山大辅 ,  境田康志 ,  何邦庆 ,  桥本圭祐 ,  藤谷德昌

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02282 ,  C08G77/04 ,  C08G77/60 ,  C08L83/04 ,  G03F7/405 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122

Abstract: 本发明的课题在于得到适合于“反式构图”，用于形成覆盖抗蚀图案的膜的理想涂布组合物。为了解决上述课题，使用含有有机聚硅氧烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和季铵盐或季盐的光刻用涂布组合物，或者使用含有聚硅烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和选自交联剂、季铵盐、季盐和磺酸化合物中的至少1种添加剂的光刻用涂布组合物，上述聚硅烷的末端具有硅烷醇基、或该硅烷醇基和氢原子。