-
公开(公告)号：CN106169440A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610332922.1
申请日：2016-05-18
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/0245 , C23C16/04 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L21/28562 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L27/10891 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L21/76838
Abstract: 本发明涉及用多阶段核化抑制填充特征，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。方法包括执行多阶段抑制处理，其包括各阶段之间的间隔。在间隔期间，可以使等离子体源功率、衬底偏置功率、或处理气体流量中的一种或多种降低或者使其关闭。本文所述的方法可用于填充垂直特征，如钨通孔，以及水平特征，如垂直NAND(VNANA)字线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字线填充、垂直集成存储栅极和字线填充、以及使用通硅通孔的3‑D集成。
-
公开(公告)号：CN105470194A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510644832.1
申请日：2015-09-30
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及用核化抑制的特征填充，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。使用预抑制和后抑制治疗来调节抑制效应，从而促进使用跨越宽的工艺窗口来抑制特征填充。本文所述的方法可用于填充垂直特征，诸如钨通孔，以及水平特征，诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极和字元线填充、以及使用通硅通孔的3-D集成。
-
公开(公告)号：CN111989768B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201880089300.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 袁光璧 , 泰迪亚斯·班福德 , 柯蒂斯·沃伦·贝利 , 托尼·考沙尔 , 克里希纳·比鲁 , 威廉·施洛瑟 , 达莫达·尚巴格 , 龚波 , 邱华檀 , 赖锋源 , 许晨华 , 杰弗里·霍恩 , 罗希特·哈雷 , 伦纳德·韦·丰·许 , 阿南德·查德拉什卡 , 安德鲁·H·布伦宁格 , 刘刚
IPC: H01L21/56 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 在非原位原子层沉积处理中形成保护涂层以涂覆一或多个后续被安装至反应室中的室部件，提供了与传统的涂覆方法如底涂层的原位沉积相比的许多优点。在某些情况下，保护涂层可具有特定的组成，如铝的氧化物、铝的氟化物、铝的氮化物、钇的氧化物和/或钇的氟化物。保护涂层可有助于减少利用经涂覆的室部件处理的晶片上的污染。另外，保护涂层可起作用以稳定反应室内的处理条件，由此在处理许多批次晶片的过程期间达到非常稳定/均匀的处理结果，并且最少化自由基损失。还描绘了许多可用于恢复在经涂覆的室部件用于处理半导体晶片之后的保护涂层的技术。
-
公开(公告)号：CN113424308B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202080014189.3
申请日：2020-02-13
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 提供了用于半导体制造中的选择性抑制控制的系统和方法。一种示例性方法包括提供包括具有特征内部和一个或多个特征开口的特征的衬底。在特征内部的表面上形成成核层。基于差异化抑制轮廓，在成核层的表面上选择性地形成非保形本体层以留下由非保形本体层覆盖的成核层的区域，以及未覆盖的成核层的区域。在成核层的覆盖和未覆盖区域上选择性地形成抑制层。根据差异化抑制轮廓将钨沉积在特征中。
-
公开(公告)号：CN118648098A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380019723.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本文公开包含晶片卡盘和喷头的处理工具。在至少一实现方案中，晶片卡盘被耦合至可操作以相对于喷头竖直移动晶片卡盘的马达。在至少一实现方案中，承载环介于晶片卡盘与喷头之间。在至少一实现方案中，承载环包含在晶片卡盘上的晶片的边缘上方延伸的悬垂部。在至少一实现方案中，承载环机械地耦合至可操作以相对于晶片卡盘竖直移动承载环的心轴。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115362531A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180025794.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 本文提供了用金属填充特征的方法，其包括抑制金属成核。还提供了增强抑制的方法和减少或消除金属成核抑制的方法。
-
公开(公告)号：CN115151680A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016023.X
申请日：2021-02-17
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/54 , C23C16/458 , H01L21/285 , H01L21/768
Abstract: 本文提供了在半导体晶片的边缘区域处控制处理均匀性的方法及装置。在一些实施方案中，所述方法包括提供背侧抑制气体而作为沉积‑抑制‑沉积(DID)序列的一部分。
-
公开(公告)号：CN113424308A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014189.3
申请日：2020-02-13
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285
Abstract: 提供了用于半导体制造中的选择性抑制控制的系统和方法。一种示例性方法包括提供包括具有特征内部和一个或多个特征开口的特征的衬底。在特征内部的表面上形成成核层。基于差异化抑制轮廓，在成核层的表面上选择性地形成非保形本体层以留下由非保形本体层覆盖的成核层的区域，以及未覆盖的成核层的区域。在成核层的覆盖和未覆盖区域上选择性地形成抑制层。根据差异化抑制轮廓将钨沉积在特征中。
-
公开(公告)号：CN111989768A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201880089300.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 袁光璧 , 泰迪亚斯·班福德 , 柯蒂斯·沃伦·贝利 , 托尼·考沙尔 , 克里希纳·比鲁 , 威廉·施洛瑟 , 达莫达·尚巴格 , 龚波 , 邱华檀 , 赖锋源 , 许晨华 , 杰弗里·霍恩 , 罗希特·哈雷 , 伦纳德·韦·丰·许 , 阿南德·查德拉什卡 , 安德鲁·H·布伦宁格 , 刘刚
IPC: H01L21/56 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 在非原位原子层沉积处理中形成保护涂层以涂覆一或多个后续被安装至反应室中的室部件，提供了与传统的涂覆方法如底涂层的原位沉积相比的许多优点。在某些情况下，保护涂层可具有特定的组成，如铝的氧化物、铝的氟化物、铝的氮化物、钇的氧化物和/或钇的氟化物。保护涂层可有助于减少利用经涂覆的室部件处理的晶片上的污染。另外，保护涂层可起作用以稳定反应室内的处理条件，由此在处理许多批次晶片的过程期间达到非常稳定/均匀的处理结果，并且最少化自由基损失。还描绘了许多可用于恢复在经涂覆的室部件用于处理半导体晶片之后的保护涂层的技术。
-
公开(公告)号：CN118369745A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280080963.X
申请日：2022-12-07
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 索恩·武·纳姆·德兰 , 阿南德·查德拉什卡 , 钢·L·刘 , 蒂莫西·斯科特·皮尔斯伯里
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/56
Abstract: 本文提供了用金属填充特征的方法，其包括抑制金属成核。本公开的一个方面涉及一种方法，所述方法包括提供具有特征和场区域的衬底，其中所述特征待用金属进行填充，所述特征包括特征表面和特征开口：执行抑制处理以抑制所述特征表面中的至少一些上的金属沉积；在执行所述抑制处理之后，执行第一化学气相沉积(CVD)操作，所述第一化CVD操作包括将所述特征暴露于金属前体和氢(H2)；在执行所述第一CVD操作之后，执行去抑制处理以减轻抑制；以及在减轻抑制之后，执行第二CVD操作，以在所述特征和/或在所述场区域中沉积金属。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.031 seconds)
