公开(公告)号：CN119585466A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380053495.1

申请日：2023-05-11

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 詹姆斯·弗里斯特·李 ,  黄彦辉 ,  查德·阿德里安·博德特 ,  阿德里亚娜·文蒂拉 ,  丹尼尔·博特赖特 ,  柯蒂斯·沃伦·贝利

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/26

Abstract: 一种装置包括主体，其具有包含有气体分配端口(下文中称为“端口”)的第一表面。第一表面分成多个区域。端口包括：分布在所述区域中的第一区域上的第一端口，每一第一端口经由对应的第一气体分配流径流体连接至第一气体入口；分布在所述区域中的第二区域上的第二端口，每一第二端口经由对应的第二气体分配流径流体连接至第二气体入口；以及分布在所述区域中的第三区域上的第三端口，每一第三端口经由对应的第三气体分配流径流体连接至第三气体入口。第一区域使第二与第三区域相互分开。在主体内，第一气体分配流径与第二和第三气体分配流径的每一者分开。

公开(公告)号：CN111989768B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201880089300.8

申请日：2018-12-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 袁光璧 ,  泰迪亚斯·班福德 ,  柯蒂斯·沃伦·贝利 ,  托尼·考沙尔 ,  克里希纳·比鲁 ,  威廉·施洛瑟 ,  达莫达·尚巴格 ,  龚波 ,  邱华檀 ,  赖锋源 ,  许晨华 ,  杰弗里·霍恩 ,  罗希特·哈雷 ,  伦纳德·韦·丰·许 ,  阿南德·查德拉什卡 ,  安德鲁·H·布伦宁格 ,  刘刚

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 在非原位原子层沉积处理中形成保护涂层以涂覆一或多个后续被安装至反应室中的室部件，提供了与传统的涂覆方法如底涂层的原位沉积相比的许多优点。在某些情况下，保护涂层可具有特定的组成，如铝的氧化物、铝的氟化物、铝的氮化物、钇的氧化物和/或钇的氟化物。保护涂层可有助于减少利用经涂覆的室部件处理的晶片上的污染。另外，保护涂层可起作用以稳定反应室内的处理条件，由此在处理许多批次晶片的过程期间达到非常稳定/均匀的处理结果，并且最少化自由基损失。还描绘了许多可用于恢复在经涂覆的室部件用于处理半导体晶片之后的保护涂层的技术。

公开(公告)号：CN111989768A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201880089300.8

申请日：2018-12-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 袁光璧 ,  泰迪亚斯·班福德 ,  柯蒂斯·沃伦·贝利 ,  托尼·考沙尔 ,  克里希纳·比鲁 ,  威廉·施洛瑟 ,  达莫达·尚巴格 ,  龚波 ,  邱华檀 ,  赖锋源 ,  许晨华 ,  杰弗里·霍恩 ,  罗希特·哈雷 ,  伦纳德·韦·丰·许 ,  阿南德·查德拉什卡 ,  安德鲁·H·布伦宁格 ,  刘刚

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 在非原位原子层沉积处理中形成保护涂层以涂覆一或多个后续被安装至反应室中的室部件，提供了与传统的涂覆方法如底涂层的原位沉积相比的许多优点。在某些情况下，保护涂层可具有特定的组成，如铝的氧化物、铝的氟化物、铝的氮化物、钇的氧化物和/或钇的氟化物。保护涂层可有助于减少利用经涂覆的室部件处理的晶片上的污染。另外，保护涂层可起作用以稳定反应室内的处理条件，由此在处理许多批次晶片的过程期间达到非常稳定/均匀的处理结果，并且最少化自由基损失。还描绘了许多可用于恢复在经涂覆的室部件用于处理半导体晶片之后的保护涂层的技术。