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公开(公告)号：CN101568951A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001272.6
申请日：2008-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09G3/294 , G09G3/2965
Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示面板驱动装置及等离子体显示器。该装置包括生成施加在等离子体显示面板的电极上的驱动脉冲的电极驱动部。电极驱动部具有多个开关，多个开关中的至少一个开关是使用了双栅极半导体元件(10)的开关元件。双栅极半导体元件(10)具有形成在衬底(11)上且由氮化物半导体或碳化硅构成的半导体形成的半导体层叠层体(13)、在半导体层叠层体(13)上相互保持间隔形成的源电极(16)与漏电极(17)、在源电极(16)与漏电极(17)之间从源电极(16)一侧开始依次形成的第一栅电极(18A)与第二栅电极(18B)。
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公开(公告)号：CN101022128A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610142861.9
申请日：2006-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/432 , H01L29/66462
Abstract: 一种能够获得充足电流密度的常非导通型氮化物半导体装置。在衬底(601)上依次形成氮化铝缓冲层(602)、非掺杂的氮化镓层(603)、非掺杂的氮化镓铝层(604)、第一p型氮化镓铝层(605)、第二p型氮化镓铝层(607)、高浓度p型氮化镓层(608)，且栅极电极(611)和高浓度p型氮化镓层进行欧姆接触。在非掺杂的氮化镓铝层上设有源极电极(609)及漏极电极(610)。在栅极区域形成了由非掺杂的氮化镓铝层和非掺杂的氮化镓层之间的界面上产生的2维电子气和第一p型氮化镓铝层及第二p型氮化镓铝层生成的pn结。还有，第二p型氮化镓铝层将氮化硅膜(606)的一部分覆盖住。
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公开(公告)号：CN101009325A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610171710.6
申请日：2006-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/432 , H01L29/66462
Abstract: 提供一种能够实现最大电流的下降以及通态电阻的上升等电特性的恶化小的常关型的晶体管。晶体管包括：第一半导体层(13)，其形成在衬底(11)上；第二半导体层(14)，其形成在第一半导体层(13)上，与第一半导体层(13)相比带隙大；控制层(15)，其形成在第二半导体层(14)上，含有p型的杂质；栅电极(20)，其设置成与控制层(15)的一部分相接；和源电极(18)及漏电极(19)，其设置在控制层(15)的两侧方。在控制层(15)和第二半导体层(14)之间形成有第三半导体层(21)，其是由蚀刻率小于控制层(15)的材料制成的。
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公开(公告)号：CN1495909A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03155714.7
申请日：2003-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/73 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/0817 , H01L29/42304 , H01L29/7371
Abstract: 一种双极晶体管，在衬底(11)的上边，用外延生长法，依次叠层集电极接触层(12)、集电极层(13)、基极层(14)、发射极层(15)和发射极接触层(16)。在基极层(14)的外部基极区域(14b)内，在发射极层(15)的附近的区域上，设置由与发射极层(15)相同半导体材料构成的电容膜(18)。此外，在外部基极区域(14b)的上边和电容膜(18)的上边设置基极电极(19)。实现了得到热稳定性和高频特性良好而不会增大芯片面积和制造成本的目的。
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