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公开(公告)号：CN101399281A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810173816.9
申请日：2004-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像器件，漏电流小，并具有元件分离结构。该固体摄像器件，形成在硅片上，还包括具有与各个像素相对应的摄像区，其中包括具有第1导电型电荷存储区的光电二极管，晶体管和元件隔离部，上述元件隔离部的深度小于其杂质浓度最大的上述第1导电型电荷存储区的深度。
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公开(公告)号：CN1877846A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610073224.0
申请日：2006-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 森三佳
IPC: H01L27/146 , H01L21/822 , H01L21/76
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法。在具有设置在硅衬底(1)上部的光电二极管(2)、和通过元件隔离区域(3)与光电二极管(2)分离开的金属氧化物半导体场效应晶体管的活性区域的固体摄像装置中，使元件隔离区域(3)上部宽度比下部宽度宽。因此，能够提供一种在确保元件隔离用区域的电气隔离特性的状态下，实现像素尺寸的微细化和受光区域面积的增大，并且随机干扰和白缺陷很少的固体摄像装置、摄象机以及固体摄像装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN1703901A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200380100976.6
申请日：2003-11-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14641 , H04N5/3741 , H04N5/37457
Abstract: 在固体摄像装置中，沿行方向配置将入射光变换成电能的光电变换部(PD)部(1、2、3、4)，还与各PD部(1～4)在列方向上邻接地配置着PD部(5、6、7、8)。被第1行包含的传输晶体管(13)和被第2行包含的传输晶体管(14)的各栅极，与第1READ线(32)连接；被第1行包含的传输晶体管(17)和被第2行包含的传输晶体管(18)的各栅极，与第2READ线(33)连接。来自第2行及第3行包含的PD部(2、3、6、7)的电荷，都积蓄在第2FD部(10)中。
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公开(公告)号：CN103703759A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201280037094.9
申请日：2012-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/357 , H04N5/359 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/3742 , H04N5/3575 , H04N5/363 , H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本发明具备：外延层（2）；多个像素电极（11）；被形成在多个像素电极上，将光转换成电信号的光电转换膜（12）；被形成在光电转换膜（12）上的透明电极（13）；以与多个像素电极（11）分别对应的方式被形成在外延层（2）内，并与对应的像素电极（11）电连接，对通过光电转换而在光电转换膜（12）生成的电荷进行蓄积的n型电荷蓄积区域（14）；以与电荷蓄积区域（14）的底部分别接触的方式被形成在外延层（2）内的p型电荷势垒区域（21）；以与电荷势垒区域（21）的底部分别接触的方式被形成在外延层（2）内的n型电荷排出区域（22）。
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公开(公告)号：CN102893400A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180023800.X
申请日：2011-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L31/02325 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L31/18
Abstract: 一种固体摄像装置（10），多个像素被排列成二维状，该固体摄像装置具备硅层（101）；多个光电二极管（111），在硅层（101）内与多个像素对应地形成，通过将入射的光进行光电变换而生成信号电荷；以及多个滤色器（122a～122c），在硅层（101）的上方与多个像素对应地形成；多个滤色器（122a～122c）分别在作为相邻的滤色器之间的区域、并且是硅层（101）侧的区域的区域中，形成有折射率比滤色器（122a～122c）低的凸部（121），多个滤色器（122a～122c）分别在凸部（121）的上方与相邻的滤色器接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102282674A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200980154771.3
申请日：2009-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/266 , H01L27/14609 , H01L27/14689
Abstract: 阵列状排列的像素部(10)具备光电变换部(11)、将电荷传输到浮动扩散层(12)的传输晶体管(13)、以及将传输的电荷输出到输出线的放大晶体管(14)，相邻的光电变换部(11)间、以及光电变换部(11)和放大晶体管(14)之间通过绝缘隔离部(22)进行隔离。绝缘隔离部(22)具有在光电变换部(11)间未配置有放大晶体管(14)的第1区域(A)、和在光电变换部(11)间配置有放大晶体管(14)的第2区域(B)，在绝缘隔离部(22)的下方，形成有第1隔离扩散层(23)和第2隔离扩散层(24)，在的第1区域(A)，第2隔离扩散层(24)的宽度比第1隔离扩散层(23)的宽度宽。
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公开(公告)号：CN102272930A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153560.8
申请日：2009-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14654
Abstract: 以阵列状排列的像素部(10)的相邻的光电转换部(11)之间、以及光电转换部(11)和放大晶体管(14)之间分别用绝缘隔离部(22)进行隔离，绝缘隔离部(22)具有在光电转换部(11)之间未配置放大晶体管(14)的第一区域(A)和配置了放大晶体管(14)的第二区域(B)。在第一区域(A)的绝缘隔离部(22)的下方，形成有低浓度的第一隔离扩散层(23)，在第二区域(B)的绝缘隔离部(22)的下方，形成有高浓度的第二隔离扩散层(24)和低浓度的第一隔离扩散层(23)。第二区域(B)中的放大晶体管(14)的源极·漏极区域形成在与第二隔离扩散层(24)同时形成的阱区域(25)内。
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公开(公告)号：CN100472789C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200410075208.6
申请日：2004-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像器件，漏电流小，并具有元件分离结构。该固体摄像器件，形成在硅片上，还包括具有与各个像素相对应的摄像区，其中包括具有第1导电型电荷存储区的光电二极管，晶体管和元件隔离部，上述元件隔离部的深度小于其杂质浓度最大的上述第1导电型电荷存储区的深度。
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公开(公告)号：CN100362854C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200380100976.6
申请日：2003-11-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14641 , H04N5/3741 , H04N5/37457
Abstract: 在固体摄像装置中，沿行方向配置将入射光变换成电能的光电变换部(PD)部(1、2、3、4)，还与各PD部(1～4)在列方向上邻接地配置着PD部(5、6、7、8)。被第1行包含的传输晶体管(13)和被第2行包含的传输晶体管(14)的各栅极，与第1READ线(32)连接；被第1行包含的传输晶体管(17)和被第2行包含的传输晶体管(18)的各栅极，与第2READ线(33)连接。来自第2行及第3行包含的PD部(2、3、6、7)的电荷，都积蓄在第2FD部(10)中。
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公开(公告)号：CN1828918A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006244.6
申请日：2006-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L31/02164
Abstract: 在使用铜布线的金属氧化半导体(MOS)型等的固体摄像装置及其制造方法中，实现了暗电流和白斑数的降低和感度的提高。本发明的半导体装置，包括衬底(101)；形成在衬底(101)上，具有光电转换部(103)的光电转换单元呈阵列状排列的摄像区域；形成在衬底(101)上，进行摄像区域的控制和来自摄像区域的信号的输出的周围电路区域；形成在衬底(101)上且由含铜材料形成的含铜布线层(132、134、138)，且，作为为防止铜扩散的扩散防止层，在光电转换部(103)上形成第一扩散防止层(121)的同时，还按顺序形成了含铜布线层(132、134、138)上的扩散防止层(122、123、124)。
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