公开(公告)号：CN102067286B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200980115958.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  加藤亮 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C30B25/10 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体层的形成方法，其包括步骤(S1)，其将至少在上面具有m面氮化物半导体晶体的基板配置于MOCVD装置的反应室内；升温步骤(S2)，其加热反应室内的基板，使基板的温度上升；和生长步骤(S3)，其在基板上使氮化物半导体层生长。在升温步骤(S2)中，向反应室内提供氮原料气体和III族元素原料气体，可以形成即使厚度为400nm也具有平滑的表面的m面氮化物半导体晶体，也可以大幅缩短其形成时间。

公开(公告)号：CN102881795A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210102074.7

申请日：2012-04-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/18 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225

Abstract: 氮化物系半导体发光元件(300)具备基板(304)和氮化物半导体层叠构造，氮化物半导体层叠构造具有用于射出偏振光的氮化物半导体活性层(306)，基板(304)的多个侧面(332)中的至少一个侧面相对于基板(304)的主面(333)而形成的角度θ大于90度，基板(304)的多个侧面(332)中的至少一个侧面与基板(304)的主面(333)之间的交线相对于偏振光的主面(333)内的偏振方向(324)而形成的角度的绝对值即角度θ2(mod 180度)是不包含0度与90度的角度。

公开(公告)号：CN102067286A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980115958.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  加藤亮 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C30B25/10 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体层的形成方法，其包括步骤(S1)，其将至少在上面具有m面氮化物半导体晶体的基板配置于MOCVD装置的反应室内；升温步骤(S2)，其加热反应室内的基板，使基板的温度上升；和生长步骤(S3)，其在基板上使氮化物半导体层生长。在升温步骤(S2)中，向反应室内提供氮原料气体和III族元素原料气体，可以形成即使厚度为400nm也具有平滑的表面的m面氮化物半导体晶体，也可以大幅缩短其形成时间。

公开(公告)号：CN202405309U

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201120398988.3

申请日：2011-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤金正树 ,  井上彰 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/18 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本实用新型的发光器件具有放射偏振光的氮化物半导体发光元件(402)、和覆盖氮化物半导体发光元件(402)的光提取面并含有树脂和分散在树脂内的非荧光体粒子的光提取控制层(404)，光提取控制层(404)以0.01vol％以上10vol％以下的比例含有非荧光体粒子，非荧光体粒子的直径为30nm以上150nm以下。

公开(公告)号：CN202695521U

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201220147307.0

申请日：2012-04-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/18 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225

Abstract: 氮化物系半导体发光元件(300)具备基板(304)和氮化物半导体层叠构造，氮化物半导体层叠构造具有用于射出偏振光的氮化物半导体活性层(306)，基板(304)的多个侧面(332)中的至少一个侧面相对于基板(304)的主面(333)而形成的角度θ大于90度，基板(304)的多个侧面(332)中的至少一个侧面与基板(304)的主面(333)之间的交线相对于偏振光的主面(333)内的偏振方向(324)而形成的角度的绝对值即角度θ2(mod 180度)是不包含0度与90度的角度。