公开(公告)号：CN102891182A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210252613.5

申请日：2012-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高桥正弘 ,  本田达也 ,  波多野刚久

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及半导体装置，提供一种实现常截止的开关元件的晶体管结构及其制造方法。提供一种提高晶体管的导通特性而实现半导体装置的高速响应、高速驱动的结构及其制造方法。提供一种可靠性高的半导体装置。在按顺序层叠有半导体层、源电极层或漏电极层、栅绝缘膜及栅电极层的晶体管中，作为该半导体层使用至少包含铟、镓、锌及氧这四种元素，在由原子百分率表示所述四种元素的组成比时，铟的比例是镓的比例及锌的比例的两倍以上的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN1790741B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200510118808.0

申请日：2005-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本文本公开的是一种半导体器件，具有作为形成构造区域的岛半导体薄膜作为源极或漏极区与岛半导体薄膜的侧面接触的半导体薄膜以及制造该半导体器件的方法。由于制造供沟道形成区用的岛半导体薄膜和供作为源极或漏极的半导体薄膜不使用掺杂装置，制造成本得以降低。源极区或漏极区与作为沟道形成区的岛半导体薄膜的侧面接触，耗尽层不仅在薄膜的厚度方向而且横的方向上加宽了，从而由漏极电压形成的电场减弱了。因此可以支撑具有高度可靠性的半导体器件。

公开(公告)号：CN102593187A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210044361.7

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101335275B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200810145973.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  G02F1/167

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN1734736B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200510091030.9

申请日：2005-08-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  本田达也 ,  小路博信 ,  中村理 ,  铃木幸惠 ,  川俣郁子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1277 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。

公开(公告)号：CN101887857A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010206970.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101419350A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810170629.5

申请日：2008-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/36 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H05B33/00

CPC classification number: G09G3/32 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/0233 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明的显示装置包括信号线和像素。其中，像素包括：第一开关元件；其第一电极通过开关元件电连接到信号线的第一电容元件；电连接到第一电容元件的第一电极的显示元件；第二开关元件；通过第二开关元件电连接到电容元件的第二电极的电荷供给端子。将信号线的电位和电荷供给线之间的电位差施加到电容元件。将写入时的电容元件的电压设定为高于显示元件的电压。通过采用这种结构，可以减少保持在电容元件的电压因第一开关元件的下降而降低，并且维持施加到显示元件的所希望的电压。

公开(公告)号：CN101236897A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810009449.9

申请日：2008-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  伊佐敏行 ,  本田达也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3274 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。

公开(公告)号：CN1941299A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610141329.5

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN1580798A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410076676.5

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  浅野悦子

IPC: G01R31/26 ,  G01R19/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2621 ,  G01R31/27 ,  G01R31/2831

Abstract: 本发明的目的是提供一种评估包括半导体、绝缘体和导体的半导体器件的方法。本发明具有向导体施加电压以测量电流值的第一步骤，将电流值除以其中半导体与导体交迭的区域面积来计算电流密度Jg的第二步骤，和通过使用具有半径r的倒数和电流密度Jg的公式Jg＝2A/r+B(A和B分别是常数)的系数，来计算耗尽层边缘泄漏电流和面内泄漏电流的第三步骤。可选择的，本发明具有第一步骤、第二步骤和另一使用具有半导体沟道宽度W的倒数与沟道长度L的倒数及电流密度Jg的公式Jg＝A/W+B/L+C(A、B与C分别为常数)的系数，来计算耗尽层边缘泄漏电流、面内泄漏电流和硅边缘泄漏电流的第三步骤。