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公开(公告)号：CN103548420B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280024692.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L27/3276 , C22C21/00 , H01L27/3248 , H01L51/5218
Abstract: 提供一种配线结构，其具有具备Al合金膜的有机EL显示器用的反射阳极电极，该Al合金膜耐久性优异，即便使Al反射膜直接与有机层连接，也能够确保稳定的发光性能，而且可以实现高成品率。本发明涉及在基板上具有构成有机EL显示器用的反射阳极电极的Al合金膜，和含发光层的有机层的配线结构，其中，所述Al合金膜含有特定的稀土类元素为0.05～5原子％，在所述Al合金膜上直接连接有所述有机层。
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公开(公告)号：CN103403214A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010495.5
申请日：2012-02-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C21/00 , C22F1/00 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C22C21/00 , C22F1/04 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01L21/28008 , H01L21/2855 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高温耐热性优良，膜自身的电阻（配线电阻）也低，且碱环境下的耐蚀性也优良的显示装置用Al合金膜。本发明涉及一种Al合金膜，其含有Ge（0.01～2.0原子%）和X组元素（Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re及/或Os），且对进行450～600℃的加热处理时的含有Al、X组元素及Ge的析出物中的当量圆直径为50nm以上的析出物的密度进行控制。
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公开(公告)号：CN102486695A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010625209.9
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种尤其相对于横方向耐久性优异，难以引起断线及经时的电阻的增加，可靠性高的触摸面板传感器。本发明的触摸面板传感器，其具有透明导电膜及与所述透明导电膜连接的布线，布线自基板侧按顺序由高融点金属膜、Al合金膜、高融点金属膜构成，Al合金膜含有0.05～5原子％的稀土元素，且，杨氏模量为80～200GPa，晶粒的规定方向切线直径(Feret直径)的最大值为100～350nm。
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公开(公告)号：CN101542696B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101335294A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810128672.5
申请日：2008-06-23
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/45 , H01L29/786 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 提供一种即使减少Al合金中的合金元素，仍能够降低与透明氧化物导电膜的接触阻抗的低接触阻抗型电极，和用于制造这种电极的有用的方法，以及具有这种电极的显示装置。本发明的低接触阻抗型电极，在与氧化物透明导电膜直接接触的由Al合金膜构成的低接触阻抗型电极中，所述Al合金膜以0.1～1.0原子％的比例含有比Al离子化倾向小的金属元素，且Al合金膜与氧化物透明电极直接接触的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz计为5nm以上的凹凸。
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公开(公告)号：CN103733310B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280035317.8
申请日：2012-07-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53223 , H01L21/28525 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/456 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体元件，即使在制造工序等中暴露于高温下的情况下，也能抑制半导体区与电极之间的原子的相互扩散，并且抑制界面电阻上升。本发明的半导体元件具备包含硅的半导体区、包含铝的电极、以及介于所述半导体区与电极之间并且含有锗的防扩散层，所述防扩散层的至少一部分的锗含量为4原子％以上。
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公开(公告)号：CN102486695B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201010625209.9
申请日：2010-12-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种尤其相对于横方向耐久性优异，难以引起断线及经时的电阻的增加，可靠性高的触摸面板传感器。本发明的触摸面板传感器，其具有透明导电膜及与所述透明导电膜连接的布线，布线自基板侧按顺序由高融点金属膜、Al合金膜、高融点金属膜构成，Al合金膜含有0.05～5原子％的稀土元素，且，杨氏模量为80～200GPa，晶粒的规定方向切线直径(Feret直径)的最大值为100～350nm。
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公开(公告)号：CN103069042B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201180041104.1
申请日：2011-09-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C21/00 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H05K1/0298 , C22C21/00 , C23C14/086 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01B1/023 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , Y10T428/12542 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种技术，在薄膜晶体管基板、反射膜、反射阳极电极、触摸屏传感器等的制造工序中，能够有效防止氯化钠溶液的浸渍下的Al合金表面的腐蚀和针孔腐蚀(黑点)等的腐蚀，耐腐蚀性优异，而且能够防止小丘的生成且耐热性也优异的Al合金膜。本发明的Al合金膜，是用于配线膜或反射膜的Al合金膜，其中，含有Ta和/或Ti：0.01～0.5原子％、稀土类元素：0.05～2.0原子％。
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公开(公告)号：CN103782374A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280044092.2
申请日：2012-09-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C22C21/00 , C23C14/34 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01J11/46 , H01J31/12 , H01J31/15 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06 , H05B33/14
CPC classification number: G02F1/13439 , B32B15/016 , B32B15/017 , C22C14/00 , C22C21/00 , C22C27/02 , C22C27/04 , C23C14/0036 , C23C14/025 , C23C14/0641 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01J11/46 , H01J31/127 , H01L21/4885 , H01L23/53219 , H01L23/53223 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , Y10T428/1095 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘(ヒロック：hillock)，高温耐热性优异，配线结构整体的电阻(配线电阻)也抑制得很低，此外耐氢氟酸性也优异的显示装置用配线结构。本发明的显示装置用配线结构，具有从基板侧按顺序层叠有如下Al合金的第一层和如下氮化物的第二层的构造：所述Al合金含有从由Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr以及P所构成的组(X组)中选择的至少一种元素和稀土类元素的至少一种；所述氮化物是从由Ti、Mo、Al、Ta、Nb、Re、Zr、W、V、Hf和Cr所构成组(Y组)中选择的至少一种元素的氮化物或Al合金的氮化物。
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