-
公开(公告)号：CN114185221A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111295421.8
申请日：2021-11-03
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
Abstract: 本申请公开了一种调制器和调制方法，其中，所述调制器包括：分束器、第一渐变波导、电光调制器、第二渐变波导、可调光衰减器、相移器和合束器；所述分束器的输入端接入光源，所述分束器的第一输出端与所述第一渐变波导的输入端连接，所述第一渐变波导的输出端与所述电光调制器的输入端连接，所述电光调制器的输出端与所述第二渐变波导的输入端连接，所述第二渐变波导的输出端与所述合束器的第一输入端连接；所述分束器的第二输出端与所述可调光衰减器的输入端连接，所述可调光衰减器的输出端与所述相移器的输入端连接，所述相移器的输出端与所述合束器的第二输入端连接，所述合束器的输出端输出干涉光。
-
公开(公告)号：CN114035348A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111544976.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明实施例提供的微环调制器，包括：衬底层；位于所述衬底层上的平板波导层；并列设置在所述平板波导层中的耦合波导及微环谐振结构，所述微环谐振结构包括沿所述衬底层厚度方向依次层叠设置的第一掺杂结构和第二掺杂结构，所述第一掺杂结构与所述第二掺杂结构的掺杂类型相反；以及与所述微环谐振结构电连接的电极。
-
公开(公告)号：CN112331744B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110010821.3
申请日：2021-01-06
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Inventor： 胡晓
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232 , H01L31/109
Abstract: 本发明实施例公开了一种光电探测器的制备方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一半导体材料区；在所述第一半导体材料区上执行刻蚀工艺，以形成用于传输光信号的光波导结构；所述光波导结构包括沿第一方向间隔设置的主波导部和副波导部，所述主波导部和所述副波导部沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直；在所述光波导结构上形成用于探测所述光波导结构中传输的所述光信号的光吸收层。
-
公开(公告)号：CN113452518A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110699267.4
申请日：2021-06-23
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H04L9/08
Abstract: 一种离散变量量子密钥分发的可重构型接收端光路结构，涉及量子密钥分发领域，包括偏振分束器、90度偏振旋转器、两个50:50的1×2耦合器、一个2×2光开关、以及两条相同的第一光路，每条第一光路中均包括一段调节光路；基于共享的有源光学元件，通过光开关的切换实现光路的可重构配置，实现了偏振态编码和时间‑相位编码这两种物理自由度的DV‑QKD的接收，满足两种物理自由度切换的需求。
-
公开(公告)号：CN111129201B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201911382677.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H01L31/109 , H01L31/0232
Abstract: 为解决现有光电探测器具有响应度较低且无法满足高光功率探测的需求的问题，本申请实施例提供一种光电探测器，涉及光电探测器技术领域，所述光电探测器包括：硅层，所述硅层包括第一掺杂类型的掺杂区；与所述硅层接触的锗层，所述锗层包括第二掺杂类型的掺杂区；氮化硅波导，所述氮化硅波导包括第一波导区和第二波导区，所述锗层设置在所述第一波导区和所述第二波导区之间；与所述氮化硅波导连接的分光波导，所述分光波导用于将接收的光信号分为至少两路光信号，并将其中两路光信号分别输出至所述第一波导区和所述第二波导区；其中，所述氮化硅波导用于传输光信号，并将所述光信号耦合至所述锗层；所述锗层用于探测所述光信号，并将所述光信号转换为电信号。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112331727B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110010695.1
申请日：2021-01-06
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/109
Abstract: 本发明实施例公开了一种光电探测器，包括：用于传输光信号的光波导结构，以及用于探测所述光波导结构中传输的所述光信号的光吸收层；其中，所述光波导结构包括主波导部和副波导部，所述光波导结构通过所述主波导部接收光信号并通过所述副波导部限制所述光信号的逸散；所述主波导部和所述副波导部沿第一方向间隔设置，所述光信号在所述主波导部和所述副波导部内沿第二方向传输，所述第一方向与所述第二方向垂直。
-
公开(公告)号：CN111933742A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010753430.6
申请日：2020-07-30
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例公开了一种侧向结构雪崩光电探测器及其制备方法，其中，所述侧向结构雪崩光电探测器包括：衬底，包括一第一半导体材料区；在第一半导体材料区内形成有雪崩区；第一外延生长层，形成为吸收区；第一外延生长层的上表面为吸光面且凸出于第一半导体材料区的上表面；第一外延生长层的下表面低于第一半导体材料区的上表面；第二外延生长层，至少包括沿第一方向上位于第一外延生长层两侧的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分分别覆盖第一外延生长层的凸出于第一半导体材料区之上的两侧壁，第一部分和第二部分分别形成为第一电荷区和第二电荷区的至少一部分；第一电荷区、吸收区、第二电荷区和雪崩区在第一方向上至少部分交叠。
-
公开(公告)号：CN111129202A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911382842.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H01L31/109 , H01L31/0232
Abstract: 本申请实施例公开一种光电探测器，包括：硅层，所述硅层包括第一掺杂类型的掺杂区；与所述硅层接触的锗层，所述锗层包括第二掺杂类型的掺杂区；第一层波导，所述第一层波导包括设置在所述锗层上方的第一探测耦合区；第二层波导，所述第二层波导包括设置在所述锗层侧面的第二探测耦合区；其中，所述第一层波导和所述第二层波导用于传输光信号，所述第一层波导和所述第二层波导分别通过所述第一探测耦合区和所述第二探测耦合区将所述光信号耦合至所述锗层；所述锗层用于探测所述光信号，并将所述光信号转换为电信号。
-
公开(公告)号：CN111025468A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911414652.9
申请日：2019-12-31
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 一种模式复用解复用器、模式解复用方法及模式复用方法，涉及光通信器件技术领域，包括：呈非对称形且宽度变化的多模干涉波导、连接在所述多模干涉波导左侧的多模波导以及连接在所述多模干涉波导右侧的两个传输波导，所述多模波导的左端形成第一端口，每个所述传输波导的右端的单模波导处分别形成第二端口。本发明的有益效果：通过调整多模干涉波导的形状即可调整内部的干涉点，实现模式复用和解复用，结构工艺容差大，尺寸小，没有精细的波导结构，加工精度要求不高，制作成本低。
-
公开(公告)号：CN110989214A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911338345.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电光调制器，涉及光通信器件技术领域，从下往上依次包括基底层、衬底层、集成波导和覆盖层，且所述覆盖层两侧均设有一金属电极；同时，所述集成波导包括铌酸锂波导和导电层，所述铌酸锂波导位于所述衬底层上，所述导电层位于所述覆盖层和铌酸锂波导之间，且所述导电层位于两个所述金属电极之间，并与两个所述金属电极保持一定间距。本发明提供的电光调制器，具有结构尺寸小、调制带宽高、调节效率高、且工作状态和调节效率不受热释电效果影响的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
151
records
(took 0.066 seconds)
