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公开(公告)号：CN111564492A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010683676.0
申请日：2020-07-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L29/20
Abstract: 本发明提供一种耗尽型GaN基HFET器件及其制备方法，该方法包括：提供耗尽型GaN基HFET器件薄膜结构；于薄膜结构上分别形成欧姆接触的源电极及漏电极、和过渡金属二卤化物半导体栅电极；于2DEG沟道外的过渡金属二卤化物半导体栅电极上形成金属栅电极；沉积钝化层以保护器件结构。本发明形成的HFET器件通过过渡金属二卤化物半导体栅电极自身集成了过压保护功能，无需后续通过电路设计额外增加过压保护功能；硫化钼半导体栅电极制备工艺简单，在室温条件一步完成图形化处理，免去了高温制备硫化钼的成本，工艺可重复性高，成本较低。
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公开(公告)号：CN111415987A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010275014.X
申请日：2020-04-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/45
Abstract: 本发明提供一种结合二次外延及自对准工艺的氮化镓器件结构及制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成包括氮化镓层的外延结构，通过掩膜层保护，外延生长源极结构及漏极结构，形成栅极侧墙，形成栅极结构。本发明通过二次外延生长形成源极结构及漏极结构，可以有效降低欧姆接触电阻，在二次外延之前，通过多步离子刻蚀、氧化及酸溶剂数字刻蚀，平衡了刻蚀速率与刻蚀带来的材料损伤，在保证材料质量的同时，考虑了工艺成本。利用自对准技术，避免光刻过程中对准工艺带来的误差，精确定义了栅极尺寸。利用隔离侧墙厚度控制栅极尺寸，省去栅脚光刻步骤，简化工艺制程。本发明可在大尺寸晶圆上实现GaN材料的异质外延，节省了单位尺寸外延成本。
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公开(公告)号：CN111293079A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010186946.7
申请日：2020-03-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种超厚转接板的制作方法，包括：转接板采用具有SOI层的硅片，在具有SOI层的硅片的底部做硅通孔，沉积钝化层和种子层，之后电镀金属；在底部电镀金属的硅片的顶部做硅通孔，为顶部硅通孔；在顶部开有硅通孔的硅片的顶部硅通孔沉积钝化层然后刻蚀打开钝化层，然后做电镀种子层，在顶部硅通孔表面电镀填充金属；沉积种子层，电镀填充金属，通过抛光去除转接板两面的金属层，得到超厚转接板。本发明通过在硅片表面制作不同的TSV孔，使硅片上下表面能进行电互联，所做TSV孔深度较大，能够使硅片不用临时键合工艺也能方便制作，大大较少了转接板的制作成本，有力的推动了转接板的普及。
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公开(公告)号：CN110783426A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910924288.4
申请日：2019-09-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式光通信模组制作方法，具体包括如下步骤：101)底座转接板制作步骤、102)散热转接板制作步骤、103)键合底座步骤、104)封盖转接板制作步骤、105)成型步骤；本发明通过把光电转换芯片嵌入到装有液相散热通道的散热转接板中，然后在底座正面加装封盖，以此来保证光电转换芯片在模组中既有较高的散热能力又可以实现密闭环境工作的一种嵌入式光通信模组制作方法。
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公开(公告)号：CN105226354B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510598796.X
申请日：2015-09-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种三模耦合的强高频侧阻带抑制微带带通滤波器及耦合方法。此滤波器包括基板以及基板上的微带线结构，所述的微带线结构包括L形弯折的左微带馈线和右微带馈线，双模微带谐振结构，单模微带谐振结构；左微带馈线和右微带馈线左右对称；所述的双模微带谐振结构和单模微带谐振结构分别位于左右微带馈线的上方和下方；位于上方的双模微带谐振结构包括半波长的U形微带线结构和开路短枝节；位于下方的单模微带谐振结构包括H形阻抗变换微带结构和S形的微带线结构。本发明具有滤波器体积小，带内平坦度高，高频侧阻带抑制强，频率选择性强等优点，适用于射频收发系统的收发通道间的隔离。
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公开(公告)号：CN104867926A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510233976.8
申请日：2015-05-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/085 , H01L23/34
Abstract: 本发明公开了一种基于PHEMT的放大器芯片及其热沉的热仿真等效模型。该模型包括放大器芯片的等效模型及其热沉的等效模型。放大器芯片的等效模型包括等效的PHEMT管芯、等效版图、芯片基板、金属过孔、背金。热沉的等效模型包括金锡焊料、垫盘纯铜、底板氧化钡。其中等效PHEMT管芯主要根据每个晶体管的结构与热分布特性将其等效为与晶体管的栅极尺寸相同的T型栅、T型栅下方的热源以及与整级的栅指尺寸相同的金块。本发明实现了在整个通用热分析软件中准确模拟基于PHEMT的放大器芯片的管芯热特性，可以为整个芯片的电路设计和热设计提供快捷有效的参考数据。
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公开(公告)号：CN104778307A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510108171.0
申请日：2015-03-12
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs PHEMT MMIC热仿真等效模型。该等效模型包括等效的PHEMT管芯、等效版图、GaAs 基板、金属过孔、背金。其中等效的PHEMT管芯主要根据每个晶体管的结构与热分布特性将其等效为与晶体管具有相同尺寸的栅极、源极、漏极、栅极正下方的一块热源以及相连的左右金属块。本发明实现了在通用软件中准确模拟GaAs PHEMT管芯热特性的功能，可广泛运用于放大器芯片的热仿真中，为整个芯片的电路设计和热设计提供有效快捷的方法。
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公开(公告)号：CN101404355B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810122076.6
申请日：2008-10-31
Applicant: 浙江大学 , 中国航天科技集团公司第五研究院第五〇四研究所
Abstract: 本发明公开了一种利用环状金属对单元结构天线罩的高指向天线。包括微带天线阵及其连接的馈源，和前面由环状金属对单元结构组成的多层天线罩。制作在FR4印刷电路板的环状金属对单元结构作为微带天线阵的天线罩，其等效的磁导率可以通过改变印刷电路板之间的距离调整为零，得到相应的等效折射率为零。微带天线阵发射的电磁波通过该天线罩时能量集中在天线罩的法线方向，达到汇聚能量的效果，提高了天线整体的方向性和增益。本发明可以应用于通信、雷达等各种无线传输和定向通信及干扰的发射接收系统中。与传统的天线相比，本发明的系统结构具有结构简单小巧，拆装方便，成本低廉，方向性好，增益高等优点。
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