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公开(公告)号：CN111293078B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010186930.6
申请日：2020-03-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种转接板正反两面空腔嵌入芯片的方法，包括：转接板采用具有双SOI层的硅片，制作硅通孔，该硅通孔穿过第一层SOI层停在第二层SOI层，得到带有硅通孔的硅片，之后电镀金属填充硅通孔，得到金属填充后的硅片；然后在硅通孔开口面刻蚀凹槽，腐蚀凹槽中金属柱，正反两面形成空腔，得到双面带凹槽的转接板；嵌入带有焊锡的芯片，然后在该表面制作RDL互联层，继续刻蚀第二SOI层，使得填充硅通孔内的金属柱一端露出，把带有焊锡球的芯片嵌入，填充胶体固化，去除表面胶体。本发明通过制作一种转接板，正反两面都做凹槽，然后把芯片嵌入到凹槽中，实现一个转接板正反两面嵌入芯片的目的。
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公开(公告)号：CN111508857A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010171369.4
申请日：2020-03-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种扇出型芯片互联的制作方法，包括：在扇出型芯片的表面涂覆光刻胶或者钝化层，然后将覆盖在扇出型芯片的PAD区域上的光刻胶或者钝化层打开，露出扇出型芯片的PAD；在扇出型芯片的表面制作绝缘层，之后在绝缘层上方制作种子层，然后涂布电镀光刻胶，电镀金属做RDL，之后去除光刻胶，然后去除种子层；RDL的另一端与内部焊盘连接，内部焊盘上重新制作外部焊盘。本发明重新制作外部焊盘的尺寸增大，焊盘之间距离增大，本发明通过对芯片PAD进行重新定义面积和位置，能大大减小嵌入式扇出芯片PAD和晶圆级RDL互联的难度，减少断路和短路问题，增加了此类工艺的可靠性。
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公开(公告)号：CN110655111A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201911065724.3
申请日：2019-11-04
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G39/06 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种采用MOCVD设备制备硫化钼二维材料的方法，在Sapphire衬底上多步生长MoS2二维材料，包括：采用Sapphire作为衬底；将Sapphire衬底传送至MOCVD设备内；MOCVD腔内通入N2气体；升温到达恒温生长温度，腔内初始压强为90Torr；通入H2S作为硫气源；通入MO(CO)6作为钼气源，形核；分步降低腔内压强，促使形核晶粒横向生长，得到生长在Sapphire衬底上的MoS2二维材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、材料厚度可控、质量高等优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度可调，可用于柔性芯片应用的MoS2二维材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111370336A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010170825.3
申请日：2020-03-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种凹槽芯片放置的封装方法，包括：在盖板表面制作缓冲层，得到带有指定区域缓冲层的盖板，在硅转接板表面挖空腔，得到带有凹槽的硅转接板；把带有芯片的盖板通过晶圆级键合的方式跟凹槽内灌入有胶体的硅转接板结合；键合后，对盖板施加压力使缓冲层变薄，把芯片从盖板表面剥离，去除盖板和缓冲层，得到芯片高度可控的嵌入式转接板。本发明方法，通过设置一种盖板，在盖板上涂布一种厚度可以随着温度和压力变化的材料，通过调节材料的厚度来精确控制嵌入芯片的高度，能够满足在实际生产中芯片的表面高度需要进行细微的调节的要求，以适应后续晶圆级涂胶和RDL工艺。
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公开(公告)号：CN111293078A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010186930.6
申请日：2020-03-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种转接板正反两面空腔嵌入芯片的方法，包括：转接板采用具有双SOI层的硅片，制作硅通孔，该硅通孔穿过第一层SOI层停在第二层SOI层，得到带有硅通孔的硅片，之后电镀金属填充硅通孔，得到金属填充后的硅片；然后在硅通孔开口面刻蚀凹槽，腐蚀凹槽中金属柱，正反两面形成空腔，得到双面带凹槽的转接板；嵌入带有焊锡的芯片，然后在该表面制作RDL互联层，继续刻蚀第二SOI层，使得填充硅通孔内的金属柱一端露出，把带有焊锡球的芯片嵌入，填充胶体固化，去除表面胶体。本发明通过制作一种转接板，正反两面都做凹槽，然后把芯片嵌入到凹槽中，实现一个转接板正反两面嵌入芯片的目的。
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公开(公告)号：CN111370336B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010170825.3
申请日：2020-03-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种凹槽芯片放置的封装方法，包括：在盖板表面制作缓冲层，得到带有指定区域缓冲层的盖板，在硅转接板表面挖空腔，得到带有凹槽的硅转接板；把带有芯片的盖板通过晶圆级键合的方式跟凹槽内灌入有胶体的硅转接板结合；键合后，对盖板施加压力使缓冲层变薄，把芯片从盖板表面剥离，去除盖板和缓冲层，得到芯片高度可控的嵌入式转接板。本发明方法，通过设置一种盖板，在盖板上涂布一种厚度可以随着温度和压力变化的材料，通过调节材料的厚度来精确控制嵌入芯片的高度，能够满足在实际生产中芯片的表面高度需要进行细微的调节的要求，以适应后续晶圆级涂胶和RDL工艺。
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