-
公开(公告)号：CN112442678A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010111806.3
申请日：2020-02-24
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，更具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。本发明通过抑制副反应，适当降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能大幅提高阶梯覆盖率以及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。
-
公开(公告)号：CN119948202A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380068081.6
申请日：2023-10-06
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/06 , H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 本发明关于一种活化剂、使用其制造的半导体基板以及半导体器件，本发明的含钛的沉积膜的制造方法通过利用钛类前体化合物以及特定的反应气体，具有通过简单的工序容易地制造高纯度的沉积膜的效果。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119736611A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411832577.9
申请日：2020-02-24
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/34 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(i)，使由化学式1表示的薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ii)，使Ti类薄膜前体吸附在吸附有薄膜形成用生长抑制剂的基板表面。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率(step coverage)及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo，其中，所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。
-
公开(公告)号：CN118202084A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280074079.5
申请日：2022-11-18
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种高介电常数薄膜用掩蔽剂、利用其的选择区域沉积方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件，具有能够提供无需实施图案化工艺也能够通过原子层沉积法制造出形成有图案的薄膜，并且能够显著地减少杂质的高介电常数薄膜用掩蔽剂、利用其的选择区域沉积方法以及由该方法制造的半导体基板及半导体器件的效果。
-
公开(公告)号：CN117295846A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280032422.X
申请日：2022-05-27
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制造的半导体器件，根据本发明，具有降低生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够提供共形的薄膜，并且提供减少薄膜中的杂质并大幅提高薄膜的密度以大幅减少在现有的高温工序中因下部电极的氧化而产生的泄漏电流的成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制备的半导体器件的效果。
-
公开(公告)号：CN114599658A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074133.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C07F5/00 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板，更加详细涉及由化学式1表示的铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板。根据本发明，能够形成均匀的薄膜，并由于改善沉积速度而提高生产率，同时热稳定性和保存稳定性优秀，且易于处理。
-
公开(公告)号：CN112813416A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011015851.5
申请日：2020-09-24
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C23C16/455 , C23C16/54 , B29D7/01 , C23C16/30
Abstract: 涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(ⅰ)，使薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ⅱ)，使金属膜前体、金属氧化膜前体、金属氮化膜前体或硅氮化膜前体吸附在吸附有生长抑制剂的基板表面，薄膜形成用生长抑制剂由化学式1表示，金属为选自钨、钴、铬、铝、铪、钒、铌、锗、镧系元素、锕系元素、镓、钽、锆、钌、铜、钛、镍、铱以及钼中的一种以上。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内的工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXoA为碳或硅，B为氢或碳原子数为1至3的烃基，X为卤素，n为1至15的整数，o为1以上的整数，m为0至2n+1。
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.041 seconds)
