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公开(公告)号：CN113795918A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033542.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L23/522 , H01L21/311
Abstract: 一种用于形成存储器阵列和导电阵列通孔(TAV)的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠。在所述堆叠上方形成包括水平伸长的沟槽开口和操作性TAV开口的掩模。通过所述掩模中的所述沟槽开口和所述操作性TAV开口对所述堆叠的未掩蔽部分进行蚀刻以在所述堆叠中形成水平伸长的沟槽开口且在所述堆叠中形成操作性TAV开口。在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中形成导电材料以在所述堆叠中的所述操作性TAV开口中的个别者中形成个别操作性TAV。在所述堆叠中的所述沟槽开口中的个别者中形成字线介入结构。
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公开(公告)号：CN112768465A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110136434.4
申请日：2017-08-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法。所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管，衬底包括含有存储器单元的第一区域及横向于所述第一区域的不含有存储器单元的第二区域。所述第一区域包括绝缘性材料与控制栅极材料的垂直交替叠层。所述第二区域包括横向于所述第一区域的不同组合物绝缘材料的垂直交替叠层。包括半导电沟道材料的沟道柱在高度上延伸穿过所述第一区域内的所述垂直交替叠层中的多者。隧道绝缘体、可编程电荷存储材料及控制栅极阻挡绝缘体介于所述沟道柱与所述第一区域内的所述控制栅极材料的所述叠层中的个别者的所述控制栅极材料之间。
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公开(公告)号：CN107706190B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710677023.X
申请日：2017-08-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157
Abstract: 本申请案涉及包括可编程电荷存储晶体管的存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法。所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管，衬底包括含有存储器单元的第一区域及横向于所述第一区域的不含有存储器单元的第二区域。所述第一区域包括绝缘性材料与控制栅极材料的垂直交替叠层。所述第二区域包括横向于所述第一区域的不同组合物绝缘材料的垂直交替叠层。包括半导电沟道材料的沟道柱在高度上延伸穿过所述第一区域内的所述垂直交替叠层中的多者。隧道绝缘体、可编程电荷存储材料及控制栅极阻挡绝缘体介于所述沟道柱与所述第一区域内的所述控制栅极材料的所述叠层中的个别者的所述控制栅极材料之间。
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公开(公告)号：CN110235246A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009394.3
申请日：2018-02-01
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/1157
Abstract: 一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级和字线层级的竖直堆叠。所述字线层级具有对应于控制栅极区的终端。电荷捕集材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区而非沿着所述绝缘层级。所述电荷捕集材料通过电荷阻挡材料与所述控制栅极区间隔开。沟道材料沿着所述堆叠竖直地延伸且通过电介质材料与所述电荷捕集材料横向间隔开。一些实施例包含形成NAND存储器阵列的方法。
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公开(公告)号：CN112436013B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202010849383.5
申请日：2020-08-21
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述存储器块分别包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的有效沟道材料串延伸穿过绝缘层和导电层。横向间隔开的存储器块中的有效沟道材料串包括存储器平面的一部分。高度上延伸的壁在横向地介于横向紧邻的存储器块之间的存储器平面中，并且其完全包围在存储器平面中横向地介于横向紧邻的存储器块之间的岛。公开了包括方法的其他实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112768465B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110136434.4
申请日：2017-08-09
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·德胡特 , K·R·帕雷克 , M·帕克 , J·N·格里利 , C·E·卡特 , M·C·罗伯茨 , I·V·恰雷 , V·沙马娜 , 请求不公布姓名 , 请求不公布姓名
Abstract: 本申请案涉及存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法。所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管，衬底包括含有存储器单元的第一区域及横向于所述第一区域的不含有存储器单元的第二区域。所述第一区域包括绝缘性材料与控制栅极材料的垂直交替叠层。所述第二区域包括横向于所述第一区域的不同组合物绝缘材料的垂直交替叠层。包括半导电沟道材料的沟道柱在高度上延伸穿过所述第一区域内的所述垂直交替叠层中的多者。隧道绝缘体、可编程电荷存储材料及控制栅极阻挡绝缘体介于所述沟道柱与所述第一区域内的所述控制栅极材料的所述叠层中的个别者的所述控制栅极材料之间。
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公开(公告)号：CN117957929A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280063257.4
申请日：2022-08-30
Applicant: 美光科技公司
Inventor： 赵博 , M·J·金 , J·里斯 , M·J·戈斯曼 , S·K·瓦迪韦尔 , M·J·巴克利 , 徐丽芳 , J·D·彼得松 , M·帕克 , A·L·奥尔森 , D·A·奎利 , 张晓松 , J·B·德胡特 , Z·F·尤 , K·S·周 , T·M·Q·陈 , 王淼鑫
Abstract: 一种微电子装置包含：堆叠结构，其包含布置成层级的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列、竖直延伸到所述堆叠结构中且在所述堆叠结构的两个内部侧壁之间界定的电介质填充开口；体育场结构，其在所述堆叠结构内且包括由所述层级中的至少一些的水平端界定的台阶；第一凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第一最上台阶向上延伸且与所述堆叠结构的所述两个内部侧壁中的第一内部侧壁对接；及第二凸缘，其从所述体育场结构的所述台阶中的第二相对最上台阶向上延伸且与所述两个内部侧壁的第二相对内部侧壁对接。
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公开(公告)号：CN114207821A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056219.7
申请日：2020-07-07
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 一种微电子装置包括：布置成层级的竖直交替的导电结构和绝缘结构，所述层级中的每一者个别地包括所述导电结构中的一者和所述绝缘结构中的一者；阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层级中的至少一些的边缘的台阶；源极层级，其在所述堆叠结构下方且包括源极结构和通过至少一个介电材料与彼此且与所述源极结构水平地分离的第一离散导电结构；导电接触结构，其在所述阶梯结构的所述台阶上；以及第一导电柱结构，其与所述导电接触结构水平地交替且竖直地延伸穿过所述堆叠结构到达所述源极层级的所述第一离散导电结构。还描述一种存储器装置，即3D NAND快闪存储器装置，以及一种电子系统。
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公开(公告)号：CN113793853A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111082129.8
申请日：2019-10-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11524 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及半导体装置和系统，以及形成方法。装置、系统和结构包含布置于层的一或多个层面中的材料的竖直交替层的堆叠。其中可形成沟道支柱的沟道开口延伸穿过所述堆叠。所述支柱包含横向延伸到所述沟道开口的“底切部分”中的“肩部部分”，所述底切部分沿着所述堆叠的所述层面中的至少一个的至少一下部层限定。
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公开(公告)号：CN113785395A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032691.7
申请日：2020-04-03
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L21/768
Abstract: 一种用于形成存储器阵列的方法包括在衬底顶上形成导电层，其中所述导电层中包括开口。绝缘体层在所述导电层顶上形成，且所述绝缘体层包括向下延伸到所述导电层中的所述开口中的绝缘体材料。包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠形成在所述绝缘体层上方。形成包括沟道材料的延伸穿过所述绝缘层和所述字线层的串。所述串的所述沟道材料直接电耦合到所述导电层中的导电材料。公开了与方法无关的结构。
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