-
公开(公告)号：CN1749851A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510103988.5
申请日：2005-09-16
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/00 , G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/60 , G03F1/50 , Y10T428/31616
Abstract: 一种掩模板制造部分通过在掩模板透明基片上形成待成为掩模图形的薄膜制造掩模板。当向掩模制造部分提供掩模板时，掩模板制造部分向掩模制造部分提供掩模板透明基片的光学特性信息(透射率差异)和掩模板的光学特性信息(透射率差异和/或相差差异)。掩模板透明基片的光学特性信息从制造掩模板透明基片的材料处理部分提供给掩模板制造部分。
-
公开(公告)号：CN113391515B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110243881.X
申请日：2021-03-05
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料，其在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间，可以形成具有良好的截面形状、满足图案形成用薄膜或转印图案中所要求的耐清洗性、且满足要求的线边缘粗糙度的转印图案。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构、且包含上层及下层，构成上层中的柱状结构的粒子的平均尺寸小于构成下层中的柱状结构的粒子的平均尺寸。
-
公开(公告)号：CN119126476A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411346675.1
申请日：2019-11-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。
-
公开(公告)号：CN114624955A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210185936.0
申请日：2022-02-28
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供能够抑制在将图案形成用的薄膜或具有转印图案的薄膜剥离之后透光性基板的主表面的形状劣化、且能够有助于再循环时的制造成品率的提高的掩模坯料。该掩模坯料具备透光性基板、和设置于透光性基板的主表面上的图案形成用的薄膜，薄膜含有金属、硅及氮，薄膜的外周部的膜厚小于薄膜的除上述外周部以外的部分的膜厚，薄膜的上述外周部的氮含量相对于硅含量的比率小于薄膜的除外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。
-
公开(公告)号：CN109463000B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN201780039527.7
申请日：2017-07-10
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
Abstract: 本发明提供一种掩模坯料用基板、掩模坯料及转印用掩模，即使不使用高规格的掩模坯料用基板制造具有较为稀疏的转印图案的转印用掩模，将该转印用掩模放置于高NA的曝光装置的掩模载台并对晶片上的抗蚀膜进行曝光转印的情况下，也可不容易引起聚焦错误。另外，可提供它们的制造方法。在基板的主表面(P)设定正方形计算区域(TA)，在计算区域(TA)的角落部分别设定特定点(A～D)，获得特定点(A～D)自基准平面起的高度，设定通过特定点(A～D)中的3点的假想平面，并设定通过剩余的特定点且垂直于基准平面的垂线与假想平面的交点，算出剩余的特定点与该交点之间的距离，并将该距离满足预先设定的基准的基板选定为掩模坯料用基板。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113406855A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110265084.1
申请日：2021-03-10
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种在对相移膜进行湿法蚀刻时可以缩短过刻蚀时间、抑制基板的损伤、可以形成具有良好的截面形状、LER、且耐化学品性也良好的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，光掩模在透明基板上具有通过对相移膜进行湿法蚀刻而得到的相移膜图案，相移膜由单层或多层构成，并且相对于整体膜厚的50％以上且100％以下包含由含有钼、锆、硅及氮的材料形成的MoZrSi系材料层，MoZrSi系材料层中的钼与锆的原子比率为Mo：Zr＝1.5:1～1:4，硅相对于钼、锆及硅的合计的含有比率为70～88原子％。
-
公开(公告)号：CN101846877B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201010203212.1
申请日：2005-09-16
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/60
CPC classification number: G03F1/60 , G03F1/50 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明提供一种掩模板制造方法、一种掩模制造方法、一种掩模板透明基片制造方法。通过在掩模板透明基片上形成待成为掩模图形的薄膜制造掩模板。当向掩模制造部分提供掩模板时，掩模板制造部分向掩模制造部分提供掩模板透明基片的光学特性信息(透射率差异)和掩模板的光学特性信息(透射率差异和/或相差差异)。掩模板透明基片的光学特性信息从制造掩模板透明基片的材料处理部分提供给掩模板制造部分。
-
公开(公告)号：CN102132211B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201080002436.4
申请日：2010-03-17
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
IPC: G03F1/60 , G03F1/82 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供掩模板用基板、掩模板、光掩模和半导体器件的制造方法。对进行了精密研磨的基板主表面的实测区域内的夹装前主表面形状进行测定，基于基板的夹装前主表面形状和掩模载台(1)的形状，通过模拟得到将从基板制作的光掩模(2)安置于曝光装置时的基板的夹装后主表面形状。选定夹装后主表面形状的假想算出区域内的平坦度为第1阈值以下的基板。对于选定的基板，算出与在夹装后主表面形状的修正区域内沿着第1方向的截面形状近似的第1近似曲线。根据第1近似曲线算出近似曲面，进行从夹装后主表面形状减除该近似曲面的修正，从而算出修正后主表面形状。选定修正后主表面形状的修正区域内的平坦度为第2阈值以下的基板。
-
公开(公告)号：CN1862376B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200610051433.5
申请日：2006-02-24
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
IPC: G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/705 , G03F1/32 , G03F1/60 , G03F7/70783
Abstract: 一种方法，包括：准备步骤，在该步骤中，准备具有精密抛光的主表面的透明基片；表面形状信息获取步骤，在该步骤中，作为表面形状信息，获取在和曝光装置的掩模台接触的透明基片的主表面上的多个测量点处的高度信息；模拟步骤，在步骤中，根据表面形状信息和掩模台的形状信息，通过模拟将透明基片装入到曝光装置上的状态，获取向多个测量点处的高度信息；平坦度计算步骤，在该步骤中，根据通过模拟活动物的高度信息，计算出当将其装入到曝光装置中时、所述透明基片的平坦度；判断步骤，在该步骤中，判断所计算出来的平坦度是否满足技术标准；以及薄膜形成步骤，在该步骤中，作为掩模图形，在其平坦度满足技术标准的透明基片的主表面上形成薄膜。
-
公开(公告)号：CN101120245A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200680005281.3
申请日：2006-02-15
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
IPC: G01N21/958 , G03F1/08 , C03B20/00
CPC classification number: G01N21/958 , G03F1/84
Abstract: 本发明提供一种能够正确检查透光性物品的内部的光学不均匀性的有无的透光性物品的检查方法。一种透光性物品的检查方法，其使用于光平版印刷，检查在由透光性材料构成的透光性物品(4)的内部，有无相对于曝光光光学特性部分或局部变化的不均匀性(具体是内部缺陷(16))，其中，向所述透光性物品导入具有200nm以下的波长的检查光，在所述检查光在该透光性物品内部传播的光路中，通过检测部分或局部产生的比所述检查光的波长长的光(15)，来检查所述透光性物品中的光学不均匀性的有无。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.035 seconds)
