公开(公告)号：CN112920373A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011431226.9

申请日：2020-12-07

Applicant: SKC株式会社 ,  宇利精密化学株式会社

Inventor： 裵栽荣 ,  金正武 ,  韩赫熙 ,  明正焕 ,  甄明玉 ,  郑周永

IPC: C08G18/76 ,  C08G18/38 ,  G02B1/04

Abstract: 本发明公开了二异氰酸酯组合物、其制备方法以及使用其的光学材料。根据本发明的实施方案的二异氰酸酯组合物在所述组合物中包含5ppm至200ppm的量的具有甲基基团的异氰酸苄基酯、5ppm至1,000ppm的量的具有卤素基团的芳族化合物、1ppm至1,000ppm的量的具有乙基基团的异氰酸苄基酯、或其组合。可以通过防止出现黄变、条纹和浑浊来改善光学特性并同时增强机械特性诸如耐冲击性。因此，其可以有利地制备高品质的光学材料。

公开(公告)号：CN112210824A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202010531612.9

申请日：2020-06-11

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 朴钟辉 ,  甄明玉 ,  高上基 ,  具甲烈 ,  金政圭 ,  沈钟珉 ,  张炳圭 ,  崔正宇

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及用于生长碳化硅晶锭的粉末以及碳化硅晶锭的制备方法。所述碳化硅晶锭的制备方法包括准备步骤，将包含碳化硅颗粒的粉末装入反应容器中，并将籽晶放置在所述反应容器的一个表面，及生长步骤，使所述粉末升华以从所述籽晶生长碳化硅晶锭，所述粉末的流动指数为5到35。本发明的用于生长锭的粉末、使用其的晶锭的制备方法等可以提供抑制异质多型体的混入，以提供缺陷很少或基本上没有缺陷的优质碳化硅晶锭、及由其制成的晶片等。

公开(公告)号：CN108581822B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201810493229.1

申请日：2018-05-22

Applicant: SKC株式会社

Inventor： 安宰仁 ,  徐章源 ,  尹晟勋 ,  文寿泳 ,  甄明玉

IPC: B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B1/00

Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂，所述抛光垫的厚度为1.5‑2.5mm，具有平均直径为10‑60μm的多个孔，抛光垫的比重为0.7‑0.9g/cm3，25℃下的表面硬度为45‑65Shore D，抗拉强度为15‑25N/mm2，延伸率为80‑250％，从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为30‑100MPa，其中，所述预定深度为距抛光表面1‑10μm的深度。