公开(公告)号：CN118339662A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280079145.8

申请日：2022-08-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  藤田实 ,  川崎克己 ,  平林润

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明的目的在于，在使用氧化镓的肖特基势垒二极管中，既确保充分的反向耐压又降低导通电阻。肖特基势垒二极管(1)包括由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)和与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有埋入有阳极电极(40)的中心沟槽(61)。中心沟槽(61)的底面不与阳极电极(40)相接而被绝缘膜(70)覆盖，中心沟槽(61)的侧面的至少一部分不被绝缘膜(70)覆盖而与阳极电极(40)肖特基接触。由此，能够不提高漂移层的杂质浓度而降低导通电阻。

公开(公告)号：CN109923678B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN201780068998.0

申请日：2017-09-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平林润 ,  松尾裕 ,  藤田实 ,  有马润

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明的课题是在确保使用氧化镓的肖特基势垒二极管的机械强度和操作性的同时，抑制发热，提高散热性。解决该课题的方案是：本发明包括：由氧化镓构成的半导体基板(20)，其在第二表面(22)侧设置有凹部(23)；由氧化镓构成的外延层(30)，其设置在半导体基板的第一表面(21)上；阳极电极(40)，其设置在从层叠方向看与凹部(23)重叠的位置，与外延层(30)肖特基接触；和阴极电极(50)，其设置在半导体基板(20)的凹部(23)内，与半导体基板(20)欧姆接触。根据本发明，因为流动正向电流的部分的厚度有选择地变薄，所以能够在确保机械强度和操作性的同时，降低发热，提高散热性。因此，尽管使用热导率低的氧化镓，也能够抑制元件的温度上升。

公开(公告)号：CN110521004B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201880022742.0

申请日：2018-01-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平林润 ,  藤田实 ,  福光由章

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/365 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供沿着侧面的漏电流或侧面的破裂、缺口、裂开等难以产生的纵型结构的半导体装置。半导体装置具备：半导体层(20)，其具有第一及第二电极形成面(20a、20b)和侧面(20c)；阳极电极(40)，其形成于第一电极形成面(20a)；阴极电极(50)，其形成于第二电极形成面(20b)；绝缘膜(30)，其以覆盖第一边缘(E1)的方式从第一电极形成面(20a)遍及侧面(20c)连续地形成。根据本发明，因为半导体层(20)的侧面(20c)被绝缘膜(30)覆盖，所以沿着侧面(20c)的漏电流降低。另外，因为侧面(20c)被绝缘膜(30)保护，所以侧面(20c)的破裂、缺口、裂开等难以产生。

公开(公告)号：CN115125608A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210252469.9

申请日：2022-03-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川崎克己 ,  有马润 ,  藤田实 ,  平林润

IPC: C30B13/00 ,  C30B13/24 ,  C30B13/30 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明提供一种结晶制造方法，其中，首先，将具备前端变细的前端部(1A)的原料(1)配置于结晶生长区域(2U)的上方；接着，将前端部(1A)的侧面在维持前端部(1A)的形状的同时利用向斜上方行进的辐射热选择性地加热使其熔融，从该侧面熔融的材料将前端部(1A)的侧面和结晶生长区域(2U)的上表面物理连接。在结晶制造装置中，原料熔融用辐射热是从电阻加热器(R)放射的。

公开(公告)号：CN112005384A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980024311.2

申请日：2019-03-11

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司

Inventor： 有马润 ,  藤田实 ,  平林润 ,  佐佐木公平

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供一种难以产生电场集中引起的绝缘破坏的肖特基势垒二极管，具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层30肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时包围阳极电极(40)的外周沟道(10)，外周沟道(10)利用漂移层(30)的逆导电型的半导体材料(11)而埋入。这样，如果设置利用漂移层(30)的逆导电型的半导体材料(11)埋入的外周沟道(10)，则电场由于外周沟道(10)的存在而被分散。由此，能够缓和阳极电极(40)的角部的电场集中，因此，难以产生绝缘破坏。

公开(公告)号：CN104795131B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510023209.4

申请日：2015-01-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 新开浩 ,  藤田实 ,  大石昌弘

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/08 ,  G06F3/041

CPC classification number: G06F3/044 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  G06F1/16

Abstract: 本发明提供透明导电体以及触摸面板。本发明的透明导电体的特征在于：透明基材、第1金属氧化物层、金属层以及第2金属氧化物层按顺序层叠，第1金属氧化物层以及第2金属氧化物层中的至少一方含有Al2O3、ZnO、SnO2以及Ga2O3这四种成分，在将Al2O3和ZnO的合计、SnO2以及Ga2O3相对于四种成分的合计的摩尔比率分别设定为X、Y以及Z时，X,Y,Z位于图2的三角图所示的(X,Y,Z)坐标中，由连接点a(71.2,3.8,25.0)、点b(85.5,4.5,10.0)、点c(76.0,19.0,5.0)、点d(66.5,28.5,5.0)、点e(59.5,25.5,15.0)、以及点f(67.5,7.5,25.0)的线段所围的区域内或者该线段上，Al2O3相对于四种成分的摩尔比率为1.5～3.5mol％。

公开(公告)号：CN101004551A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710002285.2

申请日：2007-01-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤田实 ,  日比干晴

IPC: G03F7/00 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B5/86

CPC classification number: B29D17/005 ,  B29C33/424 ,  B29C43/021 ,  B29C43/361 ,  B29C2033/426 ,  B29C2043/025 ,  B29C2043/3655 ,  B29C2043/5858 ,  G11B5/855 ,  G11B7/263

Abstract: 提供一种可避免凹凸图案的变形或转印缺陷的发生等的压模。上述压模形成为使形成了凹凸图案(5)的凹凸图案形成面(6)与其背面(7)之间的厚度在外边缘区域(Ao)中随着靠近外边缘部(Po)一侧逐渐地变薄。此外，形成为使凹凸图案形成面(6)与其背面(7)之间的厚度在开口边缘区域(Ae)中随着靠近开口边缘部(Pe)一侧逐渐地变薄。由此，可避免在压印处理时对树脂层的表面施加的压力集中于压模(1)的外边缘区域(Ao)和开口边缘区域(Ae)这两个区域(端部区域)的问题。

公开(公告)号：CN1987646A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610168664.4

申请日：2006-12-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 日比干晴 ,  藤田实

IPC: G03F7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B29D17/005 ,  G11B7/263

Abstract: 提供一种不引起凹凸图案变形及转印缺陷、可在基材上以高精度形成凹凸图案的凹凸图案形成方法。该凹凸图案形成方法通过将形成有凹凸图案(25)的压模(2)压在中间体(10)(基材)上的树脂层(3)上，从而将凹凸图案(25)转印到树脂层(3)上，在中间体(10)上形成凹凸图案，通过在中间体(10)上涂布混合了玻璃转变点比按压压模(2)时树脂层(3)的温度低的第1树脂材料、和玻璃转变点比按压时树脂层(3)的温度高的第2树脂材料的混合树脂材料来形成树脂层(3)。

公开(公告)号：CN113195800B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201980080253.5

申请日：2019-12-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川崎克己 ,  平林润 ,  藤田实 ,  井之口大辅 ,  有马润 ,  近藤牧雄

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明是收纳单晶生长用原料熔融液(8)并使其固化的单晶生长用坩埚(5A)，其具备：围绕原料熔融液(8)的侧壁部(5s)、及连续于侧壁部(5s)并支撑原料熔融液(8)的底部(5b)，侧壁部(5s)在横截面图中，在内侧具有周长冗余性。侧壁部(5s)在横截面图中，在任一部位上在内侧具有周长冗余的部位，如果在单晶生长后的冷却步骤中单晶生长用坩埚(5A)被冷却，则在横截面图中，在内侧周长冗余的部位向单晶生长用坩埚(5A)的外侧扩展。

公开(公告)号：CN111801804B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201980016365.4

申请日：2019-02-25

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司 ,  TDK株式会社

Inventor： 佐佐木公平 ,  藤田实 ,  平林润 ,  有马润

IPC: H01L29/872 ,  C30B29/16 ,  C30B33/08 ,  H01L21/329 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/94

Abstract: 提供一种沟槽MOS型肖特基二极管(1)，其具备：第1半导体层(10)，其包括Ga2O3系单晶；第2半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有沟槽(12)；阳极电极(13)；阴极电极(14)；绝缘膜(15)；以及沟槽电极(16)，第2半导体层(11)在包含沟槽(12)的内表面的区域具有厚度为0.8μm以下的绝缘性的干式蚀刻损伤层(11a)。