公开(公告)号：CN1160762C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN00123809.4

申请日：2000-08-18

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 宫坂满美

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/50 ,  G03F1/84 ,  G03F1/86 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31794

Abstract: 一种电子束曝光掩模包括主掩模和一个或多个补偿掩模。所述主掩模包括多个第一限定掩模。补偿掩模包括一个或多个无缺陷第二限定掩模，每个第二限定掩模具有按所述第一限定掩模中有缺陷的掩模形成的图形构形。在利用该电子束曝光掩模进行曝光时，只要第一限定掩模没有缺陷，则使用第一限定掩模，在第一限定掩模有缺陷时，使用对应于第一限定掩模的第二限定掩模。

公开(公告)号：CN108364899A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810068262.X

申请日：2018-01-24

Applicant: 纽富来科技股份有限公司

Inventor： 西村理惠子 ,  竹越秀和

IPC: H01L21/68 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F9/7049 ,  G01B9/02 ,  G03F1/78 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/70725 ,  G03F7/70775 ,  H01J37/3175

Abstract: 本发明涉及一种工作台机构的位置校正方法及带电粒子束描绘装置，其中，在一方式的工作台机构的位置校正方法中，制作工作台的位置的歪斜量的二维图，使用二维图来校正位置数据，该二维图以下述方法制作：作为在第一方向的各位置中的第二方向的各位置处工作台的位置向第一方向的歪斜量，适用所测定出的第二方向的各位置中工作台的位置向第一方向的歪斜量，作为第二方向的各位置中的第一方向的各位置处工作台的位置向第二方向的歪斜量，适用所测定出的第一方向的各位置中工作台的位置向第二方向的歪斜量。

公开(公告)号：CN105874559A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480071804.9

申请日：2014-11-14

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： M.J-J.维兰德 ,  W.H.乌尔巴努斯

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/065 ,  H01J37/12

CPC classification number: G21K1/02 ,  G21K5/04 ,  H01J37/026 ,  H01J37/065 ,  H01J37/12 ,  H01J37/16 ,  H01J37/24 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3175 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/0216 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/04 ,  H01J2237/1215 ,  H01J2237/16 ,  H01J2237/1825 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30472

Abstract: 本发明涉及一种准直器电极堆叠(70)，其包括：至少三个准直器电极(71?80)，其用于准直沿着光轴(A)的带电粒子束(54)，其中每个准直器电极包括具有电极孔的电极主体，电极孔用于允许带电粒子束通过，其中电极主体沿着与光轴基本上平行的轴向方向(Z)间隔开，并且其中电极孔沿着所述光轴同轴地对准；以及多个间隔结构(89)，其被设置在每一对相邻准直器电极之间并且由电绝缘材料制成，多个间隔结构(89)用于沿着所述轴向方向以预定距离来定位准直器电极。准直器电极(71?80)中的每一个电连接至单独的电压输出端(151?160)。本发明还涉及一种操作带电粒子束产生器的方法。

公开(公告)号：CN104795303A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510083714.8

申请日：2010-05-19

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： T.范德皮尤特 ,  M.J-J.维兰德

IPC: H01J37/317 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3026 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70475 ,  G06T1/20 ,  G06T1/60 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3175 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/3175 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31764 ,  H04N1/405

Abstract: 本发明提出一种使用带电粒子光刻机器根据图案数据将晶片曝光的方法，其中该带电粒子光刻机器生成用于将所述晶片曝光的多个带电粒子小束，该方法包括：提供所述图案数据作为向量格式的剂量映射；栅格化所述图案数据，所述栅格化包括渲染向量剂量映射以生成多级灰度数据和将所述多级灰度图案数据递色以生成两级黑/白数据；将所述两级黑/白图案数据供应给所述带电粒子光刻机器；和基于所述两级黑/白数据将所述带电粒子光刻机器生成的小束接通或切断；其中所述方法包括对所述向量剂量映射和/或所述多级灰度数据和/或所述两级黑/白数据作出修正调整，以修正小束位置、尺寸、电流或其他特性的变化。

公开(公告)号：CN103456708A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210454441.X

申请日：2012-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  许照荣 ,  林世杰 ,  林本坚

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: G03F1/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3175 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/31774 ,  H01J2237/31789 ,  Y10S430/143

Abstract: 本发明公开一种用于反射电子束光刻的器件及其制造方法。所述器件包括衬底，形成在所述衬底上的多个导电层，这些导电层相互平行并且通过绝缘柱结构隔离；以及在每层导电层中的多个孔。每个导电层中的孔与其他导电层中的孔垂直对准并且每个孔的外围包括悬置的导电层。本发明还公开了改进反射电子束光刻的器件和方法。

公开(公告)号：CN100339768C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410048544.1

申请日：2001-02-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  弗吉尼亚技术知识资产公司

Inventor： 柳仁暻

IPC: G03F7/20 ,  H01J37/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/31777

Abstract: 提供了一种用带图案的发射器发射光刻的方法和装置。发射光刻的装置中，热电发射器或铁电发射器使用掩模构图然后再加热的。加热时，发射器上被掩模盖住的地方不发射电子，未被掩模盖住的暴露部分发射电子，从而发射器图案的形状被投射到衬底上。为防止被发射电子束的散开，需要平行电子束，用磁铁、直流磁场发生器或是偏转系统来控制该电子束，从而把所需图案精确地1∶1或是X∶1投射刻蚀到衬底上。

公开(公告)号：CN1269187C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200310102435.9

申请日：2003-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳寅儆 ,  文昌郁 ,  金东煜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01J1/00 ,  H01J37/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/06358 ,  H01J2237/31781

Abstract: 本发明公开了一种利用二次电子的电子投影光刻装置。该装置包括：二次电子发射器，它与基板固定器间隔预定距离，在该二次电子发射器的朝向基板固定器的表面上形成已构图的掩模；一次电子发射器，它在二次电子发射器背对基板固定器的方向上与二次电子发射器间隔预定距离，并向二次电子发射器发射一次电子；第二电源，它在基板固定器和二次电子发射器之间施加预定电压；第一电源，它在二次电子发射器和一次电子发射器之间施加预定电压；和磁场发生器，它控制由二次电子发射器发射的二次电子的路径。

公开(公告)号：CN1470947A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03148322.4

申请日：2003-06-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 马越俊幸 ,  佐藤信二

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J37/3175 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/31769

Abstract: 提供电子束曝光的高精度的邻近效应修正方法。对基底层图形32进行分类，在单位区域中，分别计算要复制到基底层图形32的上层上的描画层图形与基底层图形32重叠的重叠描画层图形33和不重叠的图形31的图形面积密度，进行电子束曝光的邻近效应修正。

公开(公告)号：CN1285612A

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN00123809.4

申请日：2000-08-18

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫坂满美

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/20 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/50 ,  G03F1/84 ,  G03F1/86 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31762 ,  H01J2237/31794

Abstract: 一种电子束曝光掩模包括主掩模和一个或多个补偿掩模。所述主掩模包括多个第一限定掩模。补偿掩模包括一个或多个无缺陷第二限定掩模,每个第二限定掩模具有按所述第一限定掩模中有缺陷的掩模形成的图形构形。在利用该电子束曝光掩模进行曝光时,只要第一限定掩模没有缺陷,则使用第一限定掩模,在第一限定掩模有缺陷时,使用对应于第一限定掩模的第二限定掩模。

公开(公告)号：CN104795303B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201510083714.8

申请日：2010-05-19

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： T.范德皮尤特 ,  M.J-J.维兰德

IPC: H01J37/317 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3026 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/70475 ,  G06T1/20 ,  G06T1/60 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3175 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/3175 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31764 ,  H04N1/405

Abstract: 本发明提出一种使用带电粒子光刻机器根据图案数据将晶片曝光的方法，其中该带电粒子光刻机器生成用于将所述晶片曝光的多个带电粒子小束，该方法包括：提供所述图案数据作为向量格式的剂量映射；栅格化所述图案数据，所述栅格化包括渲染向量剂量映射以生成多级灰度数据和将所述多级灰度图案数据递色以生成两级黑/白数据；将所述两级黑/白图案数据供应给所述带电粒子光刻机器；和基于所述两级黑/白数据将所述带电粒子光刻机器生成的小束接通或切断；其中所述方法包括对所述向量剂量映射和/或所述多级灰度数据和/或所述两级黑/白数据作出修正调整，以修正小束位置、尺寸、电流或其他特性的变化。